公开(公告)号：CN114902418A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080089284.X

申请日：2020-12-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  平光纯 ,  岛田明洋 ,  石井博明 ,  伊藤聪典 ,  田中祐马

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144 ,  H04N5/369 ,  G01S7/481 ,  G01S17/89

Abstract: 测距图像传感器包括半导体层和电极层。半导体层和电极层构成多个像素。多个像素各自在半导体层中具有雪崩倍增区域、电荷分配区域、第一电荷传送区域和第二电荷传送区域。多个像素各自在电极层中具有光电栅电极、第一传送栅电极和第二传送栅电极。雪崩倍增区域遍及多个像素地相连，或者到达以将多个像素的各个像素彼此分开的方式形成于半导体层的沟槽。

公开(公告)号：CN116325168A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070159.9

申请日：2021-10-08

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  泷口亮 ,  石井博明 ,  中野优 ,  高木慎一郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的光传感器(1)具备：电荷产生区域(29)，其根据入射光产生电荷；电荷收集区域(33)，其传输在电荷产生区域(29)产生的电荷；和至少1个传输栅电极(41)，其配置在电荷产生区域(29)与电荷收集区域(33)之间的传输区域(35)上。电荷产生区域(29)包含：雪崩倍增区域(23)，其产生雪崩倍增；和倾斜电势形成区域(59)，其将以随着靠近传输区域(35)而电势变低的方式倾斜的倾斜电势形成于电荷产生区域(29)。

公开(公告)号：CN115516636A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180033487.1

申请日：2021-01-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 平光纯 ,  间瀬光人 ,  岛田明洋 ,  石井博明 ,  伊藤聪典 ,  田中祐马

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144

Abstract: 光传感器包括：具有分别呈层状形成的第1导电型的第1倍增区域和第2导电型的第2倍增区域的雪崩倍增区域；当将在第1倍增区域和第2倍增区域的厚度方向上第2倍增区域相对于第1倍增区域所在的一侧作为第1侧时，相对于第2倍增区域配置在第1侧的第2导电型的电荷收集区域；和相对于第2倍增区域配置在第1侧的第1导电型的第1导电型区域。第2倍增区域具有在厚度方向上与电荷收集区域重叠的第1部分和在厚度方向上与第1导电型区域重叠的第2部分。第1部分的杂质的浓度高于第2部分的杂质的浓度。

公开(公告)号：CN114846607B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202080089971.1

申请日：2020-11-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  平光纯 ,  石井博明 ,  田中祐马 ,  伊藤聪典

IPC: H04N5/00

Abstract: 一种倍增型图像传感器，其包括：具有第1表面和第2表面的半导体层；设置于第2表面的配线层。半导体层包含以沿着第1表面的方式配置的多个像素。多个像素各自具有：第1半导体区域；相对于第1半导体区域的至少一部分形成于第2表面侧，按多个像素中的每一个分割出的第2半导体区域；以与第1半导体区域分离的方式形成在第2半导体区域内，构成像素电路的一部分的阱区域。第1半导体区域的至少一部分和第2半导体区域的至少一部分形成雪崩倍增区域。

公开(公告)号：CN114846606A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080089255.3

申请日：2020-12-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  平光纯 ,  岛田明洋 ,  石井博明 ,  伊藤聪典 ,  田中祐马

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/107 ,  G01S7/481 ,  G01S17/894

Abstract: 在测距图像传感器中，各像素具有雪崩倍增区域、电荷分配区域、一对第一电荷传送区域、一对第二电荷传送区域、阱区域、光电栅电极、一对第一传送栅电极和一对第二传送栅电极。雪崩倍增区域的第一倍增区域形成为在Z方向上与电荷分配区域重叠且与阱区域不重叠。雪崩倍增区域的第二倍增区域形成为在Z方向上与电荷分配区域及阱区域重叠。

公开(公告)号：CN115516635A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180033470.6

申请日：2021-03-17

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  中野优 ,  平光纯 ,  岛田明洋 ,  石井博明 ,  伊藤聪典 ,  田中祐马

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明的光检测装置具备光传感器和控制部。光传感器具有电荷产生区域、电荷蓄积区域、电荷传送区域、配置在电荷蓄积区域上的电荷收集电极和配置在电荷蓄积区域与电荷传送区域之间的区域上的传送栅极电极。控制部以在第1期间以电荷收集电极的正下方的区域的电势成为第1电平，且传送栅极电极的正下方的区域的电势高于电荷收集电极的正下方的区域的电势的方式，在第1期间之后的第2期间以使电荷收集电极的正下方的区域的电势成为高于第1电平的第2电平，且传送栅极电极的正下方的区域的电势低于电荷收集电极的正下方的区域的电势的方式，控制电荷收集电极和传送栅极电极的电位。

公开(公告)号：CN114846607A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202080089971.1

申请日：2020-11-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  平光纯 ,  石井博明 ,  田中祐马 ,  伊藤聪典

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/107 ,  H04N5/369

Abstract: 一种倍增型图像传感器，其包括：具有第1表面和第2表面的半导体层；设置于第2表面的配线层。半导体层包含以沿着第1表面的方式配置的多个像素。多个像素各自具有：第1半导体区域；相对于第1半导体区域的至少一部分形成于第2表面侧，按多个像素中的每一个分割出的第2半导体区域；以与第1半导体区域分离的方式形成在第2半导体区域内，构成像素电路的一部分的阱区域。第1半导体区域的至少一部分和第2半导体区域的至少一部分形成雪崩倍增区域。