公开(公告)号：CN107623026A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710551971.9

申请日：2017-07-07

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 安田佳史 ,  永冈达司 ,  浦上泰 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。

公开(公告)号：CN107004725A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580068085.X

申请日：2015-10-19

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 永冈达司 ,  三宅裕树 ,  宫原真一朗 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。

公开(公告)号：CN106537602A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039069.8

申请日：2015-06-03

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 添野明高 ,  青井佐智子 ,  宫原真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734

Abstract: 实现具有与底部绝缘层的下端部相接的p型区域的开关元件的高耐压特性。具有配置于沟槽部绝缘层(20)靠表面侧的位置的栅极电极(24)的开关元件。半导体基板(12)具有与栅极绝缘膜(22)相接的第一n型区域(30)、与栅极绝缘膜(22)相接的第一p型区域(32)、与底部绝缘层(20)的端部相接的第二p型区域(34)、以及使第二p型区域(34)与第一p型区域(32)分离的第二n型区域(36)。从第一p型区域(32)的背面侧端部到第二p型区域(34)的表面侧端部为止的距离A与从底部绝缘层(20)的背面侧端部到第二p型区域(34)的背面侧端部为止的距离B满足A＜4B的关系。(18)内的底部的底部绝缘层(20)和配置于比底

公开(公告)号：CN105981173A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480075197.3

申请日：2014-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  滨田公守 ,  水野祥司 ,  青井佐智子 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，具有：终端沟槽，其围绕形成有多个栅极沟槽的区域的周围一周；下端p型区，其为p型，并与终端沟槽的下端相接；外周p型区，其为p型，并从外周侧与终端沟槽相接，且露出于半导体基板的表面；多个保护环区，其为p型，并被形成在与外周p型区相比靠外周侧，且露出于半导体基板的表面；外周n型区，其为n型，并使外周p型区与多个保护环区分离，且使多个保护环区相互分离。

公开(公告)号：CN104919594A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201480004973.0

申请日：2014-01-09

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 青井佐智子 ,  渡辺行彦 ,  铃木克己 ,  水野祥司

IPC: H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括:在漂移层的第一区域中形成第一沟槽,该漂移层具有包括第一区域和第二区域的表面；在形成第一沟槽之后,在漂移层的表面上生长p型基极层的晶体；以及在基极层的表面上生长n型源极层的晶体。漂移层的材料、基极层的材料和源极层的材料是宽带隙半导体。

公开(公告)号：CN116487416A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310355840.9

申请日：2017-10-30

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 大西彻 ,  青井佐智子 ,  浦上泰

IPC: H01L29/423

Abstract: 提供一种半导体器件，其中在沟槽(6)的端部中，露出沟槽的端部(10)的开口(22)被形成在引出电极(20)中，半导体基板的顶表面侧上的沟槽栅电极(14)的侧表面与沟槽侧表面(12)间隔开，并且与位于半导体基板的顶表面(4)和沟槽侧表面之间的边界线相邻的范围覆盖有层叠绝缘膜，层叠绝缘膜被构造成使得层间绝缘膜在栅极绝缘膜上层叠。在沟槽的直线部中，沟槽栅电极的顶表面与半导体基板的顶表面对准，并且层间绝缘膜不进入沟槽，其中，在沟槽的端部中，沟槽栅电极的顶表面被刻蚀，从而在沟槽的端部中的沟槽栅电极的顶表面的高度低于半导体基板的顶表面和在沟槽的直线部中沟槽栅电极的顶表面两者。这使得能够防止绝缘膜的介电击穿。

公开(公告)号：CN109075196B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201680082465.3

申请日：2016-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种沟槽栅半导体开关元件。该元件的半导体衬底包括：第二导电类型的底部区，其在沟槽的底表面处与栅极绝缘层接触；以及第一导电类型的第二半导体区，其从与体区的下表面接触的位置延伸到与底部区的下表面接触的位置，并且在体区的下侧与栅极绝缘层接触。底部区包括：低浓度区，其在底表面之中的位于沟槽在纵向上的端部处的第一范围中与栅极绝缘层接触；以及高浓度区，其在底表面之中的与第一范围相邻的第二范围中与栅极绝缘层接触。

公开(公告)号：CN107996003B

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201680033066.8

申请日：2016-06-03

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  水野祥司 ,  渡辺行彦 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种制造绝缘栅开关器件的方法。所述方法包括：在第一SiC半导体层的表面中形成第一沟槽；将p型杂质注入到所述第一沟槽的底表面中；在所述第一沟槽的内表面上沉积第二SiC半导体层以形成第二沟槽；以及形成栅极绝缘层、栅电极、第一区域和体区域，使得栅极绝缘层覆盖第二沟槽的内表面，栅电极位于第二沟槽中，第一区域为n型并与栅极绝缘层接触，体区域为p型，与注入区域分离，并且在第一区域下方与栅极绝缘层接触。

公开(公告)号：CN110235229A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880006937.6

申请日：2018-01-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 浦上泰 ,  加藤武宽 ,  青井佐智子

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

Abstract: 通过进行H2退火而使层间绝缘膜(10)致密化。通过进行这样的致密化，与不进行致密化的情况相比，层间绝缘膜(10)变硬。因此，即使在对于层间绝缘膜(10)形成接触孔(10a、10b)后进行成为高温的加热工序，也抑制接触孔(10a、10b)的侧壁的角部变圆。由此，即使成为金属电极的Al－Si层(9d、31c)向接触孔(10a、10b)内的进入量较多，也抑制基于应力的层间绝缘膜(10)的变形，抑制因该应力而使栅极绝缘膜(7)产生裂纹。

公开(公告)号：CN106057912A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610211107.X

申请日：2016-04-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 三宅裕树 ,  永冈达司 ,  宫原真一朗 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种二极管以及二极管的制造方法，该二极管使具有p型接触区和n型接触区的二极管的耐压提高。二极管具有：多个p型接触区，它们与阳极电极接触；n型接触区，其在相邻的两个p型接触区之间与阳极电极接触；阴极区，其被配置于p型接触区与n型接触区的背面侧，且与阴极电极接触。p型接触区具有：第一区域，其与阳极电极接触；第二区域，其被配置于第一区域的背面侧，并具有与第一区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度；第三区域，其被配置于第二区域的背面侧，并具有与第二区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度。所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度相比较厚。