公开(公告)号：CN104282765A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410619955.5

申请日：2014-11-06

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  刘可安 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  蒋华平 ,  吴佳 ,  丁荣军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提供了一种新型的碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。

公开(公告)号：CN103824879A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410044426.7

申请日：2014-01-30

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 蒋华平 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  吴佳 ,  唐龙谷

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括：场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧的冶金结面，其中所述电荷补偿区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。这种功率器件结终端结构耐压能力好、可靠性高。

公开(公告)号：CN103579016A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310537220.3

申请日：2013-11-04

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  吴煜东 ,  刘可安 ,  周正东 ,  史晶晶 ,  杨勇雄 ,  吴佳 ,  蒋华平 ,  赵艳黎

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/04 ,  H01L21/52

Abstract: 一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之间通过第二钼片扣合完成以使所有好的元件处于并联连接状态。该制造方法用来制造上述功率芯片结构。本发明具有制造方便、无淀积绝缘层、可提高器件性能等优点。

公开(公告)号：CN104282765B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201410619955.5

申请日：2014-11-06

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  刘可安 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  蒋华平 ,  吴佳 ,  丁荣军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面完全外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。

公开(公告)号：CN104599946B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410815606.0

申请日：2014-12-24

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 史晶晶 ,  李诚瞻 ,  刘国友 ,  赵艳黎 ,  周正东 ,  高云斌 ,  吴佳 ,  杨勇雄 ,  刘可安

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。

公开(公告)号：CN103824878B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201410044259.6

申请日：2014-01-30

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 杨勇雄 ,  吴煜东 ,  何多昌 ,  蒋华平 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  吴佳 ,  唐龙谷

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终端结构使得功率器件具有较好的耐压能力和较高的可靠性。

公开(公告)号：CN105161416A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510615944.4

申请日：2015-09-24

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 周正东 ,  李诚瞻 ,  史晶晶 ,  刘国友 ,  吴佳 ,  丁荣军

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513

Abstract: 本申请提供了一种半导体结构的掺杂方法，包括：对半导体结构分别进行P型杂质离子注入和N型杂质离子注入；对离子注入后的半导体结构进行退火；其中，所述退火过程包括：升温至第一激活温度，在所述第一激活温度保持第一预设时间；从所述第一激活温度升温至第二激活温度，在所述第二激活温度保持第二预设时间；降温，完成退火。本发明中的半导体结构的掺杂方法，在进行退火时，首先升温至第一激活温度，激活其中一种杂质，接着，从第一激活温度再次升温至第二激活温度，激活另一种杂质，从而能够保证两种杂质的高激活率。由于仅使用一次退火工艺，因而对所述半导体结构的表面形貌损伤很小。

公开(公告)号：CN104637801A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510047816.4

申请日：2015-01-30

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  刘可安 ,  赵艳黎 ,  周正东 ,  吴佳 ,  杨勇雄 ,  丁荣军

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含Cl2的环境中退火该栅氧化层。优选以0.5-2slm的速率通入Cl2与惰性气体的混合气体，退火压力为100～1000mbar，保持时间30～180min。所述方法使用Cl2退火栅介质SiO2层，可以消除SiO2栅介质层中的氧空位陷阱电荷，提高SiC MOSFET器件中SiO2栅介质层的临界击穿电场和耐压能力。

公开(公告)号：CN104599946A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410815606.0

申请日：2014-12-24

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 史晶晶 ,  李诚瞻 ,  刘国友 ,  赵艳黎 ,  周正东 ,  高云斌 ,  吴佳 ,  杨勇雄 ,  刘可安

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。