公开(公告)号：CN102498542A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080038691.4

申请日：2010-09-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 山田永 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二 ,  高木秀树 ,  卜部友二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而仅在常温下使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。

公开(公告)号：CN102484077A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038652.4

申请日：2010-09-06

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  福原升 ,  高木信一 ,  竹中充 ,  横山正史 ,  安田哲二 ,  卜部友二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/26553 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66522

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0＜x1≤1，0≤y1≤1)，所述第2半导体结晶层是Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，y2≠y1)，所述第1半导体结晶层的电子亲和力Ea1比所述第2半导体结晶层的电子亲和力Ea2小。

公开(公告)号：CN102449775A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023680.9

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  板谷太郎

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/0522 ,  H01L27/142 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，具有：含硅的基底基板，和形成在基底基板上，具有露出基底基板表面的开口，用于阻碍结晶生长的阻碍体、和接触被露出于开口内部的基底基板表面，形成在开口内部的光吸收构造体，光吸收构造体具有第1半导体和第2半导体，所述第1半导体包含：第1传导型第1半导体、形成在第1传导型第1半导体的上方，具有与第1传导型第1半导体相反的传导型的第2传导型第1半导体、以及形成在第1传导型第1半导体和第2传导型第1半导体之间，有效载流子浓度比第1传导型第1半导体及第2传导型第1半导体更低的低载流子浓度第1半导体；所述第2半导体包含：与第2传导型第1半导体晶格匹配或准晶格匹配且具有与第2传导型第1半导体相反的传导型的第1传导型第2半导体、以及形成第1传导型第2半导体的上方，具有与第1传导型第2半导体相反的传导型的第2传导型第2半导体、形成在第1传导型第2半导体和第2传导型第2半导体之间且有效载流子浓度比第1传导型第2半导体及第2传导型第2半导体更低的低载流子浓度第2半导体。