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公开(公告)号：CN116097126A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180061696.7
申请日：2021-05-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S17/18
Abstract: 本发明的一方面的目的在于提供能够延长测定距离并且能够确保距离精度的距离图像取得装置。本发明的一方面的距离图像取得装置(1)具备通过使用传输栅电极(42、43)向电荷蓄积区域(24、25)传输对应于从光源(2)出射且被对象物(OJ)反射的测定光的入射而在电荷产生区域(36)中产生的电荷，从而检测测定光的测距传感器(10)。电荷产生区域(36)包含产生雪崩倍增的雪崩倍增区域。控制部(4)将测定对象的整个距离范围(70)分割成多个区间(71A～71E)，以使光源(2)的测定光的出射时机和传输栅电极(42、43)的电荷的传输时机之间的时间差(TD)在多个区间(71A～71E)之间不同且对多个区间实施测定的方式，控制测距传感器(10)，并基于对于多个区间(71A～71E)的测定结果，生成整个距离范围(70)的距离图像。
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公开(公告)号：CN112868108A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201980068249.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种光检测元件，具备：半导体基板、形成于半导体基板上的第一导电型的光吸收层、形成于光吸收层上的第一导电型的盖层，以及形成于盖层内，与盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域。形成于半导体区域的周围的耗尽层，在不向pn结施加反方向偏置的情况下，未达到光吸收层，在向pn结施加20V的反方向偏置的情况下，从盖层侧超过光吸收层的厚度的50％的位置。
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公开(公告)号：CN106461781B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201580030678.7
申请日：2015-05-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S17/10 , G01S17/894 , H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 选择部对应于脉冲光的照射位置，以使信号电荷流入到多个像素中对应于照射位置的像素的第一以及第二信号电荷收集区域(9a,9b)的方式将第一传输信号输出至第一传输电极(TX1)并且将第二传输信号输出至第二传输电极(TX2)，以使不要电荷流入到多个像素中对应于照射位置的像素以外的像素的不要电荷排出区域(11)的方式将第三传输信号输出至第三传输电极(TX3)。运算部读出对应于分别被收集于被选择部选择的像素的第一以及第二信号电荷收集区域(9a,9b)的信号电荷的量的信号，根据被收集于第一信号电荷收集区域(9a)的信号电荷的量与被收集于第二信号电荷收集区域(9b)的信号电荷的量的比率运算到对象物为止的距离。
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公开(公告)号：CN106574974B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580044913.6
申请日：2015-08-04
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S17/10 , G01C3/06 , G01S17/89 , H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: G01S17/10 , G01C3/06 , G01S7/4914 , G01S7/4915 , G01S17/36 , G01S17/89 , H01L27/14609 , H01L27/14614 , H01L27/14643 , H01L27/14812 , H01L31/1133 , H04N5/374 , H04N5/3765
Abstract: 一种测距方法，是使用了光源(LS)、具有电荷产生区域和第一以及第二电荷存储区域(FD1,FD2)的距离传感器(P(m,n))的测距方法。将产生于电荷产生区域的电荷通过在第一期间(T1)中送到第一电荷存储区域(FD1)而存储于第一电荷存储区域(FD1)，通过在第二期间(T2)中送到第二电荷存储区域(FD2)而存储于第二电荷存储区域(FD2)。根据被存储于第一电荷存储区域(FD1)的电荷量(Q1)和被存储于第二电荷存储区域(FD2)的电荷量(Q2)，运算到对象物(OJ)为止的距离(d)。在从光源(LS)射出脉冲光(Lp)的时候，从光源(LS)射出预先设定成脉冲光(Lp)的射出期间(TT)中的光强度稳定期间(TS)分别长于第一以及第二期间(T1,T2)的脉冲光(Lp)。
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公开(公告)号：CN106461781A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580030678.7
申请日：2015-05-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 选择部对应于脉冲光的照射位置，以使信号电荷流入到多个像素中对应于照射位置的像素的第一以及第二信号电荷收集区域(9a,9b)的方式将第一传输信号输出至第一传输电极(TX1)并且将第二传输信号输出至第二传输电极(TX2)，以使不要电荷流入到多个像素中对应于照射位置的像素以外的像素的不要电荷排出区域(11)的方式将第三传输信号输出至第三传输电极(TX3)。运算部读出对应于分别被收集于被选择部选择的像素的第一以及第二信号电荷收集区域(9a,9b)的信号电荷的量的信号，根据被收集于第一信号电荷收集区域(9a)的信号电荷的量与被收集于第二信号电荷收集区域(9b)的信号电荷的量的比率运算到对象物为止的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106233157A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020107.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S7/486 , G01C3/06 , G01S17/89 , H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: G01S17/89 , G01S7/4914 , G01S7/4915 , G01S17/36 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H04N5/3745
Abstract: 在距离图像传感器(RS)中，多个距离传感器(P1～PN)在一维方向上配置。多个距离传感器(P1～PN)包括：光栅电极(PG)；在光栅电极(PG)的一方侧配置的第一和第二信号电荷存储区域(FD1、FD2)；在另一方侧配置的第三和第四信号电荷存储区域(FD3、FD4)；根据第一传送信号(S1)使电荷流入第一和第四信号电荷存储区域(FD1、FD4)的第一传送电极(TX1)；根据第二传送信号(S2)使电荷流入第二和第三信号电荷存储区域(FD2、FD3)的第二传送电极(TX2)。
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公开(公告)号：CN102623473B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210102539.9
申请日：2008-07-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , G01S7/4863 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/05001 , H01L2224/05124 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种背面入射型测距传感器(1)，从该背面入射型测距传感器(1)的各像素(P(m，n))输出2个电荷量(Q1、Q2)作为具有距离信息的信号(d’(m，n))。由于各像素(P(m，n))作为微小测距传感器而输出对应于到对象物(H)为止的距离的信号(d’(m，n))，因此，如果将来自对象物(H)的反射光在摄像区域(1B)成像，则作为到对象物(H)上的各点为止的距离信息的集合体而能够得到对象物的距离图像。将对应投光用的近红外光的入射而在半导体深部产生的载流子引入设置于与光入射面相反一侧的载流子产生位置附近的势阱中，从而能够高速地进行正确的测距。
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公开(公告)号：CN103155150A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049537.1
申请日：2011-06-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , G01S17/89
CPC classification number: G01C3/00 , G01S7/4816 , G01S7/4861 , G01S17/89 , H01L27/14614
Abstract: 光栅极（PG），平面形状为具有彼此相对的第1和第2长边（LS1，LS2）、以及彼此相对的第1和第2短边（SS1，SS2）的长方形形状。第1以及第2半导体区域（FD1，FD2）在第1和第2长边（LS1，LS2）的相对方向上夹持光栅极（PG）而相对地配置。第3半导体区域（SR1）在第1和第2短边（SS1，SS2）的相对方向上夹持光栅极（PG）而相对地配置。第3半导体区域（SR1）使在第1和第2短边（SS1，SS2）侧的电势高于光栅极（PG）的正下方的区域中的位于第1以及第2半导体区域（FD1，FD2）之间的区域中的电势。
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公开(公告)号：CN116097445A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180058490.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 间瀬光人
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种摄像装置，其具备：第一光传感器；以及第二光传感器，其相对于第一光传感器配置于光的入射侧的相反侧，且与第一光传感器接合。第一光传感器具有二维配置的多个第一像素。第二光传感器具有二维配置的多个第二像素。多个第一像素分别包含根据第一波段的光的入射来产生电荷的埋入型光电二极管。多个第二像素分别包含：电荷产生区域，其根据第二波段的光的入射来产生电荷；电荷收集区域，其传输有在电荷产生区域产生的电荷；光栅电极，其吸引在电荷产生区域产生的电荷；以及传输栅电极，其将由光栅电极吸引的电荷传输到电荷收集区域。
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公开(公告)号：CN115516635A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180033470.6
申请日：2021-03-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 本发明的光检测装置具备光传感器和控制部。光传感器具有电荷产生区域、电荷蓄积区域、电荷传送区域、配置在电荷蓄积区域上的电荷收集电极和配置在电荷蓄积区域与电荷传送区域之间的区域上的传送栅极电极。控制部以在第1期间以电荷收集电极的正下方的区域的电势成为第1电平，且传送栅极电极的正下方的区域的电势高于电荷收集电极的正下方的区域的电势的方式，在第1期间之后的第2期间以使电荷收集电极的正下方的区域的电势成为高于第1电平的第2电平，且传送栅极电极的正下方的区域的电势低于电荷收集电极的正下方的区域的电势的方式，控制电荷收集电极和传送栅极电极的电位。
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