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公开(公告)号：CN115516635A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180033470.6
申请日：2021-03-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 本发明的光检测装置具备光传感器和控制部。光传感器具有电荷产生区域、电荷蓄积区域、电荷传送区域、配置在电荷蓄积区域上的电荷收集电极和配置在电荷蓄积区域与电荷传送区域之间的区域上的传送栅极电极。控制部以在第1期间以电荷收集电极的正下方的区域的电势成为第1电平，且传送栅极电极的正下方的区域的电势高于电荷收集电极的正下方的区域的电势的方式，在第1期间之后的第2期间以使电荷收集电极的正下方的区域的电势成为高于第1电平的第2电平，且传送栅极电极的正下方的区域的电势低于电荷收集电极的正下方的区域的电势的方式，控制电荷收集电极和传送栅极电极的电位。
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公开(公告)号：CN109690777A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780052894.0
申请日：2017-05-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/144 , H04N5/369 , H04N5/374 , G01S7/481 , G01S17/89 , H01L27/146
CPC classification number: G01S7/481 , G01S17/89 , H01L27/144 , H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 距离传感器具备硅基板和传送电极。硅基板具备相互相对的第一主面和第二主面。在硅基板的第一主面侧设置有根据入射光产生电荷的电荷产生区域和收集来自电荷产生区域的电荷的电荷收集区域。传送电极在第一主面上配置于电荷产生区域和电荷收集区域之间。传送电极根据输入的信号使电荷从电荷产生区域流入电荷收集区域。在第二主面的至少与电荷产生区域对应的区域形成有多个凸部。多个凸部具有相对于硅基板的厚度方向倾斜的斜面。在凸部中硅基板的(111)面作为斜面露出。凸部的高度为200nm以上。
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公开(公告)号：CN109073734A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027269.0
申请日：2017-04-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种距离传感器，其向蓄积节点注入等量的电流，并且基于各个蓄积节点的电荷量的差分信息求取至对象物的距离，其中，蓄积节点与光敏区域的电荷因第一和第二传送电极(11，12)的驱动而分开的电荷收集区域(9b，9c)分别结合，该距离传感器通过向各个蓄积节点注入等量的电流而避免各蓄积节点的起因于干扰光的饱和，另一方面，由于按分别表示电极驱动图案的多个帧使第一和第二传送电极(11，12)驱动而不易受到电流注入的影响，获得各个蓄积节点的电荷量的差分信息。
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公开(公告)号：CN107533128A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680024207.X
申请日：2016-04-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明所涉及的距离测定装置的处理部控制重置开关并在从将蓄积区域连接于重置电位直至下一次将该蓄积区域连接于重置电位为止的帧期间(Tf)内的多个电荷传送循环中，在一个以上的放出期间使光源部放出调制光并且在一个帧期间(Tf)内使电荷传送循环(Cy)每一次的放出期间的数目增加。处理部控制在与一个以上的放出期间同步的一个以上的传送期间赋予传送电极的电压并使在光感应区域产生的电荷蓄积于蓄积区域，在分别对应于多个电荷传送循环(Cy)的多个读出循环中，从传感器部取得对应于在与多个电荷传送循环(Cy)相交替的时间点被蓄积于蓄积区域的电荷量的多个读出值，根据所取得多个读出值计算距离。
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公开(公告)号：CN112868108B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201980068249.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种光检测元件，具备：半导体基板、形成于半导体基板上的第一导电型的光吸收层、形成于光吸收层上的第一导电型的盖层，以及形成于盖层内，与盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域。形成于半导体区域的周围的耗尽层，在不向pn结施加反方向偏置的情况下，未达到光吸收层，在向pn结施加20V的反方向偏置的情况下，从盖层侧超过光吸收层的厚度的50％的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117837163A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056066.5
申请日：2022-05-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 信号处理电路包括：从对象信号除去噪声的滤波电路；和控制滤波电路的控制部。滤波电路包括：CMOS开关，其是具有相互不同的沟道型的第一MOSFET和第二MOSFET，包含并联连接的第一MOSFET和第二MOSFET；和电连接至CMOS开关的输出与接地电位之间的电容器。控制部在第一MOSFET为接通状态的第1状态与第一MOSFET为断开状态第二MOSFET为接通状态的第2状态之间切换CMOS开关的状态。第二MOSFET的接通电阻值大于第一MOSFET的接通电阻值。
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公开(公告)号：CN109690777B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201780052894.0
申请日：2017-05-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/144 , H04N25/70 , H04N25/76 , G01S7/481 , G01S17/894 , H01L27/146
Abstract: 距离传感器具备硅基板和传送电极。硅基板具备相互相对的第一主面和第二主面。在硅基板的第一主面侧设置有根据入射光产生电荷的电荷产生区域和收集来自电荷产生区域的电荷的电荷收集区域。传送电极在第一主面上配置于电荷产生区域和电荷收集区域之间。传送电极根据输入的信号使电荷从电荷产生区域流入电荷收集区域。在第二主面的至少与电荷产生区域对应的区域形成有多个凸部。多个凸部具有相对于硅基板的厚度方向倾斜的斜面。在凸部中硅基板的(111)面作为斜面露出。凸部的高度为200nm以上。
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公开(公告)号：CN114902418A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080089284.X
申请日：2020-12-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/10 , H01L31/107 , H01L27/144 , H04N5/369 , G01S7/481 , G01S17/89
Abstract: 测距图像传感器包括半导体层和电极层。半导体层和电极层构成多个像素。多个像素各自在半导体层中具有雪崩倍增区域、电荷分配区域、第一电荷传送区域和第二电荷传送区域。多个像素各自在电极层中具有光电栅电极、第一传送栅电极和第二传送栅电极。雪崩倍增区域遍及多个像素地相连，或者到达以将多个像素的各个像素彼此分开的方式形成于半导体层的沟槽。
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公开(公告)号：CN114830632A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080086265.1
申请日：2020-11-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/359 , H04N5/3745 , G01S7/4863
Abstract: 在本发明的光检测装置中，控制部执行：第一电荷传送处理，通过以传送栅极电极正下方的区域的电势比电荷产生区域的电势低的方式对传送栅极电极施加电位，从而将在电荷产生区域产生的电荷传送到电荷储存区域；和第一读取处理，读取储存在电荷储存区域的电荷量。控制部，在第一电荷传送处理中，以溢出栅极电极正下方的区域的电势比电荷产生区域的电势低的方式，对溢出栅极电极施加电位。
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公开(公告)号：CN106233157B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201580020107.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S7/486 , G01C3/06 , G01S17/89 , H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: G01S17/89 , G01S7/4914 , G01S7/4915 , G01S17/36 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H04N5/3745
Abstract: 在距离图像传感器(RS)中，多个距离传感器(P1～PN)在一维方向上配置。多个距离传感器(P1～PN)包括：光栅电极(PG)；在光栅电极(PG)的一方侧配置的第一和第二信号电荷存储区域(FD1、FD2)；在另一方侧配置的第三和第四信号电荷存储区域(FD3、FD4)；根据第一传送信号(S1)使电荷流入第一和第四信号电荷存储区域(FD1、FD4)的第一传送电极(TX1)；根据第二传送信号(S2)使电荷流入第二和第三信号电荷存储区域(FD2、FD3)的第二传送电极(TX2)。
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