公开(公告)号：CN115073165B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202210690327.0

申请日：2022-06-17

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  徐堃 ,  徐华蕊 ,  赵昀云 ,  张秀云 ,  蒋坤朋

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数BaTiO3陶瓷及制备方法，所述BaTiO3陶瓷在结构中具有Vo··‑2Ti′Ti缺陷构型，所述制备方法包括：(1)将20‑200nm尺寸的BaTiO3粉体压制成陶瓷生坯；(2)在还原气氛的混合气体条件下烧结，所述混合气体由0.5‑5％的还原性气体和95‑99.5％的惰性气体组成；(3)在温度1150‑1400℃下烧结，保温时间0.5‑4小时。本发明提供了一种获得巨介电常数BaTiO3陶瓷材料的新方案。

公开(公告)号：CN115073165A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210690327.0

申请日：2022-06-17

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  徐堃 ,  徐华蕊 ,  赵昀云 ,  张秀云 ,  蒋坤朋

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种巨介电常数BaTiO3陶瓷及制备方法，所述BaTiO3陶瓷在结构中具有Vo··‑2Ti′Ti缺陷构型，所述制备方法包括：(1)将20‑200nm尺寸的BaTiO3粉体压制成陶瓷生坯；(2)在还原气氛的混合气体条件下烧结，所述混合气体由0.5‑5％的还原性气体和95‑99.5％的惰性气体组成；(3)在温度1150‑1400℃下烧结，保温时间0.5‑4小时。本发明提供了一种获得巨介电常数BaTiO3陶瓷材料的新方案。