-
公开(公告)号：CN110429916B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201910619751.4
申请日：2019-07-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于高速接口系统中的高性能限幅放大器，主要解决现有技术中晶体管电子迁移率随温度变化导致放大器的带宽和摆幅发生变化的问题。其包括：负载偏置电路、限幅放大器核心电路和尾电流产生电路。其中，负载偏置电路用来产生高偏置电压，提高限幅放大器输出摆幅；限幅放大器由四级级联构成，用于对输入差分信号的放大，并通过有源电感峰化技术提高限幅放大器的带宽；尾电流产生电路同时产生恒定摆幅电流和恒定带宽电流，并根据温度的变化来自动选择两者中的较大者，以同时提高限幅放大器的带宽和摆幅的温度特性。本发明在各种电源电压和温度下均具有稳定的增益、摆幅和带宽，可用于高速接口系统中。
-
公开(公告)号：CN115116839A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210896686.1
申请日：2022-07-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/285 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅衬底高介电常数的栅介质材料的制备方法，主要解决传统材料介电常数低，热稳定性及界面性能差的问题。其自下而上包括SiC衬底和高k介质层，所述高k介质层采用由AlN薄层和HfO2/Al2O3交替叠层组成的复合结构，其中AlN薄层的厚度为10～11nm；HfO2/Al2O3交替叠层采用一层或多层，其位于AlN薄层的上方，且Al2O3层与AlN薄层相接触，总厚度为36～40nm，整个材料采用等离子体增强原子层沉积方法制备。本发明具有介电常数高，热稳定性好，界面质量好，薄膜致密性和台阶覆盖性好，表面粗糙度小的优点，可用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电介质膜。
-
公开(公告)号：CN114974353A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210396978.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明公开了一种基于动态ECC的抗单粒子翻转加固方法及系统，该方法包括：设置系统状态；当系统需要存入数据时：若系统为ECC关闭状态，则将原始CPU数据写入第一存储器；若系统为ECC开启状态，则将原始CPU数据写入第一存储器的同时，将根据当前ECC保护模式对原始CPU数据生成的校验码写入第二存储器中对应的存储单元；当系统需要读取数据时：若系统为ECC关闭状态，直接读取第一存储器中的原始CPU数据；若系统为ECC开启状态，则分别读取第一存储器中的原始CPU数据和第二存储器中的校验码，并利用校验码对原始CPU数据进行处理，并输出处理后的CPU数据。本发明提供的抗单粒子翻转加固方法可以在多种ECC模式中切换，在系统在面对不同的应用场景时更加灵活。
-
公开(公告)号：CN114598318A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210109340.2
申请日：2022-01-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03L7/085 , H03L7/089 , H03L7/093 , H03L7/18 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子辐射的电荷泵锁相环加固结构，其特征在于，所述电荷泵锁相环加固结构包括：鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器、压控振荡器和分频器；在电荷泵与滤波器之间设有单粒子瞬态效应抑制电路；所述单粒子瞬态效应抑制电路中包括衰减电路、补偿电路、控制电路和选择电路。本发明能够减小甚至抑制单粒子轰击对滤波器输出电压的影响。
-
公开(公告)号：CN113794474A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110939571.1
申请日：2021-08-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明提供的一种基于IBIS模型评估DAC抗扰性能的测试方法，通过获取数模转换DAC芯片IBIS电路模型；基于DAC芯片IBIS电路模型，建立在两种工作模式下测试DAC芯片的测试电路；当在两种工作模式下的测试电路分别测试DAC芯片时，获得加EFT信号干扰的测试结果和不加EFT信号干扰的测试结果；将加EFT信号干扰的测试结果与不加EFT信号干扰的测试结果进行对比，获得DAC芯片的抗干扰性能。因此本发明可以有效地对型号为AD5761R/AD5721R的DAC芯片抗EFT能力进行测试，有利于快速找到满足防护需求的芯片，进而减少设计成本和开发周期。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113611735A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110893933.8
申请日：2021-08-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于SOI工艺的堆叠层栅极MOS场效应管及制备方法，主要解决常规器件可靠性差的问题。其自下而上包括：N型衬底层(1)、隐埋氧化层(2)、体区(3)、栅氧化层(8)、氮化硅阻抗层(9)和多晶硅层(10)；体区(3)两侧是浅槽隔离结构(4)；多晶硅层(10)两侧是Si3N4侧墙(11)；Si3N4侧墙(11)下方是轻掺杂源漏区(5)；轻掺杂源漏区(5)左侧与浅槽隔离结构(4)右侧之间是源极有源区(7)，轻掺杂源漏区(5)右侧与浅槽隔离结构(4)左侧之间是漏极有源区(6)。本发明由于引入了氮化硅阻抗层，有效地抑制器件中的NBTI效应，提高了器件可靠性，可用于制作半导体集成电路。
-
公开(公告)号：CN113239602A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110336380.6
申请日：2021-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/25 , G06F111/08 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于蒙特卡洛方法的SRAM单粒子翻转截面预测方法，包括：建立器件模型；根据器件模型建立SRAM电路；对SRAM电路的器件模型沿长度方向进行均匀划分以建立复合敏感体；获取SRAM电路在复合敏感体的不同入射位置和不同入射深度使SRAM电路发生翻转的LET阈值；基于LET阈值，根据预设数量的入射粒子入射复合敏感体得到使SRAM电路发生翻转的粒子数占比；根据使SRAM电路发生翻转的粒子数占比得到器件模型在不同入射能量下的翻转截面分布传递曲线。本发明进行器件单粒子蒙特卡洛仿真并且测定翻转截面的方法，模拟粒子间的相互作用，并计算能量吸收与碰撞等核物理过程，完成粒子随机过程仿真，通过进行多粒子轰击，完成随机过程的翻转截面统计。
-
公开(公告)号：CN112067926B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010933410.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/00 , G01R31/3181
Abstract: 本发明公开一种检测MCU芯片抗EFT干扰能力的电路及方法，本发明搭建了一个专门用于检测MCU抗EFT干扰能力的电路，利用该电路中第一直流电压源V1产生的线性直流电压信号驱动待检测MCU产生无EFT干扰时的输出波形，设计EFT干扰信号源参数，由线性直流电压信号驱动EFT干扰信号源产生EFT干扰信号，将线性直流电压信号与EFT干扰信号相加后驱动待检测MCU产生有EFT干扰时的输出波形，通过对比无EFT干扰信号与有EFT干扰信号时的输出波形，评估待检测MCU的抗EFT干扰能力。本发明EFT干扰信号源参数的设计更加符合工程实际情况，对MCU抗EFT干扰能力的评估更准确。
-
公开(公告)号：CN107194090B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710388322.1
申请日：2017-05-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面预估方法，其技术方案是：根据电路的系统功能编制地面全功能试验程序，按照占空因子相等，辐射效应类型相同和物理版图可划分的原则，将电路划分成多个模块，并求出各模块的在地面加速试验条件下的占空因子；根据整个电路的单粒子错误率截面与各模块的单粒子本征错误截面、占空因子的相关性，建立单粒子错误率截面预估模型；通过该模型能对抗辐照复杂集成电路的空间应用程序下抗辐照性能做出预估；根据各模块的最大占空因子对地面最劣的单粒子错误率截面进行预估，实现对抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面的预估计，为抗辐照复杂集成电路的空间工程应用选型提供参考依据。
-
公开(公告)号：CN111443504A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010176198.4
申请日：2020-03-13
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种中红外电压可调节滤波器及其制备方法、滤波方法，该中红外电压可调节滤波器包括衬底层；夹层结构层，位于所述衬底层上，其中，所述夹层结构层自下而上依次包括第一石墨烯层、六方氮化硼层和第二石墨烯层，所述第一石墨烯层的一端具有第一延伸部，所述第一延伸部表面镀有第一金属膜，所述第二石墨烯层的一端具有第二延伸部，所述第二延伸部的表面镀有第二金属膜；包层，位于所述夹层结构层上。该中红外电压可调节滤波器可以在中红外波段进行滤波，滤除空间中的噪声信号等干扰信号，允许中红外波段中的一部分波通过，避免了干扰信号对信息传递产生不利影响。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
130
records
(took 0.031 seconds)
