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公开(公告)号：CN102430979A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110310658.9
申请日：2011-10-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种抛光液温度控制装置和抛光液输送设备。所述抛光液温度控制装置包括：第一和第二加热容器、第一和第二发热元件、抛光液换热管、第一和第二温度检测器，第一温度检测器邻近第一加热容器的出口，第二温度检测器设在抛光液换热管上且邻近抛光液换热管的出口端；第一温控器，第一温控器分别与第一发热元件和第一温度检测器相连以便根据第一温度检测器的温度检测值控制第一发热元件的发热量；和第二温控器，第二温控器分别与第二发热元件和第二温度检测器相连以便根据第二温度检测器的温度检测值控制第二发热元件的发热量。根据本发明实施例的抛光液温度控制装置可以精确地控制抛光液的温度。
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公开(公告)号：CN101934496B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010246628.1
申请日：2010-08-05
Applicant: 清华大学
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开一种化学机械抛光机，包括：工作平台，抛光盘，修整器和抛光液输送装置，装卸平台，抛光头，机械手，和抛光头支架，所述抛光头支架安装在工作平台上表面上且包括水平基板和支撑侧板，所述水平基板形成有在其厚度方向上贯通的凹槽，所述凹槽在水平基板的纵向一端敞开且朝向水平纵向另一端延伸，所述支撑侧板分别与水平基板相连且分别位于所述凹槽的横向两侧用于支撑水平基板，其中水平基板的所述纵向一端在纵向上延伸超出所述支撑侧板以构成悬臂端，所述悬臂端伸到所述抛光盘的上方。本发明的化学机械抛光机结构简单，加工方便，生产效率高。本发明还提出具有上述化学机械抛光机的化学机械抛光设备。
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公开(公告)号：CN102294647A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110265344.1
申请日：2011-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: B24B37/00
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光方法，所述化学机械抛光方法包括：A)利用抛光头夹持晶圆以在抛光垫上对所述晶圆进行化学机械抛光；B)在所述步骤A)开始之前、之后或同时利用修整器对所述抛光垫进行修整；和C)在所述化学机械抛光停止期间向所述修整器的修整头喷水以对所述修整头保湿。根据本发明实施例的化学机械抛光方法不仅可以提高化学机械抛光的效果，而且可以大大地延长所述修整头的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102240976A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110131936.4
申请日：2011-05-20
Applicant: 清华大学
IPC: B24B57/02 , B24B37/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开一种化学机械抛光研磨液输送系统及化学机械抛光研磨设备，化学机械抛光研磨液输送系统包括：第一至第五容器、磨粒搅拌装置、混合装置、第一至第四输送泵、流量和压力调节装置、研磨液输送泵和溢流阀，第一至第五容器分别用于提供氧化剂、络合剂、缓蚀剂、磨粒和去离子水；流量和压力调节装置与混合装置相连，用于混合装置内的研磨液输送给化学机械研磨台；研磨液输送泵串联在混合装置与流量和压力调节装置之间；溢流阀连接在混合装置与流量和压力调节装置之间且与研磨液输送泵并联。根据本发明的化学机械抛光研磨液输送系统在整个输送过程中，磨粒一直被搅拌，可以有效防止颗粒沉淀、絮凝造成的表面划伤。
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公开(公告)号：CN102240927A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110143287.X
申请日：2011-05-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种利用化学机械抛光设备进行化学机械抛光的方法，所述化学机械抛光设备包括多个化学机械抛光机、机械手和过渡装置，其中所述多个化学机械抛光机和所述过渡装置围绕所述机械手布置，所述方法包括以下步骤：A)通过所述机械手将所述过渡装置上的晶圆搬运到所述多个化学机械抛光机中的至少一个上以便利用所述多个化学机械抛光机对晶圆进行抛光；B)通过所述机械手将抛光后的晶圆搬运到所述过渡装置上；和C)重复步骤A)和B)直到完成所有晶圆的抛光。根据本发明实施例的利用化学机械抛光设备进行化学机械抛光的方法具有晶圆传输距离短、晶圆传输时间短和工作效率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102129959A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110001269.8
申请日：2011-01-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆清洗装置及利用所述晶圆清洗装置清洗晶圆的方法，晶圆清洗装置设置在抛光设备的抛光工位与缓冲工位之间，晶圆清洗装置包括：多个扇形喷头，扇形喷头的喷口朝向上以将清洗液以扇形形状向上喷射到由抛光头带动从抛光工位朝向缓冲工位移动的晶圆上；和清洗液输送管，清洗液输送管与多个扇形喷头相连用于将清洗液输送到多个扇形喷头，且清洗液输送管为环形以使多个扇形喷头成环形分布。根据本发明实施例的晶圆清洗装置能够从晶圆表面的下方将清洗液喷射到晶圆的表面，从而对晶圆的表面进行全面的清洗。而且，扇形喷头可以喷射出扇形形状的清洗液，从而使清洗液均匀地分布到晶圆的表面，避免因清洗液对晶圆的表面产生冲击。
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公开(公告)号：CN107529477B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710667071.0
申请日：2017-08-07
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃，该方法包括：(1)采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液对微晶玻璃进行粗抛光，以便得到粗抛光后微晶玻璃；(2)采用IC系列软抛光垫和硅溶胶碱性抛光液对粗抛光后微晶玻璃进行精抛光，以便得到精抛光后微晶玻璃；(3)采用碱性清洗液对精抛光后微晶玻璃进行兆声清洗，以便得到兆声清洗后微晶玻璃；(4)采用去离子水对兆声清洗后微晶玻璃进行超声清洗，以便得到超声清洗后微晶玻璃；(5)对超声清洗后微晶玻璃进行干燥处理，以便得到抛光后微晶玻璃。采用该方法可以显著提高抛光效率，并且可以加工出粗糙度为亚纳米级别的超光滑玻璃表面。
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公开(公告)号：CN107662159B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710850306.X
申请日：2017-09-15
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: B24B53/017
Abstract: 本发明公开了一种修整抛光垫的控制方法、装置、修整器及抛光设备。修整抛光垫的控制方法包括以下步骤：获取修整器的基准修复压力；计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；获取所述抛光垫当前的修复区域并计算所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数；根据所述基准修复压力、所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。根据本发明的修整抛光垫的控制方法，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。
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公开(公告)号：CN109227359A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811222269.9
申请日：2018-10-19
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
CPC classification number: B24B37/345 , B24B27/0076 , B24B37/042 , H01L21/67034 , H01L21/67051
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光系统及方法、晶圆的后处理单元。晶圆的后处理单元，包括：清洗模块，所述清洗模块包括驱动组件以及清洗组件，所述驱动组件带动所述晶圆旋转的同时所述清洗组件绕垂直于所述晶圆表面的轴线摆动以向所述晶圆表面喷射流体；干燥模块，所述干燥模块用于对所述晶圆进行干燥，所述干燥模块与所述清洗模块并排布置且位于所述清洗模块的下游。根据本发明实施例的晶圆的后处理单元可以防止清洗晶圆的过程中损坏晶圆，而且清洗效果好。
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公开(公告)号：CN107546145A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710712141.X
申请日：2017-08-18
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种晶圆在位检测装置、晶圆托架以及晶圆在位检测方法，晶圆在位检测装置包括压力介质源、多个检测孔、压力检测器、流量控制器、压力控制器和控制器，压力介质源用于提供具有预定压力的介质；每个检测孔均通过管路与压力介质源相连；压力检测器设在管路上且位于压力介质源与多个检测孔之间以便检测管路中的压力；流量控制器设在管路上且位于压力介质源与多个检测孔之间以便调节管路中的流量；压力控制器设在管路上且位于压力介质源与多个检测孔之间以便调节管路中的压力；控制器与压力检测器相连以便根据压力检测器的压力检测值判断晶圆是否在位。根据本发明的晶圆在位检测装置具有分辨率高、稳定性高等优点。
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