公开(公告)号：CN114560712A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210165519.X

申请日：2022-02-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  余晨旭 ,  杨玲 ,  王华

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/30 ,  D01F9/08

Abstract: 本发明公开了一种热蒸发镀膜陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材包括与原料粉体共同构成异质结构的结构材料，所述结构材料为与原料粉体相同化学组份的陶瓷纤维和/或陶瓷片，所述陶瓷纤维的长度为5‑100μm，直径为0.2‑6μm；所述陶瓷片的厚度为2‑10μm、宽度为20‑60μm；结构材料在陶瓷靶材中的占比为10‑35wt%。本发明通过在靶材原料中添加同种材质的陶瓷纤维、陶瓷片或者两者组合，使陶瓷靶材坯体在烧结后形成一种异质结构，在不影响镀膜质量的前提下，解决陶瓷靶材热蒸发时热冲击应力过大易造成开裂的问题。

公开(公告)号：CN114436641A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210197348.9

申请日：2022-03-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  余晨旭 ,  杨玲 ,  王华 ,  周贤界

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材由氧化锌、掺杂物和助烧物组成，所述掺杂物含量占比为0.7‑2.5wt%，所述助烧物含量占比为0.08‑0.15wt%；所述掺杂物的组成为钨酸锌和/或钼酸锌，当掺杂物为钨酸锌和钼酸锌的混合物时，其中钨酸锌的占比为30‑70wt%；所述助烧物为硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的混合物，其中硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的占比分别为20‑30wt%、40‑60wt%和20‑30wt%。采用本发明提供的陶瓷靶材进行磁控溅射镀膜，可以获得高载流子迁移率的透明导电薄膜。

公开(公告)号：CN111484326B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202010271654.3

申请日：2020-04-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  胡岗斌 ,  王名昌 ,  汪江婷 ,  刘浩男 ,  杨玲

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C09K11/78

Abstract: 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Yb0.5Ta0.5)O3‑yM，M为Er或Ho，x＝0.01～0.06，y＝0.001～0.01。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Ta0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；在此基础上，通过掺杂稀土Er或Ho，使陶瓷材料同时具有较好的透光性能和上转换光致发光性能以及铁电性能，是一种多功能陶瓷材料。

公开(公告)号：CN113429205A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110806711.8

申请日：2021-07-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  杨玲 ,  周尚菊

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C09K11/74

Abstract: 本发明提供了一种透明下转换光致发光陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。本发明提供的透明下转换光致发光陶瓷材料，化学式为0.94K0.5Na0.5NbO3‑0.06Sr(Bi0.5Nb0.5)O3,x％Ce，x＝0.1～0.4。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；在此基础上掺杂稀土Ce，使陶瓷材料同时具有良好的透光性和下转换发光性能。本发明通过控制上述陶瓷材料中各种成分的含量，使所述陶瓷材料具有出色的透明和发光性能，是一种多功能光电陶瓷材料。

公开(公告)号：CN108623302B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201810670156.9

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  C04B41/00

Abstract: 本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法，材料组成为：0.9Bi0.5Na0.5TiO3‑0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6铁电体复合，结合固相烧结及热处理技术，生长纳米阵列，其中纳米线长度在2‑10μm，直径为60‑800nm，工艺简单，产率高，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN107010947B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710302249.1

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/49

Abstract: 本发明公开了一种具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.85(Li1/4Nb3/4)0.05(Zr1/2Zn1/2)0.10O3；通过B位与Ti4+离子相同化合价的复合离子(Li1/4Nb3/4)4+，以及不同化合价复合离子(Zr1/2Zn1/2)3+，严格以1:2的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生电子和空穴补偿型的带电电畴(非空位或者离子补偿效应)，因而出现特殊的临界开关效应的电场诱导巨应变行为。制得产品经实验测量具有电场诱导的巨应变性能，应变量可达S%=0.47%，同时具有在临界开关电场EC=56kV/cm巨应变发生，并且在很窄的电场范围内ΔE=2kV/cm发生完全应变，在临界区域，应变变化率α可达2.8×103。这些性能目前还未见报道，可以在特殊的场合应用。

公开(公告)号：CN107010941B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710302248.7

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462

Abstract: 本发明公开了一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.88(Li1/3W2/3)0.06(Hf1/2In1/2)0.06O3；通过B位与Ti4+离子不同化合价的复合离子(Li1/3W2/3)13/3+，以及不同化合价复合离子(Hf1/2In1/2)7/2+，严格以1:1的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生非空位补偿，而是电子和空穴非平衡补偿型的带电电畴，进而产生纳米级非均匀电子相，结合热处理，因而出现特殊的巨电致阻变行为。产品经实验测量，具有优良的电致阻变性能，ΩHRS/ΩLRS=3.0×103，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN106747440B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201611201094.4

申请日：2016-12-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘国保 ,  王华 ,  许积文 ,  周昌荣 ,  杨玲 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种可见光透明储能陶瓷及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式用(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(Me0.5Nb0.5)O3所表示，其中A为Ca、Sr、Ba中的一种或两种，Me为Al、In、Yb或两种，x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.6。所述制备方法采用固相法制备粉体，不添加任何粘结剂，低压成型。产品同时具有高的可见光透光率和优良的电储能性能，以及介电损耗低、制备成本低、无铅环保、实用性好。

公开(公告)号：CN110041074A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910478416.7

申请日：2019-06-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  孙亚兵 ,  王华 ,  杨玲 ,  周尚菊 ,  丘伟

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSr(Yb0.5Nb0.5)O3-yM，M为Er或Ho，x＝0.05～0.35，y＝0.001～0.01。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；在此基础上，通过掺杂稀土Er或Ho，使陶瓷材料同时具有上转换光致发光性能。本发明提供的陶瓷材料同时具备较好的上转换发光性能和铁电性能，而且透光性较好，是一种多功能陶瓷材料。

公开(公告)号：CN108689703A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810668019.1

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/72

Abstract: 本发明公开了一种具有巨介电常数及电调特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：(1‑x)BaTi0.90Sn0.10O3‑xCa2LaMn2O7；其中x表示摩尔分数，0.01