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公开(公告)号：CN102037556A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118810.4
申请日：2009-05-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/822 , G06K19/07 , G06K19/077 , H01L27/04 , H01L29/786 , H01Q1/24 , H01Q1/38
CPC classification number: G06K19/07749 , G06K19/07735 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L27/13 , H01Q1/38 , H01Q7/00
Abstract: 一个目的是在实现厚度和尺寸减小时提供具有对外部应力和静电放电的耐受性的高可靠半导体器件。另一目的是防止在制造过程中由于外部应力或静电放电导致的缺陷形状或特性劣化以高成品率地制造半导体器件。设置彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体、设置于彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体之间的半导体集成电路和天线、设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体。设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体电连接。
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公开(公告)号：CN101174642A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710168213.5
申请日：2007-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L31/02005 , H01L31/02162 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/1055 , H01L31/1892 , H01M10/46 , H03F3/08 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：在第一绝缘膜上且具有光电二极管、放大所述光电二极管的输出电流的放大器电路的第一元件；以及在第二绝缘膜上且具有颜色滤光片、所述颜色滤光片上的外敷层的第二元件，其中，通过利用粘结材料粘结所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，来将所述第一元件和所述第二元件贴附在一起。此外，所述放大器电路是具有薄膜晶体管的电流镜电路。此外，也可以使用颜色薄膜而代替颜色滤光片。
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公开(公告)号：CN1862848A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610081967.2
申请日：2006-05-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/3248 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5206 , H01L51/5215 , H01L51/5218 , H01L51/5221 , H01L51/5234 , H01L2227/323 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H05B33/10
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在低成本高产量的前提下制造高度可靠的显示器的技术。用溅射方法通过使用含氢或水的气体来形成第一电极层，电致发光层形成于该第一电极层之上，并且第二电极层形成于该电致发光层之上。根据本发明的一个方面，制造出的显示器包括：第一电极层，它包括含氧化硅和氧化钨的氧化铟锌；在该第一电极层之上的电致发光层；以及在该电致发光层之上的第二电极层，其中该电致发光层包括一个含有机化合物和无机化合物的层，该层要与第一电极层接触。
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公开(公告)号：CN114609885B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210252738.1
申请日：2017-07-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性高的电子设备。提供一种使用者可以容易地读出显示信息的电子设备。减少使用者为了读取信息所进行的动作。电子设备所具有的框体包括：位于框体的正面的第一部分；位于框体的侧面的第二部分；第一表带安装部及第二表带安装部。第二部分具有显示图像的功能。第一表带安装部位于从框体的正面一侧看位于上侧的侧面。第二部分与第二表带安装部位于从框体的正面一侧看位于下侧的侧面。第一部分具有显示图像的功能或者至少具有时针、分针、秒针中的一个。
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公开(公告)号：CN112313701A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980040231.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06T7/00 , G09G5/00 , H01L27/146 , H04N5/225
Abstract: 抑制起因于感情变化的集中力的降低。适当地缓和人的感情变化。检测使用者的脸的一部分(尤其是眼睛或者眼睛及其附近)或全部，从所检测的脸的一部分或全部的数据抽出使用者的脸的特征，并且根据所抽出的脸的特征推断使用者的感情。然后，在所推断的感情例如为有可能降低集中力等的感情时，刺激使用者的视觉、听觉、触觉、嗅觉等以恢复使用者的集中力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107111985B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201580071439.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09G3/20 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06 , H05B33/12
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是抑制因环境温度变化所引起的流过发光元件的电流的变动而产生的亮度不均匀。利用监控电路控制流过像素部所包括的第一发光元件的电流。监控电路包括第二发光元件、晶体管、电阻器以及放大电路。第二发光元件的阳极与晶体管的源极连接。第二发光元件的阴极与电阻器及放大电路的第一输入端子连接。放大电路的第二输入端子与第二电源线连接。放大电路的输出端子与晶体管的栅极连接。晶体管的漏极与第三电源线连接。晶体管和电阻器都包括氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN104617103B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510001758.1
申请日：2010-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L21/385 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和半导体装置。在液晶显示装置的像素部中，第一晶体管包括第一栅电极、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一源和漏电极；氧化物绝缘层在第一源和漏电极上；像素电极经第一接触孔与第一源或漏电极电连接。在同一衬底上的驱动电路部中，第二晶体管包括第二栅电极、栅极绝缘层、第二氧化物半导体层、第二源和漏电极；氧化物绝缘层在第二源和漏电极上；第三导电层在氧化物绝缘层上；第二氧化物半导体层夹在第二栅电极和第三导电层间；通过加工同一导电膜形成第一及第二栅电极和第一导电层；第二导电层包括第二和第三接触孔中的区域；第三接触孔包括重叠于第二接触孔的区域；第一导电层经第二导电层与第二源或漏电极电连接。
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公开(公告)号：CN107111985A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071439.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09G3/20 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06 , H05B33/12
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是抑制因环境温度变化所引起的流过发光元件的电流的变动而产生的亮度不均匀。利用监控电路控制流过像素部所包括的第一发光元件的电流。监控电路包括第二发光元件、晶体管、电阻器以及放大电路。第二发光元件的阳极与晶体管的源极连接。第二发光元件的阴极与电阻器及放大电路的第一输入端子连接。放大电路的第二输入端子与第二电源线连接。放大电路的输出端子与晶体管的栅极连接。晶体管的漏极与第三电源线连接。晶体管和电阻器都包括氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN102598283B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201080050485.5
申请日：2010-08-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/316
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L23/5329 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN105449119A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610008810.0
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L51/52 , H01L2227/323 , H01L51/56 , H01L2251/303 , H01L2251/53 , H01L2251/56
Abstract: 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。
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