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公开(公告)号：CN107860957A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710976101.6
申请日：2017-10-19
Applicant: 深圳市华盛昌科技实业股份有限公司
Inventor： 袁剑敏
CPC classification number: G01R15/125 , G01J5/00 , G01J5/0096 , G01J2005/0077 , G01J2005/0085
Abstract: 本发明属于万用表领域，公开了一种多功能数字万用表，包括表壳和用于供表笔插入连接的端子孔，设置于该表壳内的线路板组件，以及与该线路板组件电连接的柔性线圈，多功能数字万用表还包括设置于该线路板组件上并与其电连接的热成像组件，以及设置于该表壳上并与该线路板组件电连接的显示组件，通过在表壳内设置线路板组件及柔性线圈，从而使得万用表内能够检测较大电流，进一步地，通过在表壳内设置热成像组件，可实现万用表在测量之前，能够预先使用热成像组件对目标进行热扫描，从而可精确定位故障点，随后，利用万用表进行电子诊断，最后，通过将测量的热图像传递至显示组件上进行记录，从而大大提高了检测效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN107153079A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710387366.2
申请日：2017-05-18
Applicant: 金华职业技术学院
CPC classification number: G01N25/20 , G01J5/00 , G01J2005/0077 , G01J2005/0085
Abstract: 本发明涉及材料领域，一种测量薄膜导热系数的方法，确定待测薄膜厚度；测量薄膜对光的吸收率；将薄膜转移到衬底上；可见光源从衬底下方发射；可见光直接进入光电二极管，位移台在薄膜上方平面内匀速运动，光电二极管采集光信号，得二维照明光功率密度分布图；由步骤二、五得到的薄膜光吸收率及照明光功率密度，计算薄膜的区域吸收功率密度pabs；安装样品架、衬底和薄膜，水平方向移动位移台使其远离衬底，红外摄像机采集薄膜发出的红外光，并进行成像，进而得到薄膜温度分布，选取不同透孔重复测量，通过平均数据及分析得到近邻透孔中心的温度分布曲率；根据温度分布曲率、吸收功率密度pabs和薄膜厚度d，计算确定薄膜的面内导热系数k||。
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公开(公告)号：CN106896132A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201611095310.1
申请日：2016-12-01
Applicant: 耐驰-仪器制造有限公司
CPC classification number: G01J5/025 , G01J5/0003 , G01J5/0255 , G01J5/10 , G01J2005/0048 , G01J2005/0085 , G01N25/18 , G01N25/20 , G01K15/005 , G01N21/25 , G01N21/62
Abstract: 本发明涉及用于对试样(12)进行热分析的设备，包括：根据温度程序对试样(12)进行调温，在该温度程序的进程中试样(12)的温度(T)发生变化；在温度程序的进程中测量试样(12)的温度(T)；在温度程序的进程中测量试样(12)的与试样(12)的温度(T)不同的至少一个物理特性。为了改善对试样(12)的温度(T)进行测量的可靠性和精确性，根据本发明对试样(12)的温度(T)进行测量包括：用电磁激励射线照射试样(12)的第一表面区域，探测由于照射而从试样(12)的第二表面区域发出的热辐射的强度；通过评估探测到的热辐射强度求出试样(12)的热扩散系数(α)；根据求出的热扩散系数(α)在使用说明试样(12)的热扩散系数(α)的与温度相关的走向的数据的情况下求出试样(12)的温度。此外，本发明涉及相应的用于热分析的设备(10)以及用于校准在这种设备(10)中的温度测量装置(22)的方法和设备。
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公开(公告)号：CN106248654A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610546449.7
申请日：2016-07-12
Applicant: 中国石油化工股份有限公司 , 中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
CPC classification number: G01N21/73 , G01J5/00 , G01J2005/0085 , G01N27/62 , G01R13/02
Abstract: 一种等离子体原位表征系统，包括发射光谱仪、高速图像捕捉系统、数字示波器、红外成像仪与在线质谱仪。光纤探头和第一图像采集器均置于等离子体放电反应器的放电核心区域。数字示波器的电压探头附属高压极与等离子体放电反应器的高压极相连，电压探头附属接地极与地线相连，电流探头与等离子体放电反应器相连；红外成像仪的第二图像采集器朝向等离子体放电核心区域；在线质谱仪的进样管与等离子体放电反应区出口相连。上述一种等离子体原位表征系统，各部件协同配合，可全方位实时监测等离子体活性物种的种类和数量、等离子体放电状态、电流电压波形、等离子体电子密度、等离子体区温度分布和产物组成等，可对等离子体放电过程进行原位表征。
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公开(公告)号：CN103026216B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180036274.0
申请日：2011-06-08
Applicant: DCG系统有限公司 , 弗劳恩霍弗应用技术研究院
IPC: G01N25/72
CPC classification number: G01J5/0066 , G01J2005/0077 , G01J2005/0085 , G01N1/00 , G01N21/35 , G01N21/88 , G01N25/00 , G01N2021/8461 , G01R31/311
Abstract: 一种利用锁相热像（LIT）对电子器件架构中掩埋热点进行3D定位的非破坏性方法。3D分析基于热波通过不同材料层的传播原理和所得的相移/热时间延迟。对于更复杂的多层叠置管芯架构，必须在不同激励频率下采集多个LIT结果以进行热点的精确深度定位。此外，可以使用在热点位置顶部最小化视场中测量的多个时间分辨的热波形加快数据采集。可以分析所得波形的形状以进一步提高检测精确度和置信水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105675146A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610080287.2
申请日：2016-02-04
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01J5/10
CPC classification number: G01J5/10 , G01J2005/0077 , G01J2005/0085
Abstract: 本申请提供了一种基于压缩感知的双波长三维温度场成像设备，包括脉冲光源；配置为接收待测对象的光辐射的光辐射调制装置，其加载预设的多个掩膜，将接收到的光辐射调制为多束第一光辐射和多束第二光辐射，所述多个掩膜根据符合压缩感知理论的RIP条件的测量矩阵Φ变换生成；布置在所述第一路径上的第一滤光元件和第一探测装置；布置在所述第二路径上的第二滤光元件和第二探测装置；布置在第一路径或者第二路径上的时幅变换器；温度确定装置以及图像生成装置。本申请还提供了基于该设备的系统和方法。其将压缩感知理论、双波长测温技术、互补调制技术、单光子探测技术和时间相关技术相结合，重建出待测对象的三维红外热图像。
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公开(公告)号：CN102796997B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210167749.6
申请日：2012-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/46 , C23C16/52 , G01J5/0007 , G01J5/0022 , G01J5/025 , G01J5/0255 , G01J5/026 , G01J5/0809 , G01J5/0831 , G01J5/089 , G01J5/0893 , G01J2005/0085
Abstract: 本发明提供用于热处理装置的温度测量装置、温度测量方法和热处理装置。该热处理装置具有加热部和在内部设有用于载置基板的旋转台的处理容器，该温度测量装置包括：辐射温度测量部，其能够在使旋转台以规定的转速旋转的状态下，通过沿旋转台的径向对该旋转台的一表面侧进行扫描来测量沿着该径向形成的多个温度测量区域的温度；温度映射制作部，其根据由辐射温度测量部沿旋转台的径向进行扫描的每次扫描的温度测量区域的数量、及旋转台的规定的转速，确定由辐射温度测量部测量了温度的温度测量区域的地址，将该温度与该地址相关联，存储到存储部；温度数据显示处理部，其根据由温度映射制作部存储在存储部的温度与地址，显示基板的温度分布。
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公开(公告)号：CN104416451A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410424687.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015
CPC classification number: B24B37/015 , B24B49/14 , B24B55/02 , G01J5/025 , G01J2005/0085
Abstract: 本发明提供一种通过调整研磨垫的表面温度可使研磨率提高，并且也可控制研磨的基板的研磨轮廓的研磨方法及研磨装置。将基板按压在研磨台上的研磨垫上来研磨基板的研磨方法具备：研磨垫(3)的表面温度调整工序，其是调整研磨垫(3)的表面温度的工序；及研磨工序，其是在调整后的表面温度下将基板按压在研磨垫(3)上来研磨基板；研磨垫(3)的表面温度调整工序，为调整基板接触的研磨垫(3)的一部分区域的表面温度，以使在研磨工序中，在研磨垫(3)的表面的径向上的温度轮廓的温度变化率在研磨垫径向保持一定。
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公开(公告)号：CN103712059A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310632477.7
申请日：2013-11-29
Applicant: 中国海洋石油总公司 , 海洋石油工程股份有限公司 , 天津大学
CPC classification number: G01J5/0066 , B65D90/50 , G01J2005/0077 , G01J2005/0085 , G01M3/002 , G01M3/38
Abstract: 本发明公开了液化天然气储罐泄漏定位方法，包括步骤：(a)在储罐外壁上安装4组灯泡做为参考点；(b)在储罐外安装四台红外热像仪；(c)打开八个灯泡，开启四台红外热像仪对液化天然气储罐进行红外成像扫查，形成温度分布红外图像，然后将温度分布红外图像传入计算机进行分析处理；（d）截取液化天然气储罐整体外壁温度分布图像中出现局部连续降温变化的降温图像部分，根据降温图像部分做出等温线；(e)在控制温度所在的等温线上任取N点，计算出其对应于储罐外壁上的储罐泄漏对应点，将全部储罐泄漏对应点连接到一起得到的连线所包围的区域为实际的储罐泄漏区域。采用本方法可提高LNG储罐工作可靠性。
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公开(公告)号：CN103026216A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036274.0
申请日：2011-06-08
Applicant: DCG系统有限公司 , 弗劳恩霍弗应用技术研究院
IPC: G01N25/72
CPC classification number: G01J5/0066 , G01J2005/0077 , G01J2005/0085 , G01N1/00 , G01N21/35 , G01N21/88 , G01N25/00 , G01N2021/8461 , G01R31/311
Abstract: 一种利用锁相热像（LIT）对电子器件架构中掩埋热点进行3D定位的非破坏性方法。3D分析基于热波通过不同材料层的传播原理和所得的相移/热时间延迟。对于更复杂的多层叠置管芯架构，必须在不同激励频率下采集多个LIT结果以进行热点的精确深度定位。此外，可以使用在热点位置顶部最小化视场中测量的多个时间分辨的热波形加快数据采集。可以分析所得波形的形状以进一步提高检测精确度和置信水平。
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