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公开(公告)号：CN1171381A
公开(公告)日：1998-01-28
申请号：CN97113744.7
申请日：1997-07-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01G4/008
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡;氧化钪、氧化钇、氧化锰和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁,和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分:(1－α－β){BaO}m·TiO2+αM2O3+β(Mn1-xNix)O其中M2O3是选自Sc2O3和Y2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述:0.0025≤α≤0.020;0.0025≤β≤0.04β/α≤4;0≤X
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公开(公告)号：CN1163464A
公开(公告)日：1997-10-29
申请号：CN97102285.2
申请日：1997-01-16
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/468 , C04B35/495 , H01G4/1227 , H01G4/1254
Abstract: 本发明揭示了一种绝缘陶瓷组合物，包括摩尔比为100/0.5至100/5.0的主要组成和次要组分，以及相对于100份重量的所述主要组分和次要组分的总量为0.2至3.0份重量的辅助组分，本发明也揭示了由该陶瓷组合物制造的叠层陶瓷电容器。该绝缘陶瓷组合物即使在低氧分压的气氛中烧结，也不可能成为半导体，其介电常数高于3000，绝缘电阻与静电量的乘积(CR)大于6000Ω·F。
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公开(公告)号：CN117597751A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280044832.6
申请日：2022-06-02
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/30
Abstract: 提供一种可靠性优异的层叠陶瓷电容器。该层叠陶瓷电容器具有在厚度方向上相对的第1主面以及第2主面、在宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面、和在长度方向上相对的第1端面以及第2端面，并具备包含在所述厚度方向上层叠的多个电介质陶瓷层以及多个内部电极层的本体部、以及分别设置在所述第1端面以及第2端面并与所述多个内部电极层电连接的一对外部电极。所述电介质陶瓷层包含由含有钡(Ba)以及钛(Ti)的钙钛矿型复合氧化物构成的晶粒作为主成分，并且还包含稀土类元素(Re)，在包含所述厚度方向的剖面中，所述电介质陶瓷层以50％以上的面积比率包含稀土类元素(Re)相对于钛(Ti)的摩尔比(Re/Ti比)为0.04以上且0.30以下的稀土类高浓度区域。
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公开(公告)号：CN104335306B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380026431.9
申请日：2013-04-30
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/258 , H01C7/1006 , H01C7/102 , H01C7/18 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 提供一种不会因内部电极层的间断而引起性能降低、耐热冲击性良好且可靠性较高的层叠陶瓷电子部件。层叠部(10)之中，将包含与外层部(20)相接的区域的外层部附近区域形成为热冲击缓和部(11)，该热冲击缓和部(11)包括弯曲的陶瓷层(1(1a))、及厚度根据位置而平滑地变化的内部电极层(2(2a))；将较热冲击缓和部更靠内侧的区域形成为通常层叠部(12)，该通常层叠部(12)包括弯曲的程度小于热冲击缓和部沿外层部(20)的主面的方向上的位置而产生的厚度的变化程度小于热冲击缓和部(11)的内部电极层(2(2b))小的内部电极层(2(2b))；热冲击缓和部中，将陶瓷层的厚度的CV值设为15％以下，将至少1层的内部电极层的厚度的CV值设为40％以上，将对相互相邻的一组陶瓷层观察时中点间距离的CV值设为40％以上。(11)的陶瓷层(1(1a))的陶瓷层(1(1b))、及根据
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公开(公告)号：CN103125006B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201280003009.7
申请日：2012-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/12 , C04B35/468 , C04B35/49 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1209 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/588 , H01G4/005 , H01G4/12 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供能够抑制因钒的添加而导致的绝缘电阻的劣化的层叠陶瓷电容器。在第一绝缘层(32、34、36、38)相互层叠的第一绝缘层组(30)的层叠方向两侧层叠有第二绝缘层(20、22)，在第一绝缘层(32、34、36、38)的主面配置有内部电极(14)。内部电极(14)中的至少一个(14x)被配置于第一绝缘层(32)与第二绝缘层(20)之间。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)，在将Ba、Sr、Ca中的至少一个用“A”表示、将Ti、Zr、Hf中的至少一个用“B”表示、将氧用“O”表示时，以化学式″ABO3″所表示的钙钛矿系化合物作为主成分。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)中，仅第一绝缘层(32、34、36、38)中添加有V。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102099880A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201080002124.3
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/005 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/721 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/588 , C04B2237/704 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/1209 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种层叠陶瓷电子部件，其具备具有内部电极的层叠体，即使陶瓷层及内部电极被薄层化，在用以烧结层叠体的焙烧步骤中也不易产生电极切断或玉化等状态变化，且改善DC偏压特性。层叠体(12)针对构成陶瓷层的陶瓷粒径，将其分类成比较大的大颗粒区域(13)与比较小的小颗粒区域(14)。大颗粒区域位于小颗粒区域外侧，大颗粒区域与小颗粒区域的交界面(15)包围层叠体中存在内部电极的部分(16)并位于层叠体的外表面内侧。为获得层叠体，焙烧步骤中，以设定从室温至最高温度的平均升温温度为40℃/秒以上的温度分布进行热处理。
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公开(公告)号：CN1224065C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN01121006.0
申请日：1997-06-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , H01G4/008 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有：钛酸钡，其中杂质，碱金属氧化物的含量低于0.02重量%；至少一种选自氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒和氧化镱的稀土氧化物；氧化锰和非必要的氧化镍；并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分，含有0.5至3.0摩尔氧化镁，以MgO计，和0.2至5.0摩尔氧化硅作为次要组分，以SiO2计：(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-xNix)O，其中Re2O3是选自Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种；α、β、m和x如下所述：0.0025≤α≤0.020；0.0025≤β≤0.04；β/α≤4；0≤x＜1.0；1.000＜m≤1.035。
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公开(公告)号：CN1100332C
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN97115401.5
申请日：1997-07-17
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/468 , H01G4/1227
Abstract: 一种带有介电陶瓷层的叠层陶瓷电容器，该介电陶瓷层的材料包括钛酸钡(其中碱金属氧化物杂质的含量不大于约0.02%(重量))，氧化锰，氧化钴和氧化镍；并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分，含有约0.5至5.0摩尔(以MgO计)的氧化镁，(1-α-β-γ){BaO}m·TiO2+αM2O3+βRe2O3+γ(Mn1-x-yNixCoy)O其中M2O3为Sc2O3和Y2O3中的至少一种；Re2O3是Sm2O3和Eu2O3中的至少一种；α、β、γ、m、x和y为：0.0025≤α+β≤0.0250≤β≤0.00750.0015≤γ≤0.05γ/(α+β)≤40≤x＜1.00≤y＜1.00≤x+y＜1.01.000＜m≤1.035；相对于100份(重量)所述主要组分和氧化镁，含有约0.2至3.0份(重量)Li2O-B2O3-(Si，Ti)O2氧化物玻璃，所述内部电极由镍或镍合金构成。
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公开(公告)号：CN1091539C
公开(公告)日：2002-09-25
申请号：CN97114753.1
申请日：1997-07-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/468
Abstract: 一种叠层陶瓷电容器，包括多层介电陶瓷层，内部电极和与内部电极电连接的外部电极，其中介电陶瓷层包括(a)钛酸钡(其中碱金属氧化物杂质的含量不大于约0.02%(重量))，(b)氧化钪和/或氧化钇，(c)氧化钆、氧化铽和/或氧化镝，(d)氧化锰，(e)氧化钴和(f)氧化镍，为含有下列组分的材料：(1)100摩尔具有下列组成式的组分：(1-α-β){BaO}m·TiO2+α{(1-x)M2O3+xRe2O3}+β(Mn1-y-zNiyCoz)O其中M2O3为所述(b)；Re2O3为所述(c)；O.0025≤α≤0.015；0.0025≤β≤0.05；β/α≤4；0.1＜x≤0.50；0≤y＜0.2；0≤z≤0.5；0≤y+z≤0.5；以及1.005＜m≤1.035，(2)约0.5至5.0摩尔(以MgO计)的氧化镁，以及(3)每100pph组分(1)和(2)约0.2至3.0份(重量)SiO2-TiO2-MO-类氧化物玻璃，其中MO为选自BaO、CaO、SrO、MgO、ZnO和MnO中的至少一种。所述内部电极可以是镍或镍合金。
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公开(公告)号：CN1090371C
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN97102285.2
申请日：1997-01-16
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/468 , C04B35/495 , H01G4/1227 , H01G4/1254
Abstract: 本发明揭示了一种绝缘陶瓷组合物，包括摩尔比为100/0.5至100/5.0的主要组分和次要组分，以及相对于100份重量的所述主要组分和次要组分的总量为0.2至3.0份重量的辅助组分，本发明也揭示了由该陶瓷组合物制造的叠层陶瓷电容器。该绝缘陶瓷组合物即使在低氧分压的气氛中烧结，也不可能成为半导体，其介电常数高于3000，绝缘电阻与静电量的乘积(CR)大于6000Ω·F。
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