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公开(公告)号：CN107533128B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201680024207.X
申请日：2016-04-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S7/4865 , G01C3/06 , G01S17/10
Abstract: 本发明所涉及的距离测定装置的处理部控制重置开关并在从将蓄积区域连接于重置电位直至下一次将该蓄积区域连接于重置电位为止的帧期间(Tf)内的多个电荷传送循环中，在一个以上的放出期间使光源部放出调制光并且在一个帧期间(Tf)内使电荷传送循环(Cy)每一次的放出期间的数目增加。处理部控制在与一个以上的放出期间同步的一个以上的传送期间赋予传送电极的电压并使在光感应区域产生的电荷蓄积于蓄积区域，在分别对应于多个电荷传送循环(Cy)的多个读出循环中，从传感器部取得对应于在与多个电荷传送循环(Cy)相交替的时间点被蓄积于蓄积区域的电荷量的多个读出值，根据所取得多个读出值计算距离。
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公开(公告)号：CN106471391B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201580023874.1
申请日：2015-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S17/10 , G01C3/06 , H01L27/146 , H01L31/12 , H04N5/335
Abstract: 测距装置(10)中，控制部(CONT)按每个帧周期(TF)交替地更换第一脉冲传输信号(S1)与第二脉冲传输信号(S2)的时间序列上的顺序并输出第一以及第二脉冲传输信号(S1,S2)，并且运算部(ART)基于对应于按时间序列连续的2个帧周期(TF)中的相位成为相同的第一以及第二脉冲传输信号(S1,S2)而被存储于第一电荷存储区域(FD1)和第二电荷存储区域(FD2)的信号电荷的总电荷量(Q1,Q2)，运算到对象物(OJ)的距离(d)。
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公开(公告)号：CN109073735A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027298.7
申请日：2017-04-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S7/486 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本实施方式涉及一种距离传感器，其为了避免起因于干扰光的饱和而降低向在1个光敏区域准备的多个电荷收集区域分别注入的电流量之差。分别向各电荷收集区域注入电流的电流注入电路包括生成用于调节注入电流量的控制电压的电压生成电路，该电压生成电路生成对应于分别与各电荷收集区域结合的蓄积节点的电荷量中大的电荷量的控制电压，另一方面，在通过控制电压调节电流量的晶体管与蓄积节点之间配置有共源共栅器件，晶体管的电流输出端的电位与蓄积节点的电位分离。
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公开(公告)号：CN104508441B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380041019.4
申请日：2013-04-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J5/04 , G01J5/02 , H01L27/146 , H04N5/33
CPC classification number: G01J5/12 , G01C3/02 , G01J1/0407 , G01J3/36 , G01J5/0275 , G01J5/045 , G01J5/0859 , G01J2005/123 , G01S7/4816 , G01S17/023 , H01L27/14649 , H01L2224/48091 , H04N5/33 , H04N5/374 , H01L2924/00014
Abstract: 在复合传感器(11)中，热图像传感器(16)的排列区域(R1)与距离图像传感器(31)的排列区域(R2)以从层叠方向看重叠的方式配置。因此，可以在同轴上取得热图像和距离图像，能够抑制热图像与距离图像间的图像偏差。此外，在复合传感器(11)中，通过由第1基板(13)与第2基板封热图像传感器(16)的周围的空间。由此，能够防止距离图像传感器(31)的周围所产生的热对热图像传感器(16)侧造成影响。除此之外，由于排列热图像传感器(16)的基板与排列距离图像传感器(31)的基板不同，因此能够确保设计自由度。(14)的层叠形成的密封体(S1)在真空状态下密
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公开(公告)号：CN102844890A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180019185.5
申请日：2011-02-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L31/0236
Abstract: 半导体光检测元件（1A）具备：硅基板（2），具有半导体层（20）、以及在半导体层（20）上生长且具有比半导体层（20）低的杂质浓度的外延半导体层（21）；导体，设置在外延半导体层（21）表面上。在外延半导体层（21），形成有光感应区域。在半导体层（20）的至少与光感应区域相对的表面（2BK），形成有不规则的凹凸（22）。不规则的凹凸（22）光学性地露出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114846607B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202080089971.1
申请日：2020-11-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/00
Abstract: 一种倍增型图像传感器，其包括：具有第1表面和第2表面的半导体层；设置于第2表面的配线层。半导体层包含以沿着第1表面的方式配置的多个像素。多个像素各自具有：第1半导体区域；相对于第1半导体区域的至少一部分形成于第2表面侧，按多个像素中的每一个分割出的第2半导体区域；以与第1半导体区域分离的方式形成在第2半导体区域内，构成像素电路的一部分的阱区域。第1半导体区域的至少一部分和第2半导体区域的至少一部分形成雪崩倍增区域。
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公开(公告)号：CN115088249B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202180014608.8
申请日：2021-01-21
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的光学干涉断层摄影装置具备：光源、包括进行往复动作的可动反射镜的反射镜器件、支承对象物的支承部、生成干涉光的分束器、检测干涉光的光传感器和控制部。光传感器所包括的多个像素中的各个包括：受光部、多个传送栅极和排出栅极。控制部，以对干涉光的干涉图信号的每1个周期，在相互分离的至少3个时间范围，多个传送栅极依次成为电荷传送状态，且在至少3个时间范围以外的时间范围，排出栅极成为电荷排出状态的方式，对光传感器施加电信号。
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公开(公告)号：CN111095562B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201880057247.3
申请日：2018-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N25/71
Abstract: 光感应区域包含第一杂质区域、及与第一杂质区域相比杂质浓度较高的第二杂质区域。光感应区域具有在第二方向上远离传送部的一端、与在第二方向上靠近传送部的另一端。第二杂质区域的俯视时的形状相对于沿着第二方向的光感应区域的中心线为线对称。第二杂质区域在第一方向上的宽度沿自一端朝向另一端的传送方向增加。将光感应区域在第二方向上分割成n个的各区间中的第二杂质区域的宽度的增加率在传送方向上逐渐增大。n为2以上的整数。
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公开(公告)号：CN114846606A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080089255.3
申请日：2020-12-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/107 , G01S7/481 , G01S17/894
Abstract: 在测距图像传感器中，各像素具有雪崩倍增区域、电荷分配区域、一对第一电荷传送区域、一对第二电荷传送区域、阱区域、光电栅电极、一对第一传送栅电极和一对第二传送栅电极。雪崩倍增区域的第一倍增区域形成为在Z方向上与电荷分配区域重叠且与阱区域不重叠。雪崩倍增区域的第二倍增区域形成为在Z方向上与电荷分配区域及阱区域重叠。
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公开(公告)号：CN114846356A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080086233.1
申请日：2020-11-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S17/36 , G01C3/06 , H01L27/146 , H04N5/3745 , G01S17/89
Abstract: 在本发明的测距装置中，控制部执行电荷分配处理，其中，对第一传送栅极电极和第二传送栅极电极施加具有彼此不同相位的电荷传送信号，在第一期间，将在电荷产生区域产生的电荷传送到第一电荷储存区域，在第二期间，将在电荷产生区域产生的电荷传送到第二电荷储存区域。控制部，在第一期间，以第一溢出栅极电极正下方的区域的电势比电荷产生区域的电势低的方式，对第一溢出栅极电极施加电位，在第二期间，以第二溢出栅极电极正下方的区域的电势比电荷0产生区域的电势低的方式，对第二溢出栅极电极施加电位。
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