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公开(公告)号：CN105556840B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201480051082.0
申请日：2014-09-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供振动装置及其制造方法，能够抑制由于温度变化而产生的共振频率的偏差。振动装置(1)具备：支承部(2)；与上述支承部(2)连接，且具有作为简并半导体的n型Si层(11)的振动臂(3a、3b、3c)；以及被设置为使上述振动臂(3a、3b、3c)激振的电极(16、17)，以与上述n型Si层(11)的下表面接触的方式设置含有杂质的硅氧化膜(12、13)。
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公开(公告)号：CN105659495B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201480041241.9
申请日：2014-08-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 梅田圭一
CPC classification number: H03H9/17 , H03H3/02 , H03H9/0504 , H03H9/13 , H03H9/174 , H03H9/21 , H03H2003/0407
Abstract: 本发明涉及压电谐振器及其制造方法。提供一种抑制了基于Si的厚度偏差的谐振频率的偏差的压电谐振器。压电谐振器(1)具备单晶Si(5)、设置在上述单晶Si(5)上的由氮化铝构成的压电膜(8)、以及被设置成夹着上述压电膜(8)的第一电极和第二电极(6、7)，在由上述氮化铝构成的压电膜(8)掺杂有除了氮以及铝的元素，除了上述单晶Si(5)的部分的音速的合成音速实质上与上述单晶Si(5)的音速一致。
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公开(公告)号：CN108141196A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057976.X
申请日：2016-10-31
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H3/0072 , H03H3/007 , H03H3/04 , H03H9/0561 , H03H9/24 , H03H2003/0435
Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。
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公开(公告)号：CN108140723A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680060519.6
申请日：2016-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/187 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/257 , H01L41/316 , H03H9/17 , H04R17/02 , H04R31/00
CPC classification number: H04R17/02 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/257 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/02574 , H03H9/173 , H03H9/174 , H04R17/10 , H04R31/00
Abstract: 本发明提供能够高精度地进行相邻的压电体层的极化轴方向的控制的双压电晶片型的压电元件。本发明涉及的压电元件(1)具备：第一压电体层(4)，在厚度方向具有第一极化轴方向(P1)，并且由AlN构成；第二压电体层(5)，堆积在第一压电体层(4)上，具有与第一极化轴方向(P1)相反方向的第二极化轴方向(P2)，并且由GeAlN构成；第一电极(3a)，设置于第一压电体层(4)的与第二压电体层(5)侧相反的一侧；以及第二电极(3b)，设置于第二压电体层(5)的与第一压电体层(4)侧相反的一侧。
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公开(公告)号：CN105379115A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480026919.6
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21
Abstract: 本发明提供一种不导致k2Q的降低地增大静电电容，并可降低谐振电阻的振动装置。振动装置(1)的在Y方向上延伸的2N根(N是2以上的整数)音叉臂(3)～(6)在X方向上并排，在设置有2N根音叉臂(3)～(6)的区域中，相对于通过X方向中心且在Y方向上延伸的虚拟线A，一侧的N根音叉臂(3)、(4)的弯曲振动的相位与另一侧的N根音叉臂(6)、(5)的弯曲振动的相位对称。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108140723B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201680060519.6
申请日：2016-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/187 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/257 , H01L41/316 , H03H9/17 , H04R17/02 , H04R31/00
Abstract: 本发明提供能够高精度地进行相邻的压电体层的极化轴方向的控制的双压电晶片型的压电元件。本发明涉及的压电元件(1)具备：第一压电体层(4)，在厚度方向具有第一极化轴方向(P1)，并且由AlN构成；第二压电体层(5)，堆积在第一压电体层(4)上，具有与第一极化轴方向(P1)相反方向的第二极化轴方向(P2)，并且由GeAlN构成；第一电极(3a)，设置于第一压电体层(4)的与第二压电体层(5)侧相反的一侧；以及第二电极(3b)，设置于第二压电体层(5)的与第一压电体层(4)侧相反的一侧。
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公开(公告)号：CN111264031A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880068819.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够减少产品高度的增加并且将振动空间保持为真空的谐振装置。上述谐振装置具备MEMS设备和CMOS设备，上述MEMS设备具有：谐振子，具有下部电极、上部电极以及形成于下部电极与上部电极之间的压电膜；上盖，与谐振子的上部电极对置而设置；以及下盖，与谐振子的下部电极对置而设置、并设置为与上盖一起密封谐振子，上述CMOS设备安装于上盖和下盖之中任一个盖的与朝向谐振子的一侧相反侧的面，CMOS设备具有CMOS层、和在该CMOS层的与朝向谐振子的一侧相反侧的面所设置的保护层，上盖和下盖之中的与CMOS设备接合的盖具有将该CMOS设备与谐振子电连接的贯通电极。
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公开(公告)号：CN105379115B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201480026919.6
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21
Abstract: 本发明提供一种不导致k2Q的降低地增大静电电容，并可降低谐振电阻的振动装置。振动装置(1)的在Y方向上延伸的2N根(N是2以上的整数)音叉臂(3)～(6)在X方向上并排，在设置有2N根音叉臂(3)～(6)的区域中，相对于通过X方向中心且在Y方向上延伸的虚拟线A，一侧的N根音叉臂(3)、(4)的弯曲振动的相位与另一侧的N根音叉臂(6)、(5)的弯曲振动的相位对称。
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