公开(公告)号：CN117029665A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310163675.7

申请日：2023-02-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木启史 ,  加藤达也

IPC: G01B7/30

Abstract: 本发明提供一种旋转角度检测装置，其具备：磁场产生部，其被设置为能够与以规定的旋转轴为中心进行旋转的旋转体一体地旋转；磁场检测部，其探测从磁场产生部产生的磁场；以及磁场传递部，其覆盖磁场产生部的一部分。磁场产生部具备具有实质上圆形状的第一面及位于其相反侧的第二面和在第一面及第二面的外周缘之间连续的侧面。磁场传递部至少包含覆盖一侧的侧面的一部分的第一磁场传递部，第一磁场传递部具有第一端部及第二端部。从磁场产生部产生的磁场包含第一磁场分量及第二磁场分量，位于第一磁场传递部的第一端部的附近的磁场检测部检测第一磁场分量及第二磁场分量。

公开(公告)号：CN113324564B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202110211466.6

申请日：2021-02-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加藤达也 ,  守屋贵裕 ,  石川原俊夫 ,  大山俊彦 ,  木户利尚

IPC: G01D5/12

Abstract: 本发明提供一种位置检测装置，可实现长的位置检测行程且能抑制大型化。磁传感器具有：第一磁场检测元件，其位于第一磁道；第一处理部(4A)，其在施加于第一磁场检测元件的第一磁场的强度为阈值(S1)以上的情况下输出表示磁铁相对于第一磁场检测元件的相对位置的电压(VM1)，并在第一磁场的强度低于阈值(S1)的情况下输出高电压(VH)；第二磁场检测元件，其位于第二磁道；以及第二处理部(4B)，其在施加于第二磁场检测元件的第二磁场的强度低于阈值(S1)的情况下输出低电压(VL)，并在第二磁场的强度为阈值(S1)以上的情况下输出表示磁铁相对于第二磁场检测元件的相对位置的电压(VM2)。

公开(公告)号：CN113494929A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110290682.4

申请日：2021-03-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石川原俊夫 ,  铃木启史 ,  加藤达也 ,  大山俊彦 ,  守屋贵裕

IPC: G01D5/14 ,  G01D5/16

Abstract: 本发明提供一种减小了主体部和移动体的滑动部的面积的行程传感器模块。行程传感器模块(1)具有沿第一方向(X)移动的移动体(5)、与移动体(5)连动地沿第一方向(X)移动的磁产生体(2)、检测磁产生体(2)的移动的磁检测元件(3)、以及收纳移动体(5)的一部分和磁产生体(2)的容纳体(4)。移动体(5)和磁产生体(2)的至少任一者具有设置于从第一方向(X)观察相互不同的角度位置的多个突起(23、73)，容纳体(4)具备引导突起(23、73)的导向部(42、44)。

公开(公告)号：CN100334632C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200410031494.6

申请日：2001-05-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上弘康 ,  宇都宫肇 ,  加藤达也 ,  新开浩

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/258 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/126 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/259 ,  G11B7/26 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316

Abstract: 提供可提高传输速度且可减小重放信号的跳动的光记录媒体。该光记录媒体是具有相变型记录层的光记录媒体，其中：若稀土元素用R表示，Ag、In和Ge中的至少一种元素用M表示，上述光记录媒体的记录层的构成元素的原子比用(RaTebSbc)1-xMx表示，a+b+c＝1，则a＞0，0.4≤c≤0.95，a/b≤1.2，a/c≤0.7，0≤x≤0.1。

公开(公告)号：CN1666261A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03815549.4

申请日：2003-06-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加藤达也 ,  平田秀树

IPC: G11B7/0045 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/0045 ,  G11B7/00456 ,  G11B7/1267 ,  G11B7/24 ,  G11B7/24038

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种将数据记录到光学记录媒体的方法及设备和光学纪录媒体，该方法可以使用具有较低的记录功率的激光束以较高的线性记录速度将数据记录到写一次型光学记录媒体中。根据本发明将数据记录到光学记录媒体的方法被构造成，在通过将激光束投射到光学记录媒体并在第一记录层和第二记录层的预定区域上形成记录标记将数据记录到包括衬底、第一记录层和第二记录层的光学记录媒体中时，该激光束的功率根据包括其电平被设定到对应于记录功率Pw和底部功率Pb的电平的脉冲的脉冲串模式调制，随着线性记录速度增加，使用包括其电平被设定到对应于记录功率Pw的电平的更少数量的脉冲的脉冲串模式调制激光束的功率，由此形成记录标记。

公开(公告)号：CN1618096A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN03802400.4

申请日：2003-01-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加藤达也 ,  新开浩 ,  平田秀树

IPC: G11B7/0045

CPC classification number: G11B7/0062 ,  G11B7/00456

Abstract: 本发明涉及一种将信息记录到一个光记录介质的方法，该方法可降低当相邻记录标记形成时导致的热量的影响，并能够防止信息的串扰和交叉消去。根据本发明，当通过将一束脉冲调制的激光光束照射到其上来在光记录介质上形成记录标记时，由于一个起始脉冲和一个末尾脉冲的记录功率被设置为Pw2，低于任何中间脉冲的记录功率Pw1，并且一个冷却脉冲的宽度Tcl被设置为等于或宽于1.0T，宽于记录功率的一个脉冲的宽度，因此可能在记录标记形成时改善冷却效率，从而降低记录标记之间的热干扰，并且实现高密度记录和高数据传输速率。

公开(公告)号：CN1185644C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN01124331.7

申请日：2001-06-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小卷壮 ,  平田秀树 ,  加藤达也

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/26

CPC classification number: G11B7/2542 ,  G11B7/24056 ,  G11B7/24067 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/256 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/25716

Abstract: 在支持基片上具有信息记录层、在该信息记录层上具有透光层、通过该透光层照射记录或重放用的激光的光信息介质中，减小激光光斑直径并且提高在线速度大时的记录/重放特性。作为一种在支持基片上具有信息记录层、在该信息记录层上具有透光层、通过该透光层入射记录或重放用的激光来使用的光信息介质，所述透光层由树脂构成。拉伸破坏强度为5～40MPa，拉伸破坏伸长率为15～100%，拉伸弹性系数为40～1000MPa。

公开(公告)号：CN1380855A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN01801244.2

申请日：2001-05-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 新开浩 ,  井上弘康 ,  加藤达也 ,  宇都宫肇 ,  田中美知

IPC: B41M5/26 ,  G11B7/24

CPC classification number: G11B7/2433 ,  G11B7/259 ,  G11B7/26 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11B2007/25715

Abstract: 一种光记录媒体,其中:具有以Sb作为主成分的相变型记录层,该记录层结晶化时,结晶化区域含有基本上由Sb构成的菱形晶体,且基本上不包含除基本上由Sb构的菱形晶体以外的结晶相。本发明的光记录媒体可以提高转输速度,并且记录层的热稳定性良好。

公开(公告)号：CN113324564A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110211466.6

申请日：2021-02-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加藤达也 ,  守屋贵裕 ,  石川原俊夫 ,  大山俊彦 ,  木户利尚

IPC: G01D5/12

Abstract: 本发明提供一种位置检测装置，可实现长的位置检测行程且能抑制大型化。磁传感器具有：第一磁场检测元件，其位于第一磁道；第一处理部(4A)，其在施加于第一磁场检测元件的第一磁场的强度为阈值(S1)以上的情况下输出表示磁铁相对于第一磁场检测元件的相对位置的电压(VM1)，并在第一磁场的强度低于阈值(S1)的情况下输出高电压(VH)；第二磁场检测元件，其位于第二磁道；以及第二处理部(4B)，其在施加于第二磁场检测元件的第二磁场的强度低于阈值(S1)的情况下输出低电压(VL)，并在第二磁场的强度为阈值(S1)以上的情况下输出表示磁铁相对于第二磁场检测元件的相对位置的电压(VM2)。

公开(公告)号：CN1913017A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610100722.X

申请日：2001-05-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上弘康 ,  宇都宫肇 ,  加藤达也 ,  新开浩

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/252 ,  G11B7/00

Abstract: 提供可提高传输速度且可减小重放信号的跳动的光记录媒体。该光记录媒体是具有相变型记录层的光记录媒体，其中：若稀土元素用R表示，Ag、In和Ge中的至少一种元素用M表示，上述光记录媒体的记录层的构成元素的原子比用(RaTebSbc)1－xMx表示，a+b+c＝1，则a＞0，0.4≤c≤0.95，a/b≤1.2，a/c≤0.7，0≤x≤0.1。