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发明公开
基于SOI工艺的堆叠层栅极MOS场效应管及制备方法无效

公开(公告)号：CN113611735A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110893933.8

申请日：2021-08-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 , 杨亚芳 , 陈树鹏 , 王树龙

IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种基于SOI工艺的堆叠层栅极MOS场效应管及制备方法，主要解决常规器件可靠性差的问题。其自下而上包括：N型衬底层(1)、隐埋氧化层(2)、体区(3)、栅氧化层(8)、氮化硅阻抗层(9)和多晶硅层(10)；体区(3)两侧是浅槽隔离结构(4)；多晶硅层(10)两侧是Si3N4侧墙(11)；Si3N4侧墙(11)下方是轻掺杂源漏区(5)；轻掺杂源漏区(5)左侧与浅槽隔离结构(4)右侧之间是源极有源区(7)，轻掺杂源漏区(5)右侧与浅槽隔离结构(4)左侧之间是漏极有源区(6)。本发明由于引入了氮化硅阻抗层，有效地抑制器件中的NBTI效应，提高了器件可靠性，可用于制作半导体集成电路。

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