公开(公告)号：CN112005350A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980027125.4

申请日：2019-04-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 根井孝征 ,  村川努 ,  竹内敏彦 ,  菅谷健太郎

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/532 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层，第一层及第二层各自包括晶体管，第一层中的晶体管及第二层中的晶体管各自包括第一氧化物、第一氧化物上的第一导电体及第二导电体、以覆盖第一导电体、第二导电体及第一氧化物的方式配置的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一氧化物上的在第一导电体与第二导电体之间配置的第二氧化物、第二氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及与第二绝缘体的顶面、第二氧化物的顶面、第三绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触的第四绝缘体，第一绝缘体及第四绝缘体与第二绝缘体相比不容易使氧透过。

公开(公告)号：CN111448669A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201880079057.1

申请日：2018-11-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  泽井宽美 ,  德丸亮 ,  竹内敏彦 ,  村川努 ,  永松翔 ,  森若智昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。半导体装置包括导电体、与导电体的侧面接触的第一绝缘体、与导电体的顶面及第一绝缘体的顶面接触的第二绝缘体以及第二绝缘体上的氧化物，氧化物具有隔着第二绝缘体与导电体重叠的区域，导电体的顶面的粗糙度曲线的最大高度(Rz)为6.0nm以下，区域包含结晶，结晶的c轴取向于导电体的顶面的法线方向。

公开(公告)号：CN107424927A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710291791.1

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤裕平 ,  佐藤惠司 ,  佐佐木俊成 ,  丸山哲纪 ,  矶部敦生 ,  村川努 ,  手塚祐朗

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/477 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66409

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。

公开(公告)号：CN102282523A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200980154959.8

申请日：2009-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井上广树 ,  加藤清 ,  长塚修平 ,  镰田康一郎 ,  村川努 ,  辻隆博 ,  井加田香

IPC: G05F1/56 ,  G06K19/07

CPC classification number: G05F3/16 ,  G05F1/56 ,  G05F3/242

Abstract: 本发明的目的是提供噪声容限有改善的调节器电路。在调节器电路中包括：偏置电路，其基于第一电源端子和第二电源端子之间的电位差生成基准电压；以及电压调节器，其基于从偏置电路输入的基准电位向输出端子输出电位。旁路电容器被设置在电源端子与连接至包含在偏置电路中的晶体管的栅极的节点之间。

公开(公告)号：CN101452962A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810183805.9

申请日：2008-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  后藤裕吾 ,  村川努

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1218

Abstract: 本发明的目的在于提供在施加诸如弯曲等的外力而产生应力的情况下也降低晶体管等的损伤的半导体装置。本发明的半导体装置包括：设置在具有挠性的衬底上的第一岛状加强膜；在第一岛状加强膜上具有沟道形成区域和杂质区域的半导体膜；在沟道形成区域的上方隔着栅极绝缘膜而设置的第一导电膜；以覆盖第一导电膜及栅极绝缘膜的方式设置的第二岛状加强膜。