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公开(公告)号：CN100458735C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN01818530.4
申请日：2001-10-11
申请人： 因芬尼昂技术股份公司
发明人： P·马赫拉
摘要： 用于只读存储器的扩展使用的存储管理逻辑单元。本发明允许将经济的只读存储器与可重写存储器一起使用。为达此目的，一个存储管理逻辑单元(2)与一个控制单元(1)、一个只读存储器(3)和一个可重写存储器(4)相互作用。所述只读存储器(3)的特定存储区域中的数据被所述可重写存储器(4)中的数据取代。如果所述控制单元(1)访问所述只读存储器(3)中的被取代的数据，则所述存储管理逻辑单元(2)将此访问转向至所述可重写存储器(4)中的相应的数据。
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公开(公告)号：CN101197185A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610022444.0
申请日：2006-12-08
申请人： 张国飙
发明人： 张国飙
CPC分类号： H01L2224/32145 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出了一种预录制三维存储模块及其播放系统。它采用三维存储模块来存储多媒体资料库。基于三维存储器的三维存储模块具有超大容量，它尤其适合存储影视资料库。三维存储模块最好采用预录制的形式发行。同时，为了保护资料经销商和用户的利益，需要对预录制资料库的访问进行控制。
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公开(公告)号：CN101047187A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710088452.X
申请日：2007-03-27
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L27/112 , H01L23/522 , H01L21/8246 , H01L21/768 , G11C17/10
CPC分类号： H01L27/112 , H01L27/11253
摘要： 本发明提供一种能够将尺寸减小的存储器及其制造方法。该存储器包括：n型杂质区域(12)，其形成在p型硅基板(11)的主表面上，作为存储器单元(9)中包含的二极管(10)的阴极及字码(7)而起作用；p型杂质区域(14)，其在n型杂质区域(12)的表面上隔开规定的间隔而形成有多个，作为二极管(10)的阳极而起作用；位线(8)，其形成在p型硅基板(11)上，与p型杂质区域(14)连接；配线层(27)，其设置在位线(8)的下层，相对于n型杂质区域(12)每隔规定间隔进行连接。
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公开(公告)号：CN101047034A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710088482.0
申请日：2007-03-27
申请人： 三洋电机株式会社
发明人： 山田光一
IPC分类号： G11C17/10 , H01L27/105 , H01L27/112 , H01L23/522
CPC分类号： G11C17/10
摘要： 提供一种以高速工作的存储器。该存储器具有：多个字线；分别连接在多个字线上，通过选择对应的字线，变为导通状态的第一晶体管；分别包含把阴极连接在第一晶体管的源/漏区的一方上的二极管的多个存储单元；连接在第一晶体管的源/漏区的另一方一侧，用于判别从选择的存储单元读出的数据的数据判别部。
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公开(公告)号：CN1841564A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610076750.2
申请日：2002-07-31
申请人： 连邦科技股份有限公司
IPC分类号： G11C17/10
摘要： 本发明提出了一种组合静态随机存取存储器和掩模只读存储器存储单元，其特征在于，包括有一静态随机存取单元以及一只读存储单元，其中该静态随机存取单元用以作为随机存取的存储单元，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管和该第四晶体管形成一正反器，该第一晶体管与该第三晶体管互补，该第二晶体管与该第四晶体管互补，该只读存储单元用以永久保存数据，包括有一第七晶体管；该只读存储单元是位于一形成该第五晶体管与该第六晶体管的多晶硅区与一源极接触点所在的主动区延伸部所交错的十字区中，使得该只读存储单元位于该静态随机存取存储单元中。
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公开(公告)号：CN1199192C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN98810569.1
申请日：1998-08-28
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： G11C11/56 , G11C17/10 , H01L27/102
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C11/5692 , G11C13/0016 , H01L27/112
摘要： 一种只读存储器形成为可在无源导体矩阵上电寻址，其中矩阵中两导体(2，4)间的空间限定一个存储单元(5)。数据在存储单元中存储为阻抗值。存储单元(5)包括提供高阻抗的隔离材料(6)或一个或多个较好是具有各向异性导电特性的无机或有机半导体(9)。半导体材料(9)与矩阵中金属导体(2，4)的界面构成二极管结。通过在存储单元中适当地设置各隔离材料(6)和半导体材料(9)，可以给出可电读取且对应于二进制或多值编码的逻辑值的确定阻抗值。一个或多个只读存储器(ROM)可设于半导体衬底(1)上，以完成只读存储器件，半导体衬底(1)上还包括驱动和控制电路(13)。该器件可以平面实现，或可以通过以水平层(15)层叠数个只读存储器(ROM)，并使它们通过寻址总线与衬底(1)连接立体实现。
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公开(公告)号：CN1497609A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03159809.9
申请日：2003-09-25
申请人： 松下电器产业株式会社
发明人： 林光昭
CPC分类号： H01L27/11253 , G11C7/12 , G11C17/12 , H01L27/112
摘要： 鉴于晶体管的关断漏泄因微细化而增大，无需为保持位线的“H”电平所需的电荷补给用晶体管，既可高速读出位线为“L”电平的存储数据，从而提供可高速读出的半导体集成电路。为此，设置了高电位源布线和低电位源布线。然后，将存储单元的源有选择地连接到高电位源布线和低电位源布线中的某一源布线上。在读出时使位线电位保持在“H”电平的存储数据的情形下，存储单元的源被连接到高电位源布线上；在读出时使位线电位下降到“L”电平的存储数据的情形下，存储单元的源被连接到低电位源布线上。
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公开(公告)号：CN1277723A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN98810569.1
申请日：1998-08-28
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： G11C11/56 , G11C17/10 , H01L27/102
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C11/5692 , G11C13/0016 , H01L27/112
摘要： 一种只读存储器形成为可在无源导体矩阵上电寻址,其中矩阵中两导体(2,4)间的空间限定一个存储单元(5)。数据在存储单元中存储为阻抗值。存储单元(5)包括提供高阻抗的隔离材料(6)或一个或多个较好是具有各向异性导电特性的无机或有机半导体(9)。半导体材料(9)与矩阵中金属导体(2,4)的界面构成二极管结。通过在存储单元中适当地设置各隔离材料(6)和半导体材料(9),可以给出可电读取且对应于二进制或多值编码的逻辑值的确定阻抗值。一个或多个只读存储器(ROM)可设于半导体衬底(1)上,以完成只读存储器件,半导体衬底(1)上还包括驱动和控制电路(13)。该器件可以平面实现,或可以通过以水平层(15)层叠数个只读存储器(ROM),并使它们通过寻址总线与衬底(1)连接立体实现。
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公开(公告)号：CN118742906A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202280092086.8
申请日：2022-07-14
申请人： 硅存储技术股份有限公司
IPC分类号： G06N3/065 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/0442 , G11C11/54 , G11C7/14 , G11C7/10 , G11C17/10 , G11C16/04 , G11C29/02 , G11C29/24 , G11C29/26 , G06N3/048
摘要： 公开了一种人工神经网络的许多示例，该人工神经网络包括用于矢量‑矩阵乘法阵列的配置的多个参考阵列。在一个示例中，一种系统包括：人工神经网络中的矢量‑矩阵乘法阵列；和由不同I‑V曲线表征的多个参考阵列，其中该多个参考阵列中的一个或多个参考阵列用于在操作期间生成矢量‑矩阵乘法阵列的输入电压。
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