公开(公告)号：CN119156719A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202380034772.4

申请日：2023-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉谷友辅 ,  平原誉士 ,  石谷哲二 ,  神保安弘 ,  挂端哲弥 ,  池田隆之 ,  山崎舜平

IPC: H01M4/525 ,  H01G11/24 ,  H01G11/46 ,  H01M4/505 ,  H01M10/052

Abstract: 提供一种具有优异的充放电倍率特性的正极活性物质及使用该正极活性物质的二次电池。提供一种正极活性物质，在该正极活性物质中由XRD图案算出的晶粒尺寸为150nm以上，内部中的镍在过渡金属的原子个数的总和中所占的比例高于第一表层部及第二表层部中的该比例，第二表层部中的选自钴及锰中的至少一个元素所占的原子个数在过渡金属的原子个数的总和中所占的比例高于内部中的该比例，第一表层部中添加元素中的至少一个元素的浓度高于内部及第二表层部中的该浓度。

公开(公告)号：CN119153515A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410711387.5

申请日：2024-06-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  土桥正佳 ,  肥冢纯一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供一种同时实现微型化及高可靠性的晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括晶体管及第一绝缘层。晶体管包括第一至第三导电层、半导体层、第二绝缘层。第一绝缘层包括第一层及该第一层上的第二层。第一绝缘层位于第一导电层上，并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层位于第二层上。半导体层与第一导电层及第二导电层接触，并与第一开口内侧的第一层的侧面接触。第二绝缘层在第一开口内覆盖半导体层，第三导电层在第一开口内覆盖第二绝缘层。第一绝缘层在与第一开口不同的位置上包括第二开口。第二绝缘层在第二开口内侧与第一层接触。第一层包括氧化物绝缘膜，第二层包括具有氧阻挡性的绝缘膜。

公开(公告)号：CN119137749A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202380037713.2

申请日：2023-05-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  岛行德 ,  大野正胜 ,  肥塚纯一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B45/60 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种具有低功耗及高性能的半导体装置。半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层设置于第一导电层上。第二导电层设置于第一绝缘层上。第一绝缘层及第二导电层包括到达第一导电层的开口。第一半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二半导体层设置于第一半导体层上。第二绝缘层设置于第二半导体层上。第三导电层设置于第二绝缘层上。第一半导体层的导电率比第二半导体层的导电率高。

公开(公告)号：CN119135131A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411253682.7

申请日：2018-05-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松嵜隆德 ,  加藤清

IPC: H03K5/08 ,  H10B10/00 ,  H10B12/00 ,  H01L29/786 ,  H02M3/07

Abstract: 提供一种能够直接输入要比较的负电压的比较电路。该比较电路包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子以及差分对。该比较电路对负电压与负参考电压进行比较，根据比较结果从第一输出端子输出第一输出电压。第一输入端子被输入负电压。第二输入端子被输入正参考电压。以进行比较的方式设定正参考电压。差分对包括分别包括背栅极的第一n沟道晶体管及第二n沟道晶体管。第一输入端子与第一n沟道晶体管的背栅极电连接。第二输入端子与第二n沟道晶体管的栅极电连接。

公开(公告)号：CN119092554A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411208055.1

申请日：2019-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤来 ,  神长正美 ,  土桥正佳 ,  白石孝 ,  斋藤晓 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。

公开(公告)号：CN119032637A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202380034483.4

申请日：2023-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  中岛基

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H10B41/27

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括：第一导电体；与第一导电体电连接并具有开口的第一氧化物及第二氧化物；与第一氧化物电连接的第二导电体；配置在第一氧化物所包括的开口内侧的第三导电体；与第三导电体电连接的第四导电体；与第二氧化物电连接的第五导电体；配置在第二氧化物所包括的开口内侧的第六导电体；与第六导电体电连接的第七导电体；以及与第二导电体及第七导电体电连接的第八导电体。第四导电体设置在与第七导电体相同的层中，第四导电体的延伸方向与第五导电体的延伸方向相同。

公开(公告)号：CN111937074B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN201980023236.8

申请日：2019-03-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  石津贵彦 ,  大贯达也

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/405 ,  G11C11/4074 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种数据的保持时间长且可靠性高的存储装置。存储装置包括驱动器电路及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。晶体管包括第一栅极及第二栅极，在存储单元保持数据的期间，对晶体管的第一栅极及第二栅极施加负电位。

公开(公告)号：CN110914252B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN201880047589.7

申请日：2018-07-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 夛田杏奈 ,  川上祥子 ,  铃木恒德 ,  泷田悠介 ,  濑尾哲史

IPC: C07D307/92 ,  H10K85/60 ,  H10K50/15 ,  H10K50/17 ,  H10K50/11

Abstract: 提供一种新颖的有机化合物。另外，提供一种具有空穴传输性的新颖的有机化合物。另外，提供一种新颖的空穴传输材料。另外，提供一种新颖的发光元件。另外，提供一种寿命良好的发光元件。另外，提供一种发光效率良好的发光元件。提供一种具有苯并[b]萘并[2,1‑d]呋喃基或苯并[b]萘并[2,3‑d]呋喃基、以及二芳基胺骨架的有机化合物。另外，提供一种使用该有机化合物的发光元件。

公开(公告)号：CN118922949A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380025998.8

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  三泽千惠子 ,  佐藤亚美 ,  土桥正佳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B33/10 ,  H05B45/60 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置。半导体装置包括：第一及第二晶体管；以及绝缘层，第一晶体管包括：源电极；在源电极上的绝缘层上的漏电极；接触于源电极的顶面、设置在绝缘层的开口的内壁及漏电极的顶面的第一半导体层；接触于第一半导体层的顶面及侧面的第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上的具有重叠于开口的内壁的区域的第一栅电极，第二晶体管包括：绝缘层上的第二半导体层；接触于第二半导体层的顶面及侧面中的一方的源电极；接触于第二半导体层的顶面及侧面中的另一方的漏电极；接触于第二半导体层的顶面、源电极的顶面及侧面以及漏电极的顶面及侧面的第二栅极绝缘层；第二栅极绝缘层上的第二栅电极，并且，第一半导体层与第二栅电极接触。

公开(公告)号：CN118871841A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380019211.7

申请日：2023-01-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村太纪 ,  池田寿雄 ,  初见亮 ,  广濑丈也

IPC: G02B27/02 ,  H04N5/64

Abstract: 提供一种能够得到高沉浸感的电子设备。提供一种低功耗的电子设备。第一显示装置包括多个第一像素，第一像素包括呈现绿色的发光元件，第二显示装置包括多个第二像素，第二像素包括呈现红色的发光元件及呈现蓝色的发光元件，第一显示装置及第二显示装置分别具有显示第一图像及第二图像的功能，第一显示装置设置在第一图像被第一半反射镜反射而入射到接目镜的位置，第二显示装置设置在第二图像透过第一半反射镜入射到接目镜的位置，第一图像及第二图像都通过接目镜提供。