一种两次刻蚀单多晶硅的高功率BCD工艺

    公开(公告)号:CN101431057A

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200810147817.6

    申请日:2008-12-11

    Abstract: 一种两次刻蚀单多晶硅的高功率BCD工艺,属于半导体器件及集成电路,具体涉及BCD器件的制造方法。包括衬底预氧、NBL、PBL;外延生长;ISO;Nsink;PCH和NCH注入;栅氧化层生长;PBASE、PBODY1和PBODY2区硼注入;多晶硅参杂;刻出VDMOS以外的多晶硅;NLDD;NSD、PSD等步骤。本发明采用淀积一次多晶硅,两次刻蚀多晶硅后进行多晶硅掺杂的方法避免了多晶后续工艺的高温过程中多晶硅中的掺杂离子对栅氧及沟道区的影响,解决了热过程中栅氧易被破坏的难题。可在单一芯片上集成包括高压VDMOS、高压PMOS、高压NPN、高压PNP、低压NPN、衬底PNP、横向PNP、低压NMOS、低压PMOS、低压二极管、高压二极管、齐纳二极管以及各类电容电阻在内的多种器件。具有高功率、集成器件多、工艺易于实现、器件性能稳定和兼容性好的特点。

    一种基于生物电阻抗的腰围测量仪

    公开(公告)号:CN215128633U

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN202120718804.0

    申请日:2021-04-09

    Abstract: 本实用新型公开一种基于生物电阻抗的腰围测量仪,由恒流源产生电路、信号采集电路、信号放大电路、信号调理电路、幅相检测电路、AD数据采集电路、微处理器和数据处理平台组成;数据处理平台内置有基于BP神经网络的腰围测量模型。本实用新型主要用于腰围测量,相较于传动机械卷尺的测量方式,基于电阻抗的测量方式能够消除机械卷尺测量时的由于拉紧力度不同,以及位置的不同所带来的误差。

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