公开(公告)号：CN104684968A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380049625.0

申请日：2013-07-15

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 宋炫知 ,  朴银秀 ,  林相学 ,  郭泽秀 ,  金古恩 ,  金美英 ,  金补宣 ,  金奉焕 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  尹熙灿 ,  李汉松 ,  田钟大 ,  韩权愚 ,  洪承希 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/38 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08 ,  H01B3/46

CPC classification number: C08G77/54 ,  C08G77/60 ,  C08G77/62 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01B3/02 ,  H01B3/303 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0229 ,  H01L21/02326

Abstract: 本发明揭示了一种藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备的改质氢化聚硅氧氮烷。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。

公开(公告)号：CN102874813A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210241251.X

申请日：2012-07-11

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 朴银秀 ,  金奉焕 ,  林相学 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C01B33/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: C08G77/62 ,  C01B21/087 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。

公开(公告)号：CN102585516A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110425397.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 林相学 ,  金奉焕 ,  吴正堈 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C08L83/14 ,  C08G77/54 ,  H01L21/31 ,  H01L27/108

CPC classification number: C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。 、 如下所示。

公开(公告)号：CN101370854B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200780002634.9

申请日：2007-01-15

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙燦 ,  金相均 ,  林相学 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金旼秀 ,  尹敬皓 ,  南伊纳

IPC: C08G77/00 ,  C08G77/02 ,  C08G77/08 ,  C08G77/06

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/20 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  H01L21/3121

Abstract: 根据本发明的一些实施方式，本发明提供了有机硅烷聚合物，该有机硅烷聚合物是通过使含有(a)至少一种式(I)的化合物Si(OR1)(OR2)(OR3)R4，其中R1、R2和R3可以各自独立地为烷基，且R4可以为-(CH2)nR5，其中R5为芳基或取代的芳基，且n可以为0或正整数；和(b)至少一种式(II)的化合物Si(OR6)(OR7)(OR8)R9，其中R6、R7和R8可以各自独立地为烷基或芳基，且R9可以为烷基的有机硅烷化合物反应而制备得到的。还提供了含有本发明实施方式的有机硅烷化合物或其水解产物的硬掩模组合物。还提供了使用本发明实施方式的硬掩模组合物制备半导体装置的方法，和由该硬掩模组合物制成的半导体装置。

公开(公告)号：CN101042533B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710007513.5

申请日：2007-01-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  尹熙灿 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金钟涉 ,  金相均 ,  林相学

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物，该组合物含有通过一种或多种式(I)化合物的反应所制备的有机硅烷聚合物，其中，R1、R2和R3可以各自独立地为烷基、乙酰氧基或肟；且R4可以是氢、烷基、芳基或芳烷基；并且其中有机硅烷聚合物具有大约1.1至大约2的多分散性。Si(OR1)(OR2)(OR3)R4 (I)

公开(公告)号：CN101506941A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200680055586.5

申请日：2006-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  林相学 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  金到贤

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明公开了一种用于处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。这种硬掩模组合物含有：(a)由[RO]3Si－R′(1)表示的化合物制备的含烷氧基有机硅烷聚合物(其中R是甲基或乙基，而R′是取代或未取代的环状或无环烷基)，或由式1的化合物和[RO]3Si－Ar(2)表示的化合物(其中R是甲基或乙基，而Ar是含芳环官能团)制备的含烷氧基有机硅烷聚合物；和(b)溶剂。该硬掩模组合物具有优良的膜特性。另外，该硬掩模组合物表现出优良的硬掩模特性，由此能够把好的图案有效地转印到材料层。特别地，该硬掩模组合物在储存期间是高度稳定的。进而本申请还公开了一种用于采用该硬掩模组合物生产半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN101449207A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200680054744.5

申请日：2006-12-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  林相学 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金旼秀 ,  邢敬熙 ,  南伊纳

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明披露了一种抗反射硬掩膜组合物，其具有对于光刻工艺有用的抗反射性能。该硬掩膜组合物提供了优异的光学性能、优异的机械性能以及高的蚀刻选择性。另外，该硬掩膜组合物可以通过旋涂技术容易地施用。有利地，该硬掩膜组合物适用于短波长光刻工艺，并具有最小的剩余酸含量。