公开(公告)号：CN100392853C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200410055814.1

申请日：2004-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李孝钟 ,  李京泰 ,  李敬雨 ,  李守根 ,  徐锋锡

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76847

Abstract: 一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。

公开(公告)号：CN1551353A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410059562.X

申请日：2004-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑武京 ,  李京泰 ,  安正勋

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/52 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/5228 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种包括金属互连和金属电阻器的半导体器件及其制造方法，使得金属电阻器可靠地电连接于金属互连。该制造方法包括步骤：在绝缘层中形成铜的下部互连，在绝缘层上形成帽盖层以覆盖并保护下部互连，在帽盖层中形成窗口以选择性地露出下部互连的上表面，并在帽盖层上形成通过窗口与下部互连的上表面接触的金属电阻器。然后在绝缘层中形成电接触。可选择地，可以在电接触形成后在绝缘层上形成金属电阻器。