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公开(公告)号：CN101083259A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710106713.6
申请日：2007-05-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 木岛健
CPC classification number: H01L28/65 , H01L27/11502 , H01L28/56
Abstract: 本发明提供一种可靠性良好的铁电体电容器及其制造方法。铁电体电容器(1OO)包括：基板(20)；形成于所述基板(20)的上方的第一电极(22)；形成于所述第一电极(22)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)O3表示的复合氧化物构成的第一铁电体层(24)；形成于所述第一铁电体层(24)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)1－XNbXO3表示的复合氧化物构成的第二铁电体层(26)；以及形成于所述第二铁电体层(26)上方的第二电极(30)。
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公开(公告)号：CN1311542C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410030183.8
申请日：2004-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L27/10 , H01L41/08
CPC classification number: H01L27/11502 , C01G33/006 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01B1/08 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11507 , H01L28/57 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，首先，在基体上形成下部电极。然后，在下部电极上，形成由含有Pb、Zr、Ti及Nb的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜，在强电介质膜上形成上部电极。然后，以覆盖下部电极、强电介质膜及上部电极的方式，形成保护膜，至少在形成保护膜后，进行使PZTN复合氧化物结晶化的热处理。
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公开(公告)号：CN1269215C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN02803498.8
申请日：2002-09-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 铁电存储装置包括第1电极102、在与第1电极(102)交叉的方向排列的第2电极(103)、至少配置于第1电极(102)和第2电极(103)的交叉区域的铁电体膜(101)。采用第1电极(102)、铁电体膜(101)及第2电极(103)构成的电容器呈矩阵状配置。铁电体膜(101)是铁电相和顺电相混合存在而构成的。
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公开(公告)号：CN1266746C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200410028749.3
申请日：2004-03-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/469 , C23C16/00 , H01L27/10
CPC classification number: H01L21/02197 , C23C16/409 , C30B25/02 , C30B29/32 , H01L21/02271 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种强电介质膜的形成方法，利用有机金属气相生长法，用来在由Pt构成的金属膜上形成由PZT系复合氧化物构成的强电介质膜，其中，首先开始供给Pb原料，在上述金属膜上形成Pb与Pt的合金膜；接着开始供给Ti原料，在上述合金膜上形成由PbTiO3构成的复合氧化物的初期结晶核；然后开始供给Zr原料，在上述初期结晶核的上部形成PZT系复合氧化物的结晶生长层。
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公开(公告)号：CN1706007A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200380101906.2
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种由AB1－XNbXO3的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中至少一中以上构成。并且，该强电介质膜在0.05≤x＜1的范围内含有Nb。该强电介质膜也可用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器任一中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1535935A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410033075.6
申请日：2004-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C04B35/628 , C04B35/462 , H01L27/10
CPC classification number: H01L21/02282 , H01L21/02197 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L28/65 , Y10T428/24926
Abstract: 一种陶瓷材料的涂覆方法，通过旋转涂覆在基体上涂覆含有复合氧化物的陶瓷材料而形成涂覆膜，其中包含在规定转数下，使前述的基体旋转的第1旋转工序、在小于前述第1旋转工序的转数下，使前述基体旋转的第2旋转工序以及在大于前述第2旋转工序的转数下，使前述基体旋转的第3旋转工序。
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公开(公告)号：CN1535934A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410033074.1
申请日：2004-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C04B35/628 , C04B35/462 , H01L27/10
CPC classification number: C23C18/1208 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/491 , C04B35/624 , C04B35/63 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3298 , C04B2235/408 , C23C18/1254
Abstract: 一种涂覆用陶瓷材料的制备方法，其中，包括在铂族元素催化剂的存在下，搅拌含有复合氧化物的原材料的工序。原材料是含有选自复合氧化物的水解物和缩聚物中至少一种的溶胶·凝胶原料。
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公开(公告)号：CN1531036A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410039800.0
申请日：2004-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L27/10
CPC classification number: C04B35/491 , C04B2235/65 , C04B2235/658 , C23C18/12 , C23C18/1208 , C23C18/1279
Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括：准备在基体上涂布了含有复合氧化物的原材料体的被处理体的工序；以及将被处理体保持在容器内，通过在加压到2个大气压或1个大气压以上并且至少含有氧化性气体的处理气体中，在规定的压力下进行热处理，使原材料体结晶化的工序，处理气体在被加热到预定温度后，供给上述容器。
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公开(公告)号：CN1505117A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310119519.3
申请日：2003-12-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L28/55 , H01L21/31122 , H01L21/32136 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明提供一种氧化物薄膜、强电介体薄膜的制造方法、强电介体薄膜、强电介体存储元件、强电介体压电元件。本发明使用超临界流体形成强电介体膜。超临界流体例如是包含强电介体的构成元素的临界压力以上且在4倍临界压力以下的流体。
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