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公开(公告)号：CN102662212B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201210174635.4
申请日：2012-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光子晶体及其制备方法，首先提供包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层的AAO模板，于各该孔道内填充光刻胶，并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层，然后去除所述铝基底，并去除各该孔道的底部以使所述孔道形成通孔，然后键合一半导体衬底及所述氧化铝层，去除光刻胶，接着于所述通孔内形成第一半导体柱并于所述氧化铝层表面形成第一半导体层，接着按上述步骤于所述第一半导体层上形成氧化铝层、第二半导体柱及第二半导体层，最后去除所述氧化铝层以完成制备。本发明利用AAO模板实现了光子晶体的制备，工艺简单，成本低、重复性好、且与半导体工艺兼容，采用本方法可制备出二维或三维纳米级的光子晶体，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN103265021A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310207387.3
申请日：2013-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种层数可控石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：1）提供一Cu衬底，在所述Cu衬底上形成一Ni层；2）采用离子注入法在所述Ni层中注入C；3）对步骤2）形成的结构进行退火处理使得所述Cu衬底中的部分Cu进入所述Ni层中形成Ni-Cu合金，而Ni层中注入的C被进入所述Ni层中的Cu从Ni层中挤出，在所述Ni-Cu合金表面重构形成石墨烯。本发明获得的石墨烯薄膜具有质量好、大尺寸且层数可控的优势，且易于转移。另外，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺，本发明的层数可控石墨烯的生长方法将能更快地推动石墨烯在半导体工业界的广泛应用。
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公开(公告)号：CN103247520A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210026563.9
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法。根据本发明的方法，首先，基于至少一种注入能量向催化衬底注入碳离子；随后，对已注入碳离子的催化衬底进行退火处理以使注入的碳离子析出，并在所述催化衬底表面形成至少一层石墨烯薄膜层；最后，去除所述已形成至少一层石墨烯薄膜层的结构的催化衬底以获得至少一层石墨烯薄膜层。本法所制备出的石墨烯薄膜质量好、尺寸大、且层数可控；相比于SiC升华法，本法制备的石墨烯易于转移；相比与化学气相沉积法，本法制备的石墨烯层数可控。
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公开(公告)号：CN103165420A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110418827.0
申请日：2011-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，并使所述Si1-xGex层弛豫以形成弛豫Si1-xGex层；其次在所述弛豫Si1-xGex层上外延包括Si层和Si1-yGey层的双层薄膜；而后多次重复外延所述双层薄膜，在所述弛豫Si1-xGex层上制备出超晶格；接着在所述超晶格上外延一Ge组分为z的Si1-zGez层并使所述Si1-zGez层弛豫以形成弛豫Si1-zGez层，由所述弛豫Si1-xGex层、超晶格和弛豫Si1-zGez层构成虚衬底；最后在所述弛豫Si1-zGez层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。
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公开(公告)号：CN103137539A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110383801.7
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过Co与Si衬底两次反应生成CoSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插入一层金属硅化物CoSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103137538A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110383797.4
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物NiSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入NiSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN101866874B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010189312.3
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅(SGOI)材料的方法。首先在体硅上外延Siepi/Si1-xGex结构的多层材料，其中0＜x＜1，Siepi为外延材料的上表面。控制外延的Si1-xGex薄膜的厚度，使其小于临界厚度，以保证这层薄膜是完全应变的。然后使用层转移的方法将Siepi/Si1-xGex转移到一个SiO2/Si结构的支撑材料上，形成Si1-xGex/Siepi/SiO2/Si结构的多层材料。通过退火，使得材料中的Si1-xGex发生弛豫，弛豫过程中产生的位错主要分布在Siepi中，使得Si1-xGex保持了较高的晶格质量，然后通过外延的方法在Si1-xGex上继续外延一层Si薄膜，该薄膜将保持应变，最终得到Si/Si1-xGex/Siepi/SiO2/Si的SGOI材料。
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公开(公告)号：CN103050432A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210559663.8
申请日：2012-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，先通过外延技术和离子注入技术形成半导体衬底、GaAs层结构，所述半导体衬底中具有H离子或/及He离子注入层，且所述半导体衬底为Ge、Ge/Si、Ge/GeSi/Si或GOI衬底；于所述GaAs层表面形成第一SiO2层；键合一表面具有第二SiO2层的Si衬底，进行第一退火加强键合，进行第二退火使所述注入层剥离；采用XeF2气体腐蚀以去除GaAs层表面残留的半导体衬底，获得GaAsOI结构；采用类似的方案可以获得高质量的Ⅲ-ⅤOI结构。本发明通过分子束外延或超高真空化学气相沉积的手段，获得高质量的GaAs层及Ⅲ-Ⅴ半导体层；采用高选择性气体腐蚀的方法，可以有效地将通过智能剥离后的残留半导体衬底去除的同时保持GaAs层的完整性，从而有效地制备出高质量的GaAsOI或Ⅲ-ⅤOI。
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公开(公告)号：CN103021812A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210559716.6
申请日：2012-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成GaAs层，于所述GaAs层表面形成Ⅲ-Ⅴ半导体层，于所述Ⅲ-Ⅴ半导体层表面形成第一SiO2层，所述半导体衬底为Ge、Ge/Si及Ge/GeSi/Si衬底的一种；2）提供一表面具有第二SiO2层的Si衬底，键合所述第一SiO2层及第二SiO2层；3）采用XeF2气体腐蚀以去除所述半导体衬底，获得GaAs层/Ⅲ-Ⅴ半导体层/SiO2层/Si衬底结构。本发明具有以下有益效果：通过分子束外延或超高真空化学气相沉积的手段可以获得高质量的Ⅲ-Ⅴ半导体层；通过高选择性气体腐蚀的方法制备Ⅲ-ⅤOI，可以有效地将半导体衬底去除的同时保持了Ⅲ-Ⅴ半导体层完整性，从而有效地制备出高质量的Ⅲ-ⅤOI。
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公开(公告)号：CN101707188B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN200910199624.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/306 , H01L21/311
Abstract: 一种采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底以及一键合衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层，所述键合衬底表面具有自停止层，所述自停止层表面具有薄膜半导体层；以薄膜半导体层和绝缘层的暴露表面为键合面将支撑衬底与键合衬底键合；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀键合衬底的第一腐蚀液，将键合衬底腐蚀除去；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀自停止层的第二腐蚀液，将自停止层腐蚀除去。本发明的优点在于，采用旋转腐蚀工艺腐蚀支撑衬底和自停止层，可以避免腐蚀液浸入到自停止层和薄膜半导体层而对薄膜半导体层和绝缘层进行腐蚀，因此能够保证最终产品结构的完整性。
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