公开(公告)号：CN113169195A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980071528.9

申请日：2019-09-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 泷口亮 ,  河野真 ,  太田庆一 ,  高哲也

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 固体摄像装置(1)具备：半导体基板(20)，其具有设置有多个光感应区域(3)的主面(20a)；及绝缘膜(30)，其设置于半导体基板(20)的主面(20a)；在将半导体基板(20)的主面(20a)设为基准面(K)的情况下，自基准面(K)起的绝缘膜(30)的厚度(T)为0.5μm以上，绝缘膜(30)中的与主面相反侧的面(主面(30b))为具有平坦性的面，在光感应区域(3)中，在半导体基板(20)的主面(20a)设置有自基准面(K)起的深度互不相同的多种底面(R)。

公开(公告)号：CN114641986A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202080075218.7

申请日：2020-09-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 泷口亮 ,  伊藤真也 ,  岩下诚 ,  影山光昭

IPC: H04N5/353 ,  H04N5/3745

Abstract: 影像传感器(5)具备多个像素(10)。各像素(10)具有光电转换部(11)、控制蓄积于光电转换部(11)的电荷的排出的重设栅极(12)、电荷蓄积部(13)、控制电荷自光电转换部(11)向电荷蓄积部(13)移动的蓄积栅极(14)、及控制来自电荷蓄积部(13)的电荷的读取的读取栅极(16)。重设栅极(12)将通过激发光的入射而在光电转换部(11)产生的电荷排出。蓄积栅极(14)将通过荧光的入射而在光电转换部(11)产生的电荷移动至电荷蓄积部(13)。读取栅极(16)在电荷向电荷蓄积部(13)的移动进行n次后进行用于读取电荷的控制。电荷的移动次数n可对每个像素(10)设定。由此，可实现一种可选择性地提高多个像素中一部分像素的信号量，且可仅检测交替入射的2束光中的一者的影像传感器。

公开(公告)号：CN114641986B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202080075218.7

申请日：2020-09-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 泷口亮 ,  伊藤真也 ,  岩下诚 ,  影山光昭

IPC: H04N25/53 ,  H04N25/77

Abstract: 影像传感器(5)具备多个像素(10)。各像素(10)具有光电转换部(11)、控制蓄积于光电转换部(11)的电荷的排出的重设栅极(12)、电荷蓄积部(13)、控制电荷自光电转换部(11)向电荷蓄积部(13)移动的蓄积栅极(14)、及控制来自电荷蓄积部(13)的电荷的读取的读取栅极(16)。重设栅极(12)将通过激发光的入射而在光电转换部(11)产生的电荷排出。蓄积栅极(14)将通过荧光的入射而在光电转换部(11)产生的电荷移动至电荷蓄积部(13)。读取栅极(16)在电荷向电荷蓄积部(13)的移动进行n次后进行用于读取电荷的控制。电荷的移动次数n可对每个像素(10)设定。由此，可实现一种可选择性地提高多个像素中一部分像素的信号量，且可仅检测交替入射的2束光中的一者的影像传感器。

公开(公告)号：CN113169195B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201980071528.9

申请日：2019-09-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 泷口亮 ,  河野真 ,  太田庆一 ,  高哲也

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76

Abstract: 固体摄像装置(1)具备：半导体基板(20)，其具有设置有多个光感应区域(3)的主面(20a)；及绝缘膜(30)，其设置于半导体基板(20)的主面(20a)；在将半导体基板(20)的主面(20a)设为基准面(K)的情况下，自基准面(K)起的绝缘膜(30)的厚度(T)为0.5μm以上，绝缘膜(30)中的与主面相反侧的面(主面(30b))为具有平坦性的面，在光感应区域(3)中，在半导体基板(20)的主面(20a)设置有自基准面(K)起的深度互不相同的多种底面(R)。

公开(公告)号：CN116325168A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070159.9

申请日：2021-10-08

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 间瀬光人 ,  泷口亮 ,  石井博明 ,  中野优 ,  高木慎一郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的光传感器(1)具备：电荷产生区域(29)，其根据入射光产生电荷；电荷收集区域(33)，其传输在电荷产生区域(29)产生的电荷；和至少1个传输栅电极(41)，其配置在电荷产生区域(29)与电荷收集区域(33)之间的传输区域(35)上。电荷产生区域(29)包含：雪崩倍增区域(23)，其产生雪崩倍增；和倾斜电势形成区域(59)，其将以随着靠近传输区域(35)而电势变低的方式倾斜的倾斜电势形成于电荷产生区域(29)。

公开(公告)号：CN115362552A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180026828.2

申请日：2021-01-20

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河野真 ,  铃木义之 ,  太田庆一 ,  伊藤真也 ,  泷口亮

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/144 ,  H04N5/369

Abstract: 固体摄像装置(1)具备：半导体基板(20)，其具有设置有多个光感应区域(3)的主面(20a)；及绝缘膜(30)，其设置于半导体基板(20)的主面(20a)。在绝缘膜(30)中的半导体基板(20)的主面(20a)的相反侧的面(主面(30b))，形成有多个凹凸(R)，在光感应区域(3)中，存在多个凹凸(R)的高低差。