公开(公告)号：CN1905187B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200610100167.0

申请日：2000-01-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  柴田宽 ,  福永健司

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L29/42384 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78645

Abstract: 提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。

公开(公告)号：CN100521119C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610099734.5

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN100472838C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200410056393.4

申请日：2001-02-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福永健司 ,  丸山纯矢

IPC: H01L51/52 ,  H05B33/12 ,  H05B33/26

Abstract: 提供了明亮和高度可靠的发光器件。阳极(102)、EL层(103)、阴极(104)和辅助电极(105)以叠层顺序地形成在反射电极(101)上。此外，阳极(102)、阴极(104)和辅助电极(105)是对可见光透明或半透明的。在这种结构中，EL层(103)中产生的光几乎全部照射到阴极(104)一侧，由此象素的有效发光面积显著增强。

公开(公告)号：CN1299331C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN01133094.5

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN1905187A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610100167.0

申请日：2000-01-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  柴田宽 ,  福永健司

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L29/42384 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78645

Abstract: 提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。

公开(公告)号：CN1881610A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610101410.0

申请日：2000-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  北角英人 ,  福永健司

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78675

Abstract: 根据本发明的一种半导体器件，包括：一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。

公开(公告)号：CN1277312C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN99124856.2

申请日：1997-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层，并在含卤素气氛中热处理，除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。

公开(公告)号：CN1825598A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610002594.5

申请日：1997-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层，并在含卤素气氛中热处理，除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。

公开(公告)号：CN1825593A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610002503.8

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/0688 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1872 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10S257/903 ,  Y10S257/904 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体薄膜，其形成有横向生长区，它是柱状或针状晶体的集合，其通常平行于衬底伸展。用具有等效能量激光或强光对半导体薄膜进行照射，结果使相邻的柱状或针状晶体结合在一起，形成实质上没有晶界的区域，即实质上可看作单晶的单畴区。半导体器件可通过使用单畴区作为有源层而形成。本发明还涉及制造所述半导体薄膜的方法和含有该半导体薄膜的器件和电器。

公开(公告)号：CN1237617C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02143810.2

申请日：1997-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  宫永昭治 ,  福永健司

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种静态随机存取存储器，包括：一个衬底；一对在衬底上形成的交叉连接的驱动晶体管；一对数据选取晶体管；一对位线，经所述数据选取晶体管分别电连接到所述交叉连接的驱动晶体管；以及一位线，电连接到所述一对数据选取存取晶体管，其中，至少各个交叉连接的驱动晶体管包括在衬底上的绝缘表面上形成的结晶半导体膜，所述结晶半导体膜具有其中形成有沟道形成区的单畴区。