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公开(公告)号：CN100481211C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510134190.7
申请日：2005-12-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。在衬底(1)和磁记录层(6)之间形成至少三个底层，即，包含选自Ag、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、Hf、Re、Ru、Ti、Ta、Zr、Mg和Al的至少一种元素作为主要成分的第一底层(3)、包含Mg或Al和Si的第二底层(4)和包含选自Pt、Pd、Ru、Rh、Co和Ti的至少一种元素作为主要成分的第三底层(5)。
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公开(公告)号：CN1870145A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610084675.4
申请日：2006-05-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 及川壮一
IPC: G11B5/738
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/8404
Abstract: 在垂直磁性记录介质(10)中，多层衬层(6)包括：第一金属衬层(2)，相对于所述第一金属衬层不具有固体溶液特性且具有孔(3)的第二金属衬层(4)，以及第三金属衬层(5)，该第三金属衬层相对于所述第一金属衬层(2)具有固体溶液特性，相对于所述第二金属衬层(4)不具有固体溶液特性；以及，在所述多层衬层(6)上形成的磁性记录层(7)。
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公开(公告)号：CN1674102A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059299.9
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 提供一种磁记录媒体、记录媒体的制造方法和磁记录装置。在包含Cu晶粒层和Cu晶粒层表面上的淀积氮原子层的垫层上形成磁记录层。从而得到具有非常小的平均晶粒直径和非常窄的晶粒直径分布的磁记录层。包含上述磁记录层的磁记录媒体在高密度记录的条件下表现出优异的信噪比特性。
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公开(公告)号：CN105374373A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410818260.X
申请日：2014-12-24
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明得到具有设置有间距分散良好的凸图案的磁记录层的磁记录介质及其制造方法以及磁记录再现装置。实施方式涉及的磁记录介质包含：在基板上依次形成的、具有包含多个凹部的凹部图案的氧化硅基底层、具有与凹部图案对应的包含多个孔的第1孔图案的非磁性基底层、和形成于非磁性基底层上并具有包含与该第1孔图案连通的多个孔的第2孔图案的磁记录层。
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公开(公告)号：CN104575529A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410438089.X
申请日：2014-08-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 及川壮一
Abstract: 本发明的实施例提供可同时实现热稳定性和记录容易性、可获得高面记录密度的垂直磁记录介质。实施例的垂直磁记录介质具备：在基板上顺序设置的、晶粒间的晶界宽度小于0.5nm的基底层；及与基底层接触地形成于该基底层上的、由磁性层和非磁性层交替层叠二层以上而成的多层磁记录层。磁性层和非磁性层都是连续层。磁性层具有以Co为主成分的磁性晶粒和包括分散于磁性层全体的氧化物的多个钉扎位点。垂直磁记录介质具有顽磁力附近的磁化曲线的斜率α为5以上的磁特性。
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公开(公告)号：CN100412952C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610084675.4
申请日：2006-05-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 及川壮一
IPC: G11B5/738
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/8404
Abstract: 在垂直磁性记录介质(10)中，多层衬层(6)包括：第一金属衬层(2)，相对于所述第一金属衬层不具有固体溶液特性且具有孔(3)的第二金属衬层(4)，以及第三金属衬层(5)，该第三金属衬层相对于所述第一金属衬层(2)具有固体溶液特性，相对于所述第二金属衬层(4)不具有固体溶液特性；以及，在所述多层衬层(6)上形成的磁性记录层(7)，其中，所述第三金属衬层为选自于Ti、Co、Ru、Ni、Cu、Rh、Pd、Ag、Pt以及Au之一的物质。
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公开(公告)号：CN104700850A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410742467.3
申请日：2014-12-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制磁性粒子的粒径分散，具有良好的记录再生特性，能够高密度记录的垂直磁记录介质。实施方式涉及的垂直磁记录介质具有：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层之上形成的以与膜面垂直的方向为易磁化轴的磁记录层。基底层具有间隔1nm～20nm的距离而排列的多个凸部。磁记录层包含以顶端从基底层的凸部表面开始扩大的方式分别形成的多个磁粒子，至少凸部侧的磁粒子被分离。
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公开(公告)号：CN100343903C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510059497.5
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本发明公开了一种垂直磁记录媒体，该垂直磁记录媒体包括：非磁性衬底；第一垫层，形成在该非磁性衬底上，主要由从包括Fe2O3、Co3O4、MgO、MoO3、Mn3O4、SiO2、Al2O3、TiO2以及ZrO2的组中选择的至少两种构成，而且具有以柱形生长的晶粒和包围该晶粒的晶粒边界；非磁性第二垫层，形成在第一垫层上，而且具有生长在第一垫层的晶粒上、具有面心立方晶格结构和六方紧密堆积结构之一的晶粒；磁性层，形成在第二垫层上；以及保护层，形成在该磁性层上。
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公开(公告)号：CN107689416A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710109879.7
申请日：2017-02-28
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及磁存储器。提供一种改善了写入效率的SOT写入方式的磁存储器。根据本实施方案的磁存储器具备：第1至第3端子；导电性的第1非磁性层，具有第1至第3部分，所述第1部分位于所述第2部分与所述第3部分之间，所述第2部分与所述第1端子电连接，所述第3部分与所述第2端子电连接；第1磁阻元件，具有与所述第3端子电连接的第1磁性层、配置在所述第1磁性层与所述第1部分之间的第2磁性层、以及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第2非磁性层；和第1层，至少配置在所述第1部分与所述第2磁性层之间，包含Mg、Al、Si、Hf和稀土元素中的至少一种元素、以及氧和氮中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN101339775A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810131980.3
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/66 , G11B5/667 , Y10T428/115
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁记录介质以及磁记录装置。根据一个实施例，一种垂直磁记录介质包括：基底(1)；以及形成在所述基底(1)上的第一磁性层(5)和第二磁性层(7)，其中假定对于所述第一和第二磁性层(5，7)，单轴磁各向异性常数分别是Ku1和Ku2，饱和磁化分别是Ms1和Ms2，各向异性磁场分别是Hk1和Hk2，以及厚度分别是t1和t2，则满足以下条件：Ku1和Ku2为3×106erg/cc以上，Ms1小于Ms2，Hk1大于Hk2，并且t1大于t2。
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