半导体制造装置的原料气体供给装置

    公开(公告)号:CN103649367B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201280033804.0

    申请日:2012-04-25

    Abstract: 本发明包括:液体原料气体供给源;源储罐,其储存所述液体原料气体;气体流通路,其从所述源储罐的内部上方空间部向处理腔供给为液体原料气体蒸汽的原料气体;自动压力调整器,其间置于该气体流通路的上游侧,且将向处理腔供给的原料气体的供给压力保持为设定值;供给气体切换阀,其间置于所述气体流通路的下游侧,且对向处理腔供给的原料气体的通路进行开闭;节流孔,其设于该供给气体切换阀的入口侧和出口侧中的至少一方,且调整向处理腔供给的原料气体的流量;以及恒温加热装置,其将所述源储罐、所述气体流通路和供给气体切换阀以及节流孔加热至设定温度,在本发明中,将自动压力调整器下游侧的原料气体的供给压力控制为所期望的压力,并且向处理腔供给设定流量的原料气体。

    半导体制造装置的原料气体供给装置

    公开(公告)号:CN103649367A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201280033804.0

    申请日:2012-04-25

    Abstract: 本发明包括:液体原料气体供给源;源储罐,其储存所述液体原料气体;气体流通路,其从所述源储罐的内部上方空间部向处理腔供给为液体原料气体蒸汽的原料气体;自动压力调整器,其间置于该气体流通路的上游侧,且将向处理腔供给的原料气体的供给压力保持为设定值;供给气体切换阀,其间置于所述气体流通路的下游侧,且对向处理腔供给的原料气体的通路进行开闭;节流孔,其设于该供给气体切换阀的入口侧和出口侧中的至少一方,且调整向处理腔供给的原料气体的流量;以及恒温加热装置,其将所述源储罐、所述气体流通路和供给气体切换阀以及节流孔加热至设定温度,在本发明中,将自动压力调整器下游侧的原料气体的供给压力控制为所期望的压力,并且向处理腔供给设定流量的原料气体。

    凸轮式控制阀
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102483180A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080037326.1

    申请日:2010-11-05

    CPC classification number: F16K7/16 F16K31/047 F16K31/52408

    Abstract: 本发明提供了一种当向上下方向对安装了凸轮的马达进行高度调整时容易接近调整螺丝的凸轮式控制阀。该凸轮式控制阀具备:具有流体流路(2)和阀座(3)的阀箱(4)、就位于阀座(3)或离开阀座(3)而开闭流体流路(2)的阀体(5)、压下阀体(5)并使该阀体抵接于阀座(3)的阀棒(6)、作用于阀棒(6)而压下阀棒(6)的凸轮(7)、对凸轮(7)进行旋转驱动的马达(8)、保持马达(8)的马达保持器(9)、固定于阀箱(4)并以能够上下移动的方式支撑马达保持器(9)的支撑框(10)、沿着使马达保持器(9)从支撑框(10)的上边部离开的方向驱使该马达保持器的弹性部件(11)以及用于将马达保持器(9)以悬挂状支撑于支撑框(10)并调整马达保持器(9)相对于支撑框(10)的高度的高度调整螺丝(12),该高度调整螺丝(12)以能够滑动的方式插入支撑框(10)的上边部并拧入马达保持器(9)。

    原料的气化供给装置以及用于其的自动压力调节装置

    公开(公告)号:CN101479402B

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN200780024242.2

    申请日:2007-06-13

    CPC classification number: C23C16/4481 C23C16/52 G05D16/2013 Y10T137/7737

    Abstract: 实现基于MOCVD法的用于半导体制造的原料气化供给装置的构造的简易化和小型化,并且高精度地控制原料向加工室的供给量,从而实现半导体的品质的稳定化和品质的提升。本发明的原料气体供给装置,具有:原料容器,贮留原料;流量控制装置,将来自载流气体供给源的一定流量的载流气体(G1)一边调整流量一边向上述原料容器的原料中供给;1次配管路,导出积存在原料容器的上部空间中的原料的蒸气(G4)与载流气体(G1)的混合气体(G0);自动压力调节装置,基于上述1次配管路的混合气体(G0)的压力以及温度的检测值来调节夹设在1次配管路的末端上的控制阀的开度,调节混合气体(G0)所流通的通路截面积,从而保持原料容器内的混合气体(G0)的压力为恒定值;恒温加热部,将上述原料容器以及自动压力调节装置的除了运算控制部的部分加热至设定温度,一边控制原料容器内的内压为期望的压力一边向加工室供给混合气体(G0)。

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