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公开(公告)号：CN1507014A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310120519.5
申请日：2003-12-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/3213 , H01L21/3205 , B24B1/00
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 提供一种研磨方法及半导体装置的制造方法。该研磨方法包括：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上，以埋入上述槽的方式形成的被研磨膜的上层部，进行第一研磨；上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨；上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。
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公开(公告)号：CN1484304A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03153617.4
申请日：2003-08-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/7684 , H01L23/522 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘膜，提供在基板上并具有最多为预定值的相对介电常数；第二绝缘膜，提供在第一绝缘膜的表面上并具有大于预定值的相对介电常数；布线，提供在用于布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内；以及虚拟布线，提供在用于虚拟布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内，位于与提供布线的区域隔开的预定区域中。
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公开(公告)号：CN1333319A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01122494.0
申请日：2001-07-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09K3/14 , C08J5/14 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3212 , C11D3/14 , C11D11/0047
Abstract: CMP用淤浆,它具有:液体;包含于此液体中的多种研磨粒子,此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子,而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。
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公开(公告)号：CN102376565B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110222413.0
申请日：2011-08-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/321 , H01L21/768
CPC classification number: B24B37/015 , B24B37/042 , B24B37/107 , B24B49/10 , B24B49/14 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 根据一个实施例，公开了一种半导体器件制造方法。所述方法可包括：通过将半导体衬底上的膜压向抛光垫而抛光所述膜。抛光所述膜包括进行第一抛光，其中所述抛光垫的入口温度被调整为大于等于40℃且小于等于50℃，并且所述抛光垫的出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。抛光所述膜包括进行第二抛光，其中所述入口温度被调整为小于等于30℃，并且所述出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。
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公开(公告)号：CN102376565A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110222413.0
申请日：2011-08-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/321 , H01L21/768
CPC classification number: B24B37/015 , B24B37/042 , B24B37/107 , B24B49/10 , B24B49/14 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 根据一个实施例，公开了一种半导体器件制造方法。所述方法可包括：通过将半导体衬底上的膜压向抛光垫而抛光所述膜。抛光所述膜包括进行第一抛光，其中所述抛光垫的入口温度被调整为大于等于40℃且小于等于50℃，并且所述抛光垫的出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。抛光所述膜包括进行第二抛光，其中所述入口温度被调整为小于等于30℃，并且所述出口温度被调整为比所述入口温度高5℃或更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100514549C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610093142.2
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76829 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/7684
Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在衬底的顶面处形成薄膜；抛光所述衬底的背面；以及在抛光所述背面后，抛光形成在所述衬底的所述顶面处的所述薄膜。
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公开(公告)号：CN100402624C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN01122494.0
申请日：2001-07-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09K3/14 , C08J5/14 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3212 , C11D3/14 , C11D11/0047
Abstract: CMP用淤浆，它具有：液体；包含于此液体中的多种研磨粒子，此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子，而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。
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公开(公告)号：CN1292460C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410048782.2
申请日：2004-06-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B1/00 , B24B37/04 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 所公开的是一种CMP浆料，其所含第一种胶粒的初级粒子直径范围从5nm到30nm并且平均粒径为d1，掺入的第一种胶粒的重量为w1，第二种胶粒的初级粒子直径比第一种的大并且其平均粒径为d2，第二种胶粒是用与第一种胶粒相同的材料制成，掺入的重量为w2，其中所选择的d1、d2、w1、w2应同时满足下列条件(A)和(B)，排除d1、d2、w1、w2同时满足下列条件(C)和(D)的情形：3≤d2/d1≤8 (A)；0.7≤w1/(w1+w2)≤0.97 (B)；3≤d2/d1≤5 (C)；0.7≤w1/(w1+w2)≤0.9 (D)。
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公开(公告)号：CN1237613C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN03148279.1
申请日：2003-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基板、层间绝缘膜以及在层间绝缘膜中形成的埋入布线，其中，层间绝缘膜包括在基板上形成的并且相对介电常数小于2.5的第一绝缘膜，以及为覆盖第一绝缘膜而形成的并且相对介电常数大于第一绝缘膜的相对介电常数的第二绝缘膜。第二绝缘膜的底部在数个点埋入在第一绝缘膜中。
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公开(公告)号：CN1576347A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410069162.7
申请日：2004-07-05
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/02074 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。
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