公开(公告)号：CN108695362A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810159539.X

申请日：2018-02-26

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 山口阳平 ,  铃村功

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/10 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/14692 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及显示装置。要解决的课题在于提高使用氧化物半导体的TFT的可靠性。显示装置的特征在于，包含具有形成有多个像素的显示区域的基板，所述像素包含使用了第一氧化物半导体(12)的第一TFT，在所述第一氧化物半导体(12)之上，形成第一栅极绝缘膜(13)，所述第一栅极绝缘膜(13)由第一硅氧化膜(131)与第一铝氧化膜(132)的层叠构造形成，在所述第一铝氧化膜(131)之上形成有第一栅电极(14)。

公开(公告)号：CN105261653B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510411819.1

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  石田有亲 ,  植村典弘 ,  三宅秀和 ,  三宅博都 ,  山口阳平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288

Abstract: 根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。

公开(公告)号：CN105278196B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510408263.0

申请日：2015-07-13

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  石田有亲 ,  植村典弘 ,  三宅博都 ,  铃村功 ,  山口阳平

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。

公开(公告)号：CN103633098B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310307336.8

申请日：2013-07-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 植村典弘 ,  野田刚史 ,  三宅秀和 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。

公开(公告)号：CN108695362B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201810159539.X

申请日：2018-02-26

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 山口阳平 ,  铃村功

IPC: H01L27/32

Abstract: 本发明涉及显示装置。要解决的课题在于提高使用氧化物半导体的TFT的可靠性。显示装置的特征在于，包含具有形成有多个像素的显示区域的基板，所述像素包含使用了第一氧化物半导体(12)的第一TFT，在所述第一氧化物半导体(12)之上，形成第一栅极绝缘膜(13)，所述第一栅极绝缘膜(13)由第一硅氧化膜(131)与第一铝氧化膜(132)的层叠构造形成，在所述第一铝氧化膜(131)之上形成有第一栅电极(14)。

公开(公告)号：CN114649259A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210280593.6

申请日：2018-11-28

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供显示装置的制造方法，在具有由氧化物半导体构成的TFT的显示装置中，减小源极/漏极电阻并实现具有稳定的Vd‑Id特性的TFT。形成有多个具有由氧化物半导体(105)构成的薄膜晶体管(TFT)的像素的显示装置，氧化物半导体中形成有沟道，在沟道的两侧形成的漏极及源极，在沟道与漏极之间或沟道与源极之间形成有中间区域，在氧化物半导体的沟道与中间区域之上形成有栅极绝缘膜(106)，在栅极绝缘膜之上形成有氧化铝膜(107)，在沟道的上方且在氧化铝膜之上形成有栅电极(109)，在栅电极的两侧形成有侧壁间隔件(108)，以覆盖栅电极、侧壁间隔件及源极及漏极的方式形成有层间绝缘膜(110)。

公开(公告)号：CN114586162A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202080074284.2

申请日：2020-09-02

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 望月真里奈 ,  铃村功

IPC: H01L27/30 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44

Abstract: 在包括使用银来作为光导电膜的阴极的光传感器在内的半导体器件中，防止因银的氧化引起的电阻上升和光反射特性的下降。一种半导体器件，其在衬底(100)之上形成有薄膜晶体管，其特征在于，与所述薄膜晶体管电连接的电极由银膜(128)形成，在所述银膜之上形成有第一ITO膜(129)，在所述第一ITO膜(129)之上形成有氧化铝(AlOx)膜(130)。

公开(公告)号：CN111512356B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201880083528.6

申请日：2018-11-28

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明的课题为，在具有由氧化物半导体构成的TFT的显示装置中，减小源极/漏极电阻并实现具有稳定的Vd‑Id特性的TFT。本发明的内容为：形成有多个具有由氧化物半导体105构成的薄膜晶体管(TFT)的像素的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体105中形成有沟道，在所述沟道的两侧形成的漏极及源极，在所述沟道与所述漏极之间或所述沟道与所述源极之间形成有中间区域，在所述氧化物半导体105的所述沟道与所述中间区域之上形成有栅极绝缘膜106，在所述栅极绝缘膜106之上形成有氧化铝膜107，在所述沟道的上方且在所述氧化铝膜107之上形成有栅电极109，在所述栅电极109的两侧形成有侧壁间隔件108，以覆盖所述栅电极109、所述侧壁间隔件108及所述源极及漏极的方式形成有层间绝缘膜110。

公开(公告)号：CN107403869B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201710353681.3

申请日：2017-05-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 石井良典 ,  渡部一史 ,  铃村功

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明涉及显示装置。本发明要解决的课题为改善针对水分的阻隔特性，从而实现可靠性高的有机EL显示装置。本发明的解决手段为一种有机EL显示装置，其特征在于，是在基板(100)上形成TFT、在所述TFT之上形成有机EL层(112)的有机EL显示装置，在所述有机EL层(112)之上形成保护层(114)，在所述基板(100)与所述TFT之间形成有包含AlOx的第一阻隔层(10)。

公开(公告)号：CN106409917B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201610509513.4

申请日：2016-06-30

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 佐佐木俊成 ,  铃村功

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/47635 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969

Abstract: 提供可靠性高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法中，在绝缘层上形成使绝缘层的一部分露出的氧化物半导体层，对从氧化物半导体层露出的绝缘层进行使用了含有氯的气体的等离子处理，将露出的绝缘层的表层的氯杂质除去。氯杂质也可以通过使用含有氟的气体的第1蚀刻处理而被除去。含有氟的气体也可以包括CF4以及CHF3。等离子处理可以是使用含有氯的气体的第2蚀刻处理。