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公开(公告)号：CN108063185B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201711452824.2
申请日：2017-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及半导体存储器及其制造技术领域，具体涉及一种三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列制备方法。本发明选用忆阻薄膜材料为单晶薄膜材料，采用聚合物进行晶圆键合，代替传统离子注入剥离法常用的SiO2亲水性键合，结合局部Ar+离子注入对交叉阵列进行氧空位掺杂，再通过多次键合剥离的步骤，最终获得具有三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列，每一步键合剥离的过程均不需要额外制备SiO2或Si3N4钝化层对交叉阵列进行隔离保护，省去化学机械抛光的过程，简化工艺流程。本发明相对现有三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列制备工艺，降低了工艺难度，并简化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN106910822A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710163651.6
申请日：2017-03-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于电子薄膜与元器件技术领域，具体为一种阻变薄膜存储器及其制备方法。本发明通过控制离子注入的区域进而在与光刻掩膜一致的图形范围内引入缺陷，将在阻变行为中起关键作用的导电细丝的生长控制在预定范围内，从而大大提高阻变单元阻变性能的可控性和不同阻变单元之间性能的一致性。而且离子注入区域的形状、大小、数量和位置均可调控，以便在未注入区域实现其它功能。本发明可以很好地调控阻变单元的性能，提升阻变单元阻变的性能，同时提高同一薄膜上不同阻变单元的一致性，可以制备出性能优越可控、制作工艺简单、一致性好的具有广泛应用性的导电细丝型阻变存储器。
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公开(公告)号：CN106209001A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610489078.3
申请日：2016-06-29
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02039 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，具体涉及一种基于单晶铌酸锂薄片压电材料的薄膜体声波谐振器，以及该谐振器的制备方法。本发明用于克服现有薄膜体声波谐振器机电耦合系数过低的缺陷，该薄膜体声波谐振器包括Si衬底，于Si衬底上形成的图形化键合胶支撑层，于键合胶支撑层上设置的单晶铌酸锂薄片，于键合胶间隙中设置的下电极层附着于铌酸锂薄片下表面，于铌酸锂薄片上表面形成上电极层，所述上电极层、下电极层对应设置。该薄膜体声波谐振器既能满足高频率，也能保持极大的机电耦合系数，能够达到43％，从而极大的提高了器件传输频率带宽；且该谐振腔结构简单、加工重复性好，能够获得一致性良好的大规模线列和阵列器件。
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公开(公告)号：CN115605026B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211288678.5
申请日：2022-10-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子器件领域，具体涉及一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件。本发明基于缺陷分布对阻变方向进行调控，发明了一种新的无源忆阻交叉阵列器件，通过对忆阻交叉阵列中相邻两行忆阻单元输入相反极性的读电压直接进行权重差分。本发明大幅降低了外围电路的复杂度，不再需要依赖减法电路进行权重差分；同时，也不再依赖三极管进行多阻态设置，通过不同的外部电压脉冲刺激，可分别在相反的读电压下读取多个稳定且可区分的电阻状态，进一步降低了外围电路的复杂度，这使得整个系统的能耗将进一步降低。本发明大幅降低了整个神经网络计算过程的能耗，可直接用于后续基于忆阻器的神经网络计算中。
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公开(公告)号：CN118157622A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410366776.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种嵌入式的声表面波谐振器；该谐振器包括：衬底、压电材料、第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器；压电材料设置在衬底上，第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器设置在压电材料表面或部分嵌入压电材料中，声反射器均设置在压电材料上；压电材料上表面为一斜坡；本发明可提升声表面波谐振器的功率耐受程度，降低叉指电极带来的质量负载效应程度，同时能一定程度提升机电耦合系数、品质因数，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109657787B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201811552899.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种二值忆阻器的神经网络芯片。本发明利用忆阻器具有的开关比，即存在高低两种阻态，与二值化神经网络结合起来以在不同材料的忆阻器上完成存储和运算，并将其与中央处理器结合，以提高神经网络的计算效率和速度。除执行神经网络算法外，本发明还可利用二值化神经网络架构进行类似于FPGA的现场编程；即输入经过特殊编码处理的数据流，对照其应输出结果按照二值化神经网络的方法进行现场学习，当正确率达到100％时即停止学习，该网络即可执行对应功能。
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公开(公告)号：CN113465635A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110646862.1
申请日：2021-06-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01D5/16
Abstract: 本发明为一种信号转换装置，具体涉及一种传感器与神经网络计算单元信号转换的装置，基于忆阻器可编程负微分电阻效应。本发明中，通过由传感器输出信号引起的忆阻器中导电离子状态变化对忆阻器输出的负微分电阻信号进行编程，进而基于可编程的负微分电阻效应实现对传感信号直接且定量的转换。在纳米尺度上，通过单一器件连接的方式，无源的忆阻器直接将传感器信号转换成模拟状态的电流信号，不再需要进行模拟信号与数字信号之间的转换。一方面，可以提高信号转换接口的集成度；另一方面，能够通过省去模数转换(A/D)和数模转换(D/A)过程降低能量消耗和信号延迟。
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公开(公告)号：CN106098937B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610704333.1
申请日：2016-08-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法，属于电子薄膜与元器件技术领域。存储器件结构包括：基片、下电极、掺氟金属氧化物以及上电极。该器件利用一种较为新颖的等离子体处理方法，方便可控的制备出缺陷分布均匀的金属氧化物阻变功能层。该层在电场作用下能够方便快速的实现导电通道的形成和断开切换，即器件的低阻状态和高阻状态。同时，具有超低的工作电压。上电极通过掩膜的方法制备，可以极大地缩小器件尺寸，提高集成密度。经过测试发现，用此方法制备出的器件，性能优异。综上所述，在本发明中，我们实现了一种简单、可控、高效切低成本的制备高性能、小尺寸的阻变型存储器的方法。且性能一致性较好，为将来的大面积阻变阵列生产提供了一个可行方法，有极大地应用前景。
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公开(公告)号：CN106209002A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610494499.5
申请日：2016-06-29
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02039 , H03H9/02086 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法，该薄膜体声波谐振器包括Si衬底，于Si衬底上相键合的Si键合层，于Si键合层上设置单晶铌酸锂薄片，所述Si键合层上表面开设空腔，对应设置于空腔内的下电极附着于单晶铌酸锂薄片下表面，于单晶铌酸锂薄片上表面设置上电极，所述上电极与下电极对应设置。本发明谐振器采用单晶铌酸锂薄片作为压电层，能够便捷精确的控制压电层晶格取向，显著提升谐振器的谐振频率和机电耦合系数等性能，同时，利用单晶铌酸锂薄片作为器件支撑结构，有效避免电极支撑带来的性能损害，进一步提升器件性能；并且本发明谐振器结构简单，加工重复性好，能够获得一致性良好的大规模线列和阵列。
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公开(公告)号：CN106160691A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610528353.8
申请日：2016-07-05
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03H9/02661 , H03H3/04 , H03H2003/023 , H03H2003/0414
Abstract: 本发明涉及SAW器件制造领域，具体涉及一种基于Si基的高频SAW器件及其制备方法。该高频SAW器件为多层膜结构，从下至上依次包括Si基、高声速层、压电层和叉指换能器。Si基的背面设置有沟槽，从而使声表面波的传播局限在高声速层内，以提高该器件的中心频率。该结构的SAW器件是多层膜结构，可满足高频、高机电耦合系数以及集成电路领域的应用需求。压电层选用压电薄膜时相比于压电单晶材料易于集成，可应用于半导体工业中。
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