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公开(公告)号：CN117038347A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311144929.7
申请日：2023-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种多级孔道结构碳管复合量子点超级电容器，属于超级电容器技术领域。所述超级电容器的制备方法为：将0.10‑0.15M的HCl溶液加入到0.05‑0.15M的邻苯二胺溶液中，混合均匀后，再加入6.15‑6.20M的NaCl溶液和10M的H2O2溶液，搅拌2‑10min；将3‑8g邻苯二胺与40‑60ml无水甲醇混合放入反应釜中，在150‑200℃下水热反应10～15h得到碳量子点；将碳量子点与聚邻苯二胺纤维混合后，在保护气氛下，利用管式气氛炉先升温至300‑400℃保温0.5‑1.5h后，再高温碳化至400℃～800℃，在设定温度下保温1‑5h后，冷却到室温即可。本方法采用氧化聚合法来合成碳化前驱体，重复性好，反应条件易控制，反应时间短，易于工业化；采用直接碳化法，简单易操作，得到了中空的多级孔道结构。
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公开(公告)号：CN115094378B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210659042.0
申请日：2022-06-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多层复合ITO薄膜，所述多层复合ITO薄膜包括两ITO层和一M层，其中所述M层位于两ITO层之间，M层的In含量为≥In2O3中In含量的含In层，以保障M层与两层ITO层之间相互结合的稳定性而保障所述多层复合ITO薄膜的结构稳定性；所述M层具有8nm～16nm的厚度，M层并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障所述多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
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公开(公告)号：CN115440503B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211003223.4
申请日：2022-08-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用的硫化钴铜纳米片材料及制备方法，所述硫化钴铜纳米片呈片状分级多孔结构，所述分级多孔结构由大孔径和介孔构成，大孔结构尺寸为167±30nm，介孔结构尺寸为2～15nm，所述硫化钴铜纳米片由9.5±1mmol的CuCl2·2H2O、15±1.5mmol的CoCl2·6H2O、12±1.2mmol的NH4F和18±2mmol的尿素经水热反应制得前驱体后再与过量的浓度为0.1M的Na2S·9H2O溶液反应制得。本发明在提升超级电容器性能的同时，使得制备方法简单化，利于降低电容器材料的生产成本。
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公开(公告)号：CN115642296A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211285613.5
申请日：2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M10/056 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开一种无机‑有机复合固态电解质锂电池及其制备方法，复合固态电解质由聚氧化乙烯、复合无机填料、锂盐、离子液体组成。复合无机填料为SiO2包覆的ZIF‑8(ZIF‑8@SiO2),将锂盐溶解于1‑乙基‑3‑甲基咪唑双(三氟甲基磺酰)亚胺获得锂离子液体，将ZIF‑8@SiO2粉末与锂离子液体研磨至均匀，真空干燥后得到ZIF‑8@SiO2/IL填料。将ZIF‑8@SiO2/IL填料在溶剂中混合后，加入聚合物和锂盐，经成膜，晾干，干燥，即得复合固态电解质。本发明的复合固态电解质能够提供超过10‑4S·cm‑1的室温离子电子电导率、宽的电化学窗口和高离子迁移数，将其应用于固态锂电池体系，电池容量高且循环稳定性好。
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公开(公告)号：CN115477539A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210921589.3
申请日：2022-08-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种氟化钙透明陶瓷及低温制备方法，以纯CaF2粉体、Nd1‑5at%：CaF2粉体或Yb1‑5at%：CaF2粉体为制品的成型原料，在设定温度、压力下保温保压0.5‑2小时于加压成型模具中成型，升温速率10℃/min，温度范围300‑400℃，压力范围300‑600Mpa，粉体成型原料的粒度20‑200nm，水份控制在1‑15wt%。本发明直接采用高压方式，成型、烧结一次顺序完成，获得更为致密、晶粒细小均匀且透光率高的CaF2基透明陶瓷。本发明具有烧结温度低、工艺简单、节约能源的优势，同时减小产品变形量，有利于保障产品品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115440503A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211003223.4
申请日：2022-08-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用的硫化钴铜纳米片材料及制备方法，所述硫化钴铜纳米片呈片状分级多孔结构，所述分级多孔结构由大孔径和介孔构成，大孔结构尺寸为167±30nm，介孔结构尺寸为2～15nm，所述硫化钴铜纳米片由9.5±1mmol的CuCl2·2H2O、15±1.5mmol的CoCl2·6H2O、12±1.2mmol的NH4F和18±2mmol的尿素经水热反应制得前驱体后再与过量的浓度为0.1M的Na2S·9H2O溶液反应制得。本发明在提升超级电容器性能的同时，使得制备方法简单化，利于降低电容器材料的生产成本。
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公开(公告)号：CN115073165A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210690327.0
申请日：2022-06-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数BaTiO3陶瓷及制备方法，所述BaTiO3陶瓷在结构中具有Vo··‑2Ti′Ti缺陷构型，所述制备方法包括：(1)将20‑200nm尺寸的BaTiO3粉体压制成陶瓷生坯；(2)在还原气氛的混合气体条件下烧结，所述混合气体由0.5‑5％的还原性气体和95‑99.5％的惰性气体组成；(3)在温度1150‑1400℃下烧结，保温时间0.5‑4小时。本发明提供了一种获得巨介电常数BaTiO3陶瓷材料的新方案。
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公开(公告)号：CN109607597B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
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公开(公告)号：CN109336595B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811119443.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法，其步骤包括：以纯水或一定浓度的氨水溶液或乙酸溶液与MoO3粉体经研磨分散得到MoO3粉体的浆料，把浆料放入模具中施加一定的压力，同时将模具按一定的升温速率加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密MoO3陶瓷。本发明通过控制纯水或氨水浓度或乙酸及添加量、施加压力和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的MoO3陶瓷。相比传统高温烧结陶瓷技术，其烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于MoO3陶瓷的超低湿冷烧结制备。
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公开(公告)号：CN111359541A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010178071.6
申请日：2020-03-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J6/00 , C04B35/453 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种水热法制备陶瓷装置及方法，水热法制备陶瓷装置中，内壳位于外壳内，且与外壳形成空腔，釜盖覆盖空腔，载物台位于内壳内，陶瓷生坯放置于载物台上，釜盖具有进口和出口，导管与进口和压力泵连通，气体流量调节阀与导管固定连接，安全泄压阀与釜盖固定连接，并与出口连通，温度传感器和压力传感器均固定于内壳内，加热组件环绕内壳四周于空腔内，压力泵、气体流量调节阀、安全泄压阀、温度传感器、压力传感器、加热组件均与控制器电连接。利用水热烧结，将陶瓷生坯在低于400℃的温度下，通过控制压力和保温时间，实现对陶瓷体的水热致密化，获得相对密度大于90％的陶瓷体，具有精准可控、低耗能、可规模化生产的特点。
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