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公开(公告)号：CN109478876A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780034355.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明提供谐振器和谐振装置。抑制在保持部上的绝缘体层带电的电荷对谐振频率造成的影响。谐振器具备：振动部，具有压电膜、设置为将该压电膜夹持在中间并对置的下部电极和上部电极，上述振动部以规定的振动模式进行振动；保持部，至少设置于振动部的振动的位移成为最大的位移最大区域的周围，并具有绝缘膜；保持臂，对振动部与保持部进行连接；和导电部，形成为在保持部中的至少与振动部的位移最大区域对置的区域中，与保持部的绝缘膜连接，导电部与下部电极或者上述上部电极电连接，或者被接地。
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公开(公告)号：CN119256491A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380042704.2
申请日：2023-02-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明的谐振装置(1)具备：谐振器(10)，具有：振动部(110)；保持部(140)，配置于振动部(110)周围的至少一部分；以及支承臂(150)，连接振动部(110)和保持部(140)；以及第一基板(20)，具有第一底板(22)、第一侧壁(23)以及第一限制部(25)，其中，上述第一底板(22)在厚度方向上与振动部(110)隔开间隔来设置，上述第一侧壁(23)从第一底板(22)的周缘部向保持部(140)延伸，厚度方向上的上述第一限制部(25)与谐振器(10)之间的距离小于谐振器(10)与第一底板(22)之间的距离的，在第一限制部(25)的在厚度方向上与谐振器(10)对置的前端部设置有作为吸气剂发挥功能的第一金属膜(M2)。
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公开(公告)号：CN118715715A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202280091981.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 福光政和
Abstract: 谐振装置(1)具备：第一基板(50)，包含第一硅基板(20)以及谐振子(10)；第二基板(30)，配置于第一基板(50)中的设置了谐振子(10)的一侧；以及接合部(60)，将第一基板(50)与第二基板(30)接合以使谐振子(10)的振动空间密封，谐振子(10)具有设置于与第一硅基板(20)对置的一侧的面的硅膜(F2)，硅膜(F2)在第一基板的俯视时的包围振动空间的整周区域与第一硅基板(20)直接接合。
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公开(公告)号：CN117897621A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280059137.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01P15/125 , H01L29/84
Abstract: 抑制静电电容值的检测精度的下降。惯性传感器(1)包括：MEMS基板(50)，其包含静电电容部(110)、保持部(130)以及弹簧部(150)，静电电容部(110)具有第1可动电极(111)和第2可动电极(115)，构成为静电电容与第1可动电极(111)和第2可动电极(115)之间的距离相应地变化，保持部(130)构成为保持静电电容部(110)，弹簧部(150)将静电电容部(110)和保持部(130)连接，该弹簧部(150)构成为将第1可动电极(111)和第2可动电极(115)分别支承为能够相对于保持部(130)移位；以及上盖(30)，其与MEMS基板(50)接合。
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公开(公告)号：CN112335178B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201980041750.4
申请日：2019-07-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明提供一种能够抑制构成连接部的共晶合金的一部分金属沿着连接布线扩散的MEMS设备。谐振装置(1)具备：MEMS基板(50)，包含谐振器(10)、和与谐振器(10)电连接的连接布线由第一金属层(71)和设置于MEMS基板(50)侧的第二金属层(72)的共晶合金构成，在俯视MEMS基板(50)的主面时，连接布线(75)的线宽(WL)比连接部的宽度(WC)小。(75)；以及连接部(70)，与连接布线(75)电连接，
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公开(公告)号：CN116783822A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202180092165.4
申请日：2021-09-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H3/007
Abstract: 本发明的谐振装置(1)的制造方法包含：准备集合基板(100)，该集合基板具有电连接于多个谐振子(10)各自的上部电极(125)的多个第一电源端子(ST1)、和将多个第一电源端子(ST1)中的至少两个电连接的第一连结布线(LL)；以及将集合基板(100)分割为多个谐振装置(1)，多个第一电源端子(ST1)由第一金属层(ML1)、和覆盖第一金属层(ML1)的第二金属层(ML2)构成，第一连结布线(LL)由第一金属层(ML1)中的从被第二金属层(ML2)覆盖的区域延伸突出的部分构成，谐振装置(1)的制造方法还包含：在将集合基板(100)分割为多个谐振装置(1)前，除去第一金属层(ML1)中的从被第二金属层(ML2)覆盖的区域延伸突出的部分。
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公开(公告)号：CN112567500A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201980053800.0
申请日：2019-06-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 福光政和
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , B28D5/00 , B81B3/00 , B81C3/00
Abstract: 本发明提供能够抑制器件部的损伤的MEMS器件的制造方法以及MEMS器件。谐振装置(1)的制造方法包括：从第二基板(350)的下表面侧照射激光LL，以便沿上表面形成有器件部的第一基板(330)与上表面经由接合部(60)与第一基板(330)的下表面接合的第二基板(350)的分割线(LN1、LN2)在第二基板(350)的内部形成改性区域(MA2)的工序S306；以及对改性区域(MA2)施加应力并沿分割线(LN1、LN2)来分割第一基板(330)以及第二基板(350)的工序S307，接合部(60)沿分割线(LN1、LN2)而形成，以遮挡激光(LL)。
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公开(公告)号：CN111630775A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880087430.8
申请日：2018-09-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够将谐振子的振动空间保持为高真空的谐振装置和谐振装置制造方法。谐振装置(1)具备：MEMS基板(50)，其包括谐振子；上盖(30)；接合部(60)，其密封谐振子(10)的振动空间地将MEMS基板(50)与上盖(30)接合，接合部包括从MEMS基板(50)侧至上盖(30)侧连续设置的由锗与以铝为主成分的金属的共晶合金构成的共晶层(65)、第1钛层(63)、第1铝氧化膜(62)和第1导电层(61)。
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公开(公告)号：CN107735858A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680035601.3
申请日：2016-06-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/02 , H01L23/10 , H01L24/94 , H01L2924/16235
Abstract: 减少切割时作用于密封框的应力。本发明所涉及的晶圆级封装具备：第一晶圆；第二晶圆，其与第一晶圆对置地设置；多个大致矩形的芯片，它们设置于第一晶圆和第二晶圆之间且阵列状地配置；多个密封框，它们隔开规定的间隔设置，并通过包围多个大致矩形的芯片的每一个来密封该芯片；以及连结部，其连结分别密封多个芯片中的角相互对置的芯片的密封框彼此。
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