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公开(公告)号：CN102623473B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210102539.9
申请日：2008-07-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , G01S7/4863 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/05001 , H01L2224/05124 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种背面入射型测距传感器(1)，从该背面入射型测距传感器(1)的各像素(P(m，n))输出2个电荷量(Q1、Q2)作为具有距离信息的信号(d’(m，n))。由于各像素(P(m，n))作为微小测距传感器而输出对应于到对象物(H)为止的距离的信号(d’(m，n))，因此，如果将来自对象物(H)的反射光在摄像区域(1B)成像，则作为到对象物(H)上的各点为止的距离信息的集合体而能够得到对象物的距离图像。将对应投光用的近红外光的入射而在半导体深部产生的载流子引入设置于与光入射面相反一侧的载流子产生位置附近的势阱中，从而能够高速地进行正确的测距。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101784911A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880103865.3
申请日：2008-08-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S17/10 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/2352 , G01S7/4863 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14603 , H04N5/3559 , H04N5/374 , H04N5/37452
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置以及距离图像测量装置。在所述固体摄像装置中，一对第1栅极(IGR、IGL)以光感应区域(SA)和一对第1存储区域(AR、AL)之间的电势(ΦTX1、ΦTX2)交替地倾斜的方式设置于半导体基板(100)上；一对第2栅极(IGR、IGL)以控制分别介于第1存储区域(AR、AL)和第2存储区域(FDR、FDL)之间的第1势垒(ΦBG)的高度的方式设置于半导体基板(100)上，并随着由光检测元件检测的背景光的输出变高而使相对于载流子的第1势垒(ΦBG)的高度增加。
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公开(公告)号：CN101688915A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880023309.5
申请日：2008-07-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01S17/10 , H01L27/146 , H01L31/12
CPC classification number: H01L27/1464 , G01S7/4863 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/05001 , H01L2224/05124 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种背面入射型测距传感器(1)，从该背面入射型测距传感器(1)的各像素(P(m，n))输出2个电荷量(Q1、Q2)作为具有距离信息的信号(d’(m，n))。由于各像素(P(m，n))作为微小测距传感器而输出对应于到对象物(H)为止的距离的信号(d’(m，n))，因此，如果将来自对象物(H)的反射光在摄像区域(1B)成像，则作为到对象物(H)上的各点为止的距离信息的集合体而能够得到对象物的距离图像。将对应投光用的近红外光的入射而在半导体深部产生的载流子引入设置于与光入射面相反一侧的载流子产生位置附近的势阱中，从而能够高速地进行正确的测距。
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公开(公告)号：CN101688915B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880023309.5
申请日：2008-07-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/12 , G01S17/10
CPC classification number: H01L27/1464 , G01S7/4863 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/05001 , H01L2224/05124 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种背面入射型测距传感器(1)，从该背面入射型测距传感器(1)的各像素(P(m，n))输出2个电荷量(Q1、Q2)作为具有距离信息的信号(d′(m，n))。由于各像素(P(m，n))作为微小测距传感器而输出对应于到对象物(H)为止的距离的信号(d′(m，n))，因此，如果将来自对象物(H)的反射光在摄像区域(1B)成像，则作为到对象物(H)上的各点为止的距离信息的集合体而能够得到对象物的距离图像。将对应投光用的近红外光的入射而在半导体深部产生的载流子引入设置于与光入射面相反一侧的载流子产生位置附近的势阱中，从而能够高速地进行正确的测距。
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公开(公告)号：CN101784911B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880103865.3
申请日：2008-08-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H04N5/2352 , G01S7/4863 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14603 , H04N5/3559 , H04N5/374 , H04N5/37452
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置以及距离图像测量装置。在所述固体摄像装置中，一对第1栅极(IGR、IGL)以光感应区域(SA)和一对第1存储区域(AR、AL)之间的电势(ΦTX1、ΦTX2)交替地倾斜的方式设置于半导体基板(100)上；一对第2栅极(IGR、IGL)以控制分别介于第1存储区域(AR、AL)和第2存储区域(FDR、FDL)之间的第1势垒(ΦBG)的高度的方式设置于半导体基板(100)上，并随着由光检测元件检测的背景光的输出变高而使相对于载流子的第1势垒(ΦBG)的高度增加。
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公开(公告)号：CN102623473A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210102539.9
申请日：2008-07-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , G01S7/4863 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/05001 , H01L2224/05124 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种背面入射型测距传感器(1)，从该背面入射型测距传感器(1)的各像素(P(m，n))输出2个电荷量(Q1、Q2)作为具有距离信息的信号(d’(m，n))。由于各像素(P(m，n))作为微小测距传感器而输出对应于到对象物(H)为止的距离的信号(d’(m，n))，因此，如果将来自对象物(H)的反射光在摄像区域(1B)成像，则作为到对象物(H)上的各点为止的距离信息的集合体而能够得到对象物的距离图像。将对应投光用的近红外光的入射而在半导体深部产生的载流子引入设置于与光入射面相反一侧的载流子产生位置附近的势阱中，从而能够高速地进行正确的测距。
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