有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1841758A

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN200610058922.3

    申请日:2006-03-08

    CPC classification number: H01L51/0541 H01L27/283 H01L51/0545 H01L51/055

    Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括:基板、设置于基板上的数据线、与数据线相交且包括栅电极的栅线、设置于栅线上且包括暴露数据线的接触孔的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上且通过接触孔电连接到数据线的第一电极、关于栅电极与第一电极相对设置的第二电极、设置于第一和第二电极上且接触第一和第二电极的有机半导体、和设置于有机半导体上的导电阻挡体。

    显示装置及其驱动设备和方法

    公开(公告)号:CN1811891A

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN200610002776.2

    申请日:2006-01-25

    Abstract: 本发明提供了一种平板显示装置的驱动设备的驱动方法。该显示装置的驱动设备包括数据处理器,该数据处理器基于输入灰度级选择两个输出灰度级并将对于每个像素的两个输出灰度级输出到数据驱动器,该数据驱动器选择与从数据处理器输出的输出图像数据对应的两个灰度电压并将该灰度电压作为数据电压施加到像素。第一输出灰度级可低于第二输出灰度级,并低于输入灰度级。作为数据电压施加到像素的第一和第二输出灰度级以像素为单位被在光学上求平均,以具有与原始输入灰度级相同的透射率。灰度电压发生器产生并输出由数据驱动器选择的多个灰度电压。多个灰度电压的至少一个可具有小于液晶阈值电压的值。

    显示器布线及其制造方法与包含该布线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1615452A

    公开(公告)日:2005-05-11

    申请号:CN02827158.0

    申请日:2002-07-29

    CPC classification number: G02F1/136286 G02F2001/136295

    Abstract: 首先,利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案,以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后,顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案,以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着,沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏,而不增加黑色亮度。因此,无需在滤色器面板上设置单独的黑阵,从而可获得像素的纵横比和高对比度。

    平板显示器的制备方法

    公开(公告)号:CN101419944B

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN200810171022.9

    申请日:2006-07-14

    CPC classification number: H01L27/283 H01L27/3244 H01L51/0545

    Abstract: 本发明公开了一种制造平板显示器的方法,包括如下步骤:制备绝缘基板;在所述绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域;在所述源电极和漏电极上形成第一钝化层;在所述第一钝化层上形成具有对应于所述沟道区域的开口的金属层;通过使用所述金属层作为掩模在所述第一钝化层中形成沉积开口来通过所述第一钝化层的沉积开口暴露所述沟道区域;在所述沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层;以及去除所述金属层。

    薄膜晶体管阵列面板和液晶显示器

    公开(公告)号:CN1790144B

    公开(公告)日:2010-04-21

    申请号:CN200510093755.1

    申请日:2005-08-29

    CPC classification number: H01L27/12 G02F1/133502 G02F1/136227 H01L27/1248

    Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板,该面板包括:绝缘基板、在缘基板上形成的栅极线、覆盖栅极线的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成的数据线;覆盖数据线的下钝化层、在下钝化层上形成的由有机绝缘材料制成的上钝化层、在上钝化层上形成的像素电极。栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的厚度分别表示为dG,dP,dI;栅极绝缘层、下钝化层和像素电极的折射率分别表示为nG,nP,nI,并且根据:4(dGnG+dPnP)=,这是波长的偶数倍;4dInI=,这是波长的奇数倍,满足条件方程。

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