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公开(公告)号：CN1118109C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN97105527.0
申请日：1997-06-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种多层薄膜电极，它包括交替地叠加在介电衬底上的薄导电膜和薄介电膜，在介电衬底中产生电-磁场，在各薄介电膜中产生电-磁场，在预定的频率下，基本上具有相同的相位。根据本发明的多层薄膜电极，在介电衬底与其相邻的薄导电膜之间，以及各薄导电膜与其相邻的薄介电膜之间，分别提供与薄导电膜相比更易于形成金属氧化物的粘附导电膜；根据薄介电膜和介电衬底的介电常数以及至少一层粘附导电膜的厚度，通过校正各薄介电膜的厚度，消除由于形成粘附导电膜而引起的薄导电膜表面电抗的增加。
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公开(公告)号：CN1271189A
公开(公告)日：2000-10-25
申请号：CN00106949.7
申请日：2000-04-19
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P3/081 , H01P1/203 , H01P1/2039 , H01P7/082 , H05K1/0239 , H05K1/0242 , H05K2201/09254 , H05K2201/093 , H05K2201/09663 , H05K2201/09781
Abstract: 传输线、谐振器、滤波器、双工器及通信设备把由边缘效应引起的功耗减到最小,从而具有极好的损耗减少特性。在介电衬底上形成连续线及从连续线的两侧分出且具有预定长度的多条细线。依据此,基本上不存在各条细线的边缘,可把边缘效应引起的损耗减到最小。
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公开(公告)号：CN1260604A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN99126971.3
申请日：1999-12-22
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/20381 , H01P1/2135 , H01P7/082
Abstract: 一种谐振器,提供了良好的损耗特性,它有效地抑制了由于边缘效应引起的功率损耗。此外,形成了引入这种谐振器的滤波器、双工器以及通信设备。在这种谐振器中,在介质基片的表面上以这样的方式设置多条螺旋线,使这些线条的两端与围绕基片上中心点的周边上取齐,使这些线条彼此不相交。有了这种结构,螺旋线条的边缘部分基本上被消除了,这样,可以有效地抑制由于边缘效应引起的功率损耗。
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公开(公告)号：CN1255754A
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN99118503.X
申请日：1999-08-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P3/08
CPC classification number: H01P1/201 , H01P1/20363 , H01P1/20381 , H01P3/023 , H01P3/026 , H01P3/081 , H01P7/082 , H01P7/084 , Y10S505/70 , Y10S505/701 , Y10S505/866
Abstract: 本发明提供了一种高频电极,包含主导体和沿主导体的侧面形成的至少两个分导体。分导体如此形成,从而它们位于更为接近于外面的分导体的宽度更小。
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公开(公告)号：CN1253393A
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN99118601.X
申请日：1999-08-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P3/08
CPC classification number: H01P7/082 , H01P1/20363 , H01P1/20381 , H01P3/023 , H01P3/026 , H01P3/081 , H01P3/085 , H01P7/084 , Y10S505/70 , Y10S505/701 , Y10S505/866
Abstract: 本发明提供了一种高频低损失电极,它包含主导体和沿主导体的侧面形成的至少一个分导体。至少一个分层体的宽度具有多层结构,其中薄膜导体和薄膜电介质交替层叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1244955A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN98802075.0
申请日：1998-01-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/213 , H01P1/2084 , H01P7/10 , H01P11/008
Abstract: 本发明提供了一种介质谐振器,它具有在前表面和后表面上形成有电极的介质基片,其中至少一个电极由通过交替地层叠特定厚度的薄膜导电层和特定厚度薄膜介质层薄膜多层电极构成。通过抛光或蚀刻介质基片的周围部分和形成在介质基片的两个主表面上的电极的周围部分,电极的端部不电气连接。通过这样的方法,可以得到如此的介质谐振器,它可以最好地使用薄膜多层电极的低损耗特性。
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公开(公告)号：CN117940930A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280060156.1
申请日：2022-08-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明导出具有三端子以上的端子的多端子电容器的等效电路模型。一种创建正极的外部电极端子列和负极的外部电极端子列平行地交替排列的多端子电容器的等效电路模型的方法，包含：测定多端子电容器的S参数的步骤；基于测定的S参数的测定值来导出多端子电容器整体的阻抗的步骤；根据导出的多端子电容器整体的阻抗来创建二端子的等效电路模型的步骤；根据创建的二端子的等效电路模型来导出单位单元的等效电路模型的步骤；将导出的单位单元的等效电路模型和寄生成分的等效电路模型组合来创建二维格子状的拓扑结构的步骤；以及在创建的二维格子的拓扑结构的节点设定多端子电容器的端子的步骤。
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公开(公告)号：CN117882079A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280058904.2
申请日：2022-08-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明导出具有三端子以上的端子的多端子电容器的等效电路模型。一种创建正极和负极的外部电极端子呈交错状排列的多端子电容器的等效电路模型的方法，包含：测定多端子电容器的S参数的步骤；基于测定的S参数的测定值，导出多端子电容器整体的阻抗的步骤；根据导出的整体的阻抗，创建二端子的等效电路模型的步骤；根据创建的二端子的等效电路模型，导出单位单元的等效电路模型的步骤；将由电容性以及电感性的电路要素形成的寄生成分的等效电路模型与导出的单位单元的等效电路模型组合，创建三维格子状的拓扑结构的步骤；以及在创建的三维格子的拓扑结构的节点设定多端子电容器的端子的步骤。
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公开(公告)号：CN104246777B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201380018415.5
申请日：2013-02-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F17/5036 , H01G4/12 , H01G4/255 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种电容器的等效电路模型的导出方法，能够高精度且简单地导出具有与施加于电容器的直流电压相对应的特性的等效电路模型。本发明中，构成电容器(1)的等效电路模型的预定的电阻元件(R2～R6)以及电容元件(C1、C7、C8)的特性值与施加于电容器(1)的DC偏压(v2)相对应，因构成电容器(1)的电介质(2)的材质而发生变化。但是，通过将这些电阻元件(R2～R6)以及电容元件(C1、C7、C8)在未施加DC偏压(v2)时的特性值，按照适用规则(16)与无因次系数(15)相乘，从而将电阻元件(R2～R6)以及电容元件(C1、C7、C8)的特性值修正为与施加于电容器1的DC偏压(v2)的施加电压相对应的值。
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公开(公告)号：CN105229644A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480027885.2
申请日：2014-05-02
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F17/10
Abstract: 本发明以简单的结构方便地提供能够高精度地对施加直流电压时的非线性特性进行动态仿真的电容器的仿真方法和非线性等效电路模型。为此，本发明使用无源电路元件R1、C1的串联电路来表示电容器的等效电路。并且，将施加直流电压Vdc时的无源电路元件R1、C1的特性变化率kR1(Vdc)、kC1(Vdc)表示为基于实测值的近似函数exp(f(x))。利用与无源电路元件R1、C1并联连接的控制电流源BR1、BC1，参照参考电压Vref，与参考电压Vref相对应地计算出特性变化率kR1(Vdc)、kC1(Vdc)。并且，基于特性变化率kR1(Vdc)、kC1(Vdc)和未施加时电流IR1、IC1，产生差分电流ΔIR1(Vdc)、ΔIC1(Vdc)，并使该差分电流ΔIR1(Vdc)、ΔIC1(Vdc)并流至未施加时电流IR1、IC1，由此来对非线性特性进行仿真。
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