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公开(公告)号：CN114815053A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210479861.7
申请日：2022-05-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种SOI基锥形结构的边缘耦合器及其制备方法，边缘耦合器是位于SOI基片顶部硅层上的锥形结构；顶部硅层的锥形结构包括入射锥形波导和出光波导，锥形波导从入射端开始在平行于SOI基片的方向和垂直于SOI基片两个方向尺寸缩小渐变。制备时，首先在SOI基片顶部均匀涂覆光刻胶，然后曝光、显影，在光刻胶上得到锥形结构图案，之后利用干法刻蚀技术将光刻胶上的图案转移至顶部硅层，利用聚焦离子束对锥形结构的入射端进行降低粗糙度处理，并沉积二氧化硅作为包覆层；最后对入射端进行抛光处理后完成边缘耦合器的制备。本发明结构简单、使用方便、耦合效率高。
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公开(公告)号：CN112685889B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202011573097.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种用于检测系统缺陷的简化测试结构设计方法，包括：步骤S1、模拟计算出实际器件的最终工艺窗口，模拟计算出实际器件工艺窗口以外的系统缺陷；步骤S2、依据实际器件制程仿真的结果提取关键结构；步骤S3、根据提取的关键结构进行简化测试结构的设计；步骤S4、将设计的简化测试结构作为仿真模型的输入，模拟计算出简化测试结构制程最终的系统缺陷；步骤S5、对比实际器件制程仿真与简化测试结构制程仿真在相同工艺窗口下所产生的系统缺陷信息是否一致，本发明采用了仿真手段与实验验证相结合的简化测试结构设计方法，依据两个制程仿真结果进行系统缺陷对比进行简化测试结构设计，并在仿真后进行实验验证，确保仿真设计可靠性。
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公开(公告)号：CN111458985B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010249063.6
申请日：2020-04-01
Applicant: 武汉大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于光学技术领域，公开了一种光刻中颗粒类污染的测量方法，通过光学测量得到颗粒类污染的测量光谱，通过建模仿真得到颗粒类污染的模拟光谱数据库；通过数值拟合，在模拟光谱数据库中寻求与测量光谱相匹配的光谱作为拟合光谱，将拟合光谱对应的物理模型作为匹配物理模型；从匹配物理模型中读取颗粒的参数信息，作为颗粒类污染的测量结果，根据测量结果判断颗粒类污染的类型。本发明解决了现有技术中测量光刻过程中污染的分辨率较低、测量速度较慢的问题。本发明可以对光刻过程中的污染进行实时测量，且测量的分辨率高、测量速度快，能够判断出颗粒类污染的具体类型。
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公开(公告)号：CN112853263A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011628364.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种利用光刻校正补偿精细金属蒸镀网形变误差的方法，采用光刻的校正来补偿精细金属掩膜板形变带来的工艺问题，该方法包括以下步骤：步骤S1、获取精细金属掩膜板样品的形变误差参数；步骤S2、基于获取到的形变误差参数调整光刻参数以使光刻得到的基板的形变误差与所述精细金属掩膜板样品的形变误差相一致。本发明针对OLED制作过程中，由于FMM因应力等原因产生平移、旋转、局部放大等形变缺点，通过获取FMM的形变参数并调整基板的光刻参数来适应FMM的形变误差，从而在蒸镀过程中保证蒸镀图像或图案的准确性。
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公开(公告)号：CN111504210A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010249233.0
申请日：2020-04-01
Applicant: 武汉大学
IPC: G01B11/14 , G01B11/02 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明属于光学测量技术领域，公开了一种用于节距移动的测量基底及其制备方法、测量方法。测量基底上设置有测量标记，测量标记包括多个标记单元并构成周期性的第一光栅结构；每个标记单元包括2n个标记线条并构成非对称型的第二光栅结构。制备方法包括设计测量模板、光刻、牺牲层掩膜、沉积、刻蚀。用于节距移动的测量方法包括制备测量基底，采集并根据测量基底产生的+1阶、-1阶衍射光的光强，获得节距移动的大小。本发明解决了现有技术中针对节距移动的测量手段分辨率较低、测量速度较慢的问题，能够实现高速、无损测量，提高测量的灵敏度和分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105666287B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610098377.4
申请日：2016-02-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种加工航空领域金属构件基于CMP的机器人磨抛系统，包括六轴机器人、放置工件的工件夹、对需要抛光工件进行检测并三维重构的轮廓检测单元、带抛光垫的磨轮、安装磨轮的基座、以及主控制器，所述六轴机器人自由端部设有带伺服电机的电主轴，工件夹上方设有能向工件喷CMP抛光液的抛光液喷射装置，工件夹安装在所述电主轴上，所述主控制器控制轮廓检测单元、六轴机器人、电主轴、以及所有伺服电机，工件夹和带抛光垫的磨轮的位置还可以互换以适应不同尺寸工件的抛光，本发明的机器人磨削系统，效率高，加工一致性好，且不会对工件造成机械损伤、烧伤等普通磨削会产生的不利效果，不出现表面或亚表面的损伤，能加工出较完美的表面。
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公开(公告)号：CN111504210B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010249233.0
申请日：2020-04-01
Applicant: 武汉大学
IPC: G01B11/14 , G01B11/02 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明属于光学测量技术领域，公开了一种用于节距移动的测量基底及其制备方法、测量方法。测量基底上设置有测量标记，测量标记包括多个标记单元并构成周期性的第一光栅结构；每个标记单元包括2n个标记线条并构成非对称型的第二光栅结构。制备方法包括设计测量模板、光刻、牺牲层掩膜、沉积、刻蚀。用于节距移动的测量方法包括制备测量基底，采集并根据测量基底产生的+1阶、‑1阶衍射光的光强，获得节距移动的大小。本发明解决了现有技术中针对节距移动的测量手段分辨率较低、测量速度较慢的问题，能够实现高速、无损测量，提高测量的灵敏度和分辨率。
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公开(公告)号：CN111054918B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911368500.X
申请日：2019-12-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种精确制备适用于生物传感器间距可控的超细金属微米柱阵列的方法。其制备：1)清洗带纳米孔阵列的基底，吹干；2)基底表面旋涂光刻胶，烘干；3)使用激光直写设备设计微米柱阵列的图案，按照设计曝光相应区域，并用显影液去除微米柱阵列对应区域光刻胶；4)在基底底部施加负压，将金属纳米浆料填充至去除光刻胶后的微米柱阵列区域，最后进行研磨；5)透光片压在基地顶部，然后激光穿过透光片进行扫描，烧结固化金属浆料；6)去除剩余光刻胶，即得超细金属微米柱阵列。本方法可以任意设计超细金属微米柱的外部形貌和阵列排布，所得超细金属微米柱形状规则无缺陷，尺寸精度高，用于生物传感器中有利于信号增强和信号传递。
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公开(公告)号：CN110640149B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910885828.2
申请日：2019-09-19
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种激光诱导制备纳米合金颗粒的方法，包括以下步骤：步骤1.将至少两种金属纳米材料溶液加入到离心管中，再添加适量的挥发性溶剂形成混合溶液；步骤2.超声混合溶液，使所有金属纳米材料混合均匀；步骤3.离心浓缩超声后的混合溶液，获得纳米浆料；步骤4.旋涂纳米浆料至基板上；步骤5.对旋涂完成后的基板进行真空加热干燥，在基板表面形成干燥涂覆层；步骤6.把透光片压在形成有干燥涂覆层的基板面上，然后激光穿过透光片扫描基板上的金属纳米材料，即可制得纳米合金颗粒，其中，激光的功率不低于220mW，光斑直径大于70um。本方法具有重复性好，生产速度快，效率高、耗时短，操作简单等优点。
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公开(公告)号：CN111054918A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911368500.X
申请日：2019-12-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种精确制备适用于生物传感器间距可控的超细金属微米柱阵列的方法。其制备：1)清洗带纳米孔阵列的基底，吹干；2)基底表面旋涂光刻胶，烘干；3)使用激光直写设备设计微米柱阵列的图案，按照设计曝光相应区域，并用显影液去除微米柱阵列对应区域光刻胶；4)在基底底部施加负压，将金属纳米浆料填充至去除光刻胶后的微米柱阵列区域，最后进行研磨；5)透光片压在基地顶部，然后激光穿过透光片进行扫描，烧结固化金属浆料；6)去除剩余光刻胶，即得超细金属微米柱阵列。本方法可以任意设计超细金属微米柱的外部形貌和阵列排布，所得超细金属微米柱形状规则无缺陷，尺寸精度高，用于生物传感器中有利于信号增强和信号传递。
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