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公开(公告)号：CN102484028A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080027722.6
申请日：2010-06-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 威尔汉·P·普拉托 , 奈尔·J·巴森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 奎格·R·钱尼
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J49/10 , H01J27/02 , H01J9/38
CPC classification number: H01J49/10 , H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2209/017 , H01J2237/022 , H01J2237/05 , H01J2237/30466
Abstract: 在离子植入机中，利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高，且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉，此信号便将变平并保持恒定，藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。
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公开(公告)号：CN102113094A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130611.5
申请日：2009-06-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/024 , H01J2237/0458 , H01J2237/061
Abstract: 在离子源腔室的清洁过程中，定位于所述离子源腔室外部的电极包含抑制插塞。当将清洁气体引入至所述源腔室中时，所述抑制插塞可与所述源腔室的提取孔啮合，以便调整所述腔室内的气压，从而经由等离子增强化学反应而增强腔室清洁。可在清洁过程期间调整所述源腔室孔与所述抑制插塞之间的气体传导率，以便提供最佳清洁条件并排出不当沉积物。
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公开(公告)号：CN101589449B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200880002948.3
申请日：2008-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾力克斯恩德·S·培尔 , 奎格·R·钱尼
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/00 , H01J37/32 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J37/32412 , H01J2237/006 , H01J2237/082 , H01L21/265
Abstract: 揭示一种具有气体稀释的离子源(202a)的改善效能并延长生命期的技术。在一特定例示性实施例中，此技术可被实现为一种具有气体稀释的离子注入机中的离子源的改善效能并延长生命期的方法。此方法可包含：将预定量的掺杂气体释放至离子源腔室(206)中，及将预定量的稀释气体释放至离子源腔室中。所述掺杂气体为含卤素气体。稀释气体可包含用于稀释掺杂气体以改善离子源的效能并延长其生命期的含氙气体与含氢气体的混合物。
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公开(公告)号：CN111699541B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201980012729.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/16
Abstract: 本公开阐述一种用于判断半导体制造系统中的组件是否被授权在此系统中使用的方法及装置，更具体而言，公开一种离子植入系统。通过在组件中嵌入识别特征，控制器可判断此组件是否有资格在系统中使用。在检测到未授权的组件时，系统可向用户报警、或者在某些实施例中，停止操作系统。这种识别特征利用增材制造工艺嵌入到组件中，所述增材制造工艺允许识别特征嵌入到组件中而不使识别特征经受极端温度。
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公开(公告)号：CN111902904B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201980021860.4
申请日：2019-02-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼 , 亚当·M·麦劳克林 , 詹姆士·A·萨金特 , 约书亚·M·阿比沙斯
IPC: H01J37/09 , H01J37/317
Abstract: 公开一种包括多个箔层的箔衬垫及离子源。所述箔层可各自为堆叠在彼此顶部的导电材料。相邻箔层之间的间隔可生成热梯度，使得等离子体的温度比离子源室的温度热。在其他实施例中，可组装箔层以吸收来自等离子体的热量，使得等离子体比离子源室的温度冷。在一些实施例中，在一个或多个箔层上设置间隙或突起以影响热梯度。在某些实施例中，一个或多个箔层可由绝缘材料构成以进一步影响热梯度。箔衬垫可易于在离子源室内组装、安装及更换。
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公开(公告)号：CN111279451B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880069665.4
申请日：2018-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/16 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种利用通过密度的变化来控制热梯度及热能流的构件的系统，特别是公开一种离子植入系统、离子植入设备及抽取板。本发明还公开制作所述构件的方法。所述构件是使用加成制造来制造。这样一来，可视需要来定制构件的不同区的密度。举例来说，可在构件的区的内部中形成格构图案，以减小所使用的材料量。这减小重量并且还降低所述区的导热性。通过使用低密度区及高密度区，可控制热能流以适应设计约束。
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公开(公告)号：CN111448638B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201880079272.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾力克斯恩德·S·培尔 , 大卫·P·斯波德莱 , 亚当·M·麦劳克林 , 奎格·R·钱尼 , 奈尔·J·巴森
Abstract: 公开一种可动态地调整面板温度的离子源及其设备。本发明公开一种用于使离子源的面板的温度变化的系统及方法。所述面板是通过多个紧固件而被抵靠离子源的腔室壁进行固持。这些紧固件可包括拉伸弹簧或压缩弹簧。通过改变拉伸弹簧或压缩弹簧在承受载荷时的长度，可增大弹簧的弹簧力。弹簧力的此种增大会增大面板与腔室壁之间的压缩力，从而形成改善的导热性。在某些实施例中，通过电子长度调整器来调节弹簧的长度。此电子长度调整器与控制器进行通信，所述控制器输出指示弹簧的所需长度的电信号。本发明公开用于调整弹簧的长度的各种机构。
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公开(公告)号：CN111448638A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079272.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾力克斯恩德·S·培尔 , 大卫·P·斯波德莱 , 亚当·M·麦劳克林 , 奎格·R·钱尼 , 奈尔·J·巴森
Abstract: 本发明公开一种用于使离子源的面板的温度变化的系统及方法。所述面板是通过多个紧固件而被抵靠离子源的腔室壁进行固持。这些紧固件可包括拉伸弹簧或压缩弹簧。通过改变拉伸弹簧或压缩弹簧在承受载荷时的长度，可增大弹簧的弹簧力。弹簧力的此种增大会增大面板与腔室壁之间的压缩力，从而形成改善的导热性。在某些实施例中，通过电子长度调整器来调节弹簧的长度。此电子长度调整器与控制器进行通信，所述控制器输出指示弹簧的所需长度的电信号。本发明公开用于调整弹簧的长度的各种机构。
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公开(公告)号：CN108475606A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079582.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J27/205 , H01J27/022 , H01J27/024
Abstract: 间接加热式阴极(IHC)离子源包括具有位于相对的两个端部上的阴极及斥拒极的离子源室。离子源室由具有非常低的导电率的陶瓷材料构造而成。导电衬垫可被插入至离子源室中且可覆盖离子源室的三个侧。衬垫可电连接至含有提取孔的面板。阴极与斥拒极的电连接穿过陶瓷材料中的孔。这样一来，由于不存在起弧的风险，因此，孔可尽可能地被制作成比原本小。在某些实施例中，电连接被模制至离子源室中或被压配合于孔中。此外，用于离子源室的陶瓷材料更耐用且向所提取离子束引入的污染物更少。
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公开(公告)号：CN104737267A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054224.4
申请日：2013-09-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32477 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 揭示一种用于电浆离子源的射频(RF)天线。射频天线包括具有内径及外径的低阻值的金属管，也具有内径及外径的低摩擦的高分子管包围低阻值的金属管，高分子管的内径略为大于低阻值的金属管的外径。预成形石英玻璃管套住低摩擦的高分子管及低阻值的金属管。石英玻璃管以所要形状预成形。在低阻值的空心金属管的一末端内附着一导引线。将包含低阻值的空心金属管的弹性、低摩擦的高分子管接着穿入石英玻璃管。
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