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公开(公告)号：CN103493197A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280018795.8
申请日：2012-04-18
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L24/30 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/06181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/83205 , H01L2224/83801 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置，包括：第一半导体元件（10）；第一厚板部（31），由导体形成且电连接到第一半导体元件的下表面侧的电极（11）；第二半导体元件（20），其主表面面向第一半导体元件的主表面；第二厚板部（32），由导体形成且电连接到第二半导体元件的下表面侧的电极（21）；第三厚板部（41），由导体形成且电连接到第一半导体元件的上表面侧的电极（12）；第四厚板部（42），由导体形成且电连接到第二半导体元件的上表面侧的电极（22）；第一薄板部（33、34），由导体形成并被设置在第二厚板部上且比第二厚板部薄；以及第二薄板部（43、44），由导体形成并被设置在第三厚板部上且比第三厚板部薄。第一薄板部和第二薄板部固定在一起并且电连接。
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公开(公告)号：CN118805251A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380024630.X
申请日：2023-02-10
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在基板(50)配置有半导体元件，漏极电极与表面金属体(52)电连接。主端子(91)在与表面金属体(52)之间形成有一个基于固相接合的接合部(120)。镀膜(130)以将接合部(120)覆盖的方式设在表面金属体(52)及主端子(91)上。主端子(91)作为与表面金属体(52)重叠的重叠区域(911)而具有提供接合部的接合区域(912)和在主端子(91)的至少宽度方向上与接合区域(912)邻接设置的非接合区域(913)。主端子(91)是重叠区域(911)的宽度比接合部(120)的宽度大的宽度较宽端子。
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公开(公告)号：CN110858568B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910766324.9
申请日：2019-08-20
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 川岛崇功
Abstract: 半导体装置具备：第1及第2导体板，夹着第1及第2半导体元件相互相对；第1导体隔件，配置于第1半导体元件与第2导体板之间；第2导体隔件，配置于第2半导体元件与第2导体板之间；以及密封体，设置于第1导体板与第2导体板之间。第2导体板的下表面具有被接合第1导体隔件的第1接合区域、被接合第2导体隔件的第2接合区域、密封体密接的密接区域以及密封体剥离的剥离区域。密接区域包围第1接合区域、第2接合区域以及剥离区域。而且，剥离区域位于第1接合区域与第2接合区域之间。
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公开(公告)号：CN117157759A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280028950.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/07
Abstract: 半导体装置(20)与冷却器(120)在Z方向上排列而配置。半导体装置(20)具备：半导体元件(40)，在两面具有主电极(40D、40S)；一对基板(50、60)，以夹着半导体元件(40)的方式配置；以及导电间隔件(70)，介于基板(60)与半导体元件(40)之间。基板(50、60)具有绝缘基材(51、61)、与对应的主电极连接的表面金属体(52、62)、背面金属体(53、63)。在半导体装置(20)中，设比半导体元件(40)靠基板(50)侧的厚度为T1，设比半导体元件(40)靠基板(60)侧的厚度为T2，则满足T1≥T2的关系。
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公开(公告)号：CN110120371B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201910082742.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种半导体装置，包括：第一半导体元件，第一信号端子组，以及与所述第一信号端子组间隔设置的第二信号端子组。所述第一半导体元件包括：控制信号电极，向其输入用于所述第一半导体元件的控制信号；以及温度信号电极，其输出与所述第一半导体元件的温度对应的信号。所述温度信号电极与所述第一信号端子组中包括的温度信号端子连接；以及所述控制信号电极与所述第二信号端子组中包括的第一控制信号端子连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111354709B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201911319889.9
申请日：2019-12-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：基板，其由绝缘体构成；第1导体膜，其设置于基板的一侧表面；半导体元件，其具有第1电极和第2电极，第1电极连接于第1导体膜；以及外部连接端子，其具有内端部分和外端部分，内端部分位于基板与半导体元件之间并连接于第2电极。外部连接端子还具有中间部分，该中间部分位于内端部分与外端部分之间并接合于基板的所述一侧表面。外部连接端子的中间部分与基板之间的距离比外部连接端子的内端部分与基板之间的距离大。
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公开(公告)号：CN108695177B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201810263524.8
申请日：2018-03-28
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，良好地进行引线框与半导体芯片的定位。是通过使用夹具将半导体芯片连接于引线框来制造半导体装置的方法。所述半导体芯片在一个面上具有主电极。所述引线框具有接合用凸部和在所述接合用凸部的周围配置的由凸形状或凹形状构成的定位部。所述制造方法包括：以在所述接合用凸部与所述夹具之间空出间隔的状态使所述夹具卡合于所述定位部的工序；使所述夹具卡合于所述半导体芯片的工序；及在使所述定位部和所述半导体芯片卡合于所述夹具的状态下，将所述接合用凸部经由焊料连接于所述半导体芯片的所述主电极的工序。
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公开(公告)号：CN111952270A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010408963.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/492 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包括：半导体元件；密封体，密封半导体元件；以及导体部件，在密封体的内部经由焊料层与半导体元件接合。导体部件具有与焊料层接触的接合面和从接合面的周缘延伸的侧面。在侧面设置有非粗糙化区域和表面粗糙度大于非粗糙化区域的粗糙化区域。并且，非粗糙化区域与接合面的周缘相邻。
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公开(公告)号：CN106062950B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580012369.7
申请日：2015-01-15
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：半导体元件；第一板状部，其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接，并具备从侧面突起的第一接头部，且由导电体构成；第二板状部，其具备从侧面突起的第二接头部，且由导电体构成，所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置，且经由导电性的接合材料而被电连接，在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处，设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
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公开(公告)号：CN105518841B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480048461.4
申请日：2014-08-29
IPC: H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/492 , H01L23/495
Abstract: 半导体装置包括：对置的第一和第二金属板；多个半导体元件，均介于第一和第二金属板之间；金属块，其介于第一金属板和每个半导体元件之间；焊料构件，其介于第一金属板和金属块之间且将第一金属板连接至金属块；和注塑树脂，其密封半导体元件和金属块。第一金属板的一面，其为金属块经由焊料构件连接至第一金属板的一面的对置侧，暴露于注塑树脂外。第一金属板具有沿着其中设置有焊料构件的区域外周形成的凹槽，凹槽共同围绕焊料构件以防止焊料构件在第一金属板的黏结面上散布。每个半导体元件可以是功率半导体开关元件如IGBT，其在转换电功率时进行开关操作，且每个半导体元件可以是为了在中断对应的一个半导体元件时循环电流所需的回流二极管。
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