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公开(公告)号：CN116288180A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211100981.8
申请日：2022-09-09
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , H01L31/0224 , H01L31/072
摘要： 本发明公开了一种氧化物靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用。本发明的氧化物靶材含有In2O3、SnO2和ZnO，其中，按照原子摩尔比计，In：Sn：Zn＝9.7711：(A+N)：N；其中，0＜N＜4.386，0.3＜A≤1.2，所述氧化物靶材的密度大于99％。本发明的氧化物靶材密度高、颜色均一，且在连续使用后不会结瘤。采用本发明氧化物靶材制得的氧化物薄膜表面粗糙度低，且导电性和光透过率好，具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN115418618A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211101171.4
申请日：2022-09-09
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/24 , C04B35/457 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种氧化铟锡锌靶材、氧化物薄膜及其制备方法与应用。本发明的氧化铟锡锌靶材包含In、Sn、Zn、O，以原子摩尔比计In：Sn：Zn＝0.6988：M+N：N，其中，所述M满足0＜M≤0.0199；所述N满足0＜N＜0.33945；所述氧化铟锡锌靶材的相对密度大于99％。采用本发明的氧化铟锡锌靶材制得的氧化物薄膜表面粗糙度低，相对于氧化铟锡靶材其膜层透过率和电阻无显著性变化，具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN112531045A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011363640.0
申请日：2020-11-27
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池及其应用，本发明的异质结太阳能电池，将经RPD工艺镀膜后的TCO膜层表面进行等离子轰击，可以提高TCO膜层的粗糙度及表面积，提高聚氨酯银浆与TCO膜层的结合，即可提高两者的结合力，也可有效改善两者的接触面积，从而提高电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN112366232A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011130523.X
申请日：2020-10-21
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用，包括依次层叠TCO‑I膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO‑II膜层；其中，TCO‑I膜层的厚度小于TCO‑II膜层的厚度。本发明结构的异质结太阳能电池能够实现在不增加银用量的前提下，通过优化正反面的TCO的膜厚，实现更优的电池转化效率。
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公开(公告)号：CN112216747A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011003906.0
申请日：2020-09-22
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用，包括依次层叠的TCO‑I膜层、TCO‑II膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO‑III膜层、TCO‑IV膜层；其中，所述TCO‑II膜层的功函数高于TCO‑I膜层的功函数且TCO‑IV膜层的功函数高于TCO‑III膜层的功函数。本发明结构的异质结太阳能电池能够有效改善异质结太阳能电池接触电阻，解决了传统异质结电池中不同类型的界面之间的接触电阻高的问题。
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公开(公告)号：CN117096244A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310988767.9
申请日：2023-08-08
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法与应用。涉及LED芯片技术领域。上述LED芯片，包括相互连接的I区结构与II区结构：其中，I区结构包括：衬底；缓冲层；N‑GaN层；量子阱层；P‑GaN层；透明导电层a；透明导电层b；第一钝化层；P型电极；其中，II区结构包括与I区结构共用的衬底、缓冲层和N‑GaN层；所述N‑GaN层的上表面设有第二钝化层，所述第二钝化层与所述量子阱层连接；所述第二钝化层中设有N型电极。本发明通过调控透明导电层a和透明导电层b之间的功函数差异，以适配P‑GaN和P型电极膜，降低TCO薄膜与它们之间的接触电阻，使该芯片具有高的发光效率。
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公开(公告)号：CN113964228B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202110182072.2
申请日：2021-02-08
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/20
摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用，该异质结太阳能电池包括依次层叠的TCO‑I膜层，N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层和TCO‑III膜层，其中，TCO‑I膜层为氧化锡含量1wt％～4wt％的ITO，TCO‑III膜层为氧化锡含量≥10wt％的ITO。由于羧基的存在会与TCO膜层中的氧化铟反应，而本发明的异质结太阳能电池，TCO‑I膜层中，二氧化锡的含量为1wt％～4wt％，TCO‑III膜层中，二氧化锡的含量≥10wt％，能有效减少羧基与TCO膜层中氧化铟的反应，避免TCO膜层的腐蚀和TCO膜层与印刷银浆的接触电阻被升高。TCO‑I膜层的氧化锡含量为1wt％～4wt％，兼顾了羟基腐蚀和光的透过率，效果最优。
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公开(公告)号：CN113410362B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110573499.5
申请日：2021-05-25
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法与应用，该LED芯片包括底层，所述底层表面设有N型半导体层(3)；所述N型半导体层(3)分为第一区域和第二区域；所述第一区域表面设有中间层；所述中间层表面设有P型透明导电层；所述P型透明导电层和第二区域表面设有顶层；其中，所述P型透明导电层由包括SnO2复合材料和Cu2O复合材料的一种；所述SnO2复合材料包括SnO2与In2O3；所述Cu2O复合材料包括Cu2O与NiO。本发明通过在外延片的表面沉积P型透明导电层，提高了P型透明导电层中“空穴”向外延片的注入效率，降低了LED芯片正向电压，提升了LED芯片亮度。
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公开(公告)号：CN115261805A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210872835.0
申请日：2022-07-21
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种平面靶材的绑定方法，属于光电功能材料技术领域。该方法包括以下步骤：S1、将靶材绑定面与背板绑定面依次进行喷砂和等离子清洗；制得表面处理后的靶材和表面处理后的背板；S2、将所述表面处理后的靶材及所述表面处理后的背板升温至170℃～180℃后，进行超声波焊接铟；S3、在步骤S2处理后的背板绑定面上制作3mm～5mm深的铟池；S4、将步骤S2处理后的靶材放入所述铟池中，直至完全浸入铟池；S5、对步骤S4处理后的靶材表面采用超声波进行震动；S6、将步骤S5处理后靶材施加作用力后冷却；S7、将步骤S6处理后靶材拼接缝隙中的铟去除后，再次冷却。本发明的绑定方法最终达到99％以上的贴合率。
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公开(公告)号：CN114807870A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210402600.5
申请日：2022-04-18
申请人： 长沙壹纳光电材料有限公司
IPC分类号： C23C14/32 , C23C14/08 , H01L31/02 , C04B35/01 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种用于RPD的靶材、透明导电薄膜及其制备方法与应用，该靶材由基体和分散在所述基体中的硅元素组成；所述基体由以下质量分数的制备原料组成：三氧化二铟93％～98.5％、二氧化铈1％～6％和二氧化锡0.1％～2％；所述靶材中硅元素的质量浓度为5ppm～200ppm。本发明的靶材在连续镀膜过程下，不会造成裂纹、破裂或者喷溅的产生其结果，可连续稳定地获得低的电阻率和高的红外光透射率的晶质的透明导电膜；同时在铈元素的基础上添加了锡元素，获得的靶材具有更好的导电特性，提升了太阳能电池的转化效率。
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