-
公开(公告)号：CN100587986C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200810004026.8
申请日：2008-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y10S362/80 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。
-
公开(公告)号：CN100557834C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710128603.X
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：半导体衬底，其具有第一表面和朝向第一表面的相反侧的第二表面，该半导体衬底具有形成在第一表面中的凹进部分，并且该凹进部分具有V形横截面；形成在凹进部分的内表面上的反射层；形成在反射层上的第一电极；形成在第二表面上发光层，和形成在发光层上的第二电极。
-
公开(公告)号：CN100517782C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610093141.8
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/3025 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/0228 , H01S5/183 , H01S5/32341 , H01S5/327 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收来自所述半导体发光元件的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于发光方向。在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。
-
公开(公告)号：CN101276870A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810082459.5
申请日：2008-03-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，能够降低串联电阻，可以使光取出效率提高。本发明的半导体发光器件，包括：活性层(14)，放射波长λ的光；第1导电型的第1半导体层(10、12)，具有设置在活性层(14)上、与活性层(14)相接的第1主面，与第1主面对置的第2主面，及与第2主面相接、与平行于第2主面的面之间具有45度以上且小于90度的斜角的侧面；第2导电型的第2半导体层(18)，夹着活性层(14)与第1半导体层(10、12)对置；及第1电极(20)，夹着第2半导体层(18)与活性层(14)对置；活性层(14)与第1电极(20)间的距离d依存于波长λ及第2半导体层(18)的折射率n。
-
公开(公告)号：CN105023995A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510214240.6
申请日：2015-04-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/504 , H01L33/56 , H01L33/507
Abstract: 本发明提供发光效率提高的发光装置。本发明的实施方式的发光装置具备：发出近紫外光或蓝色光的激发光的发光元件；式(1)所示的将激发光变换成黄色光的黄色荧光体；以及含有将黄色荧光体包围的树脂、黄色荧光体的体积浓度为7％以下并且具有平行于发光元件的发光面的截面的截面积大于发光面的区域的黄色色变换层，(Sr1-x1Cex1)a1AlSib1Oc1Nd1 (1)；其中，在式(1)中，x1、a1、b1、c1、d1满足以下的关系，0＜x1≤0.1、0.6＜a1＜0.95、2.0＜b1＜3.9、0＜c1＜0.45、4.0＜d1＜5.0。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103113883B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210319801.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H05B33/12 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施方案，提供了一种发光材料，当用发射峰在250-520nm的波长范围内的光激发时，所述发光材料发出发光峰在550-590nm的波长范围内的光。所述发光材料具有下式1表示的组成：(Sr1-xEux)aSibAlOcNd 式1，其中x、a、b、c和d满足以下条件：0
-
公开(公告)号：CN104037308A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410075601.9
申请日：2014-03-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502
Abstract: 实施方式的发光装置具备：发光元件，发出蓝色的激励光；以及波长偏移荧光体，形成于发光元件上，且是被激励光激励而发出黄色的荧光的黄色荧光体、被激励光激励而发出绿色的荧光的绿色荧光体、或者被激励光激励而发出红色的荧光的红色荧光体的至少一种，荧光的峰值波长是520nm以上且小于660nm，在激励光的峰值波长偏移的情况下，荧光的峰值波长向同一方向偏移。
-
公开(公告)号：CN103113883A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201210319801.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H05B33/12 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施方案，提供了一种发光材料，当用发射峰在250-520nm的波长范围内的光激发时，所述发光材料发出发光峰在550-590nm的波长范围内的光。所述发光材料具有下式1表示的组成：(Sr1-xEux)aSibAlOcNd 式1，其中x、a、b、c和d满足以下条件：0
-
公开(公告)号：CN102537717A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110340954.3
申请日：2011-11-02
Applicant: 株式会社东芝 , 哈利盛东芝照明株式会社
CPC classification number: G02B6/001 , F21K9/232 , F21K9/61 , F21K9/68 , F21V3/00 , F21V7/005 , F21V7/22 , F21V9/30 , F21W2131/103 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , G02B6/005
Abstract: 本发明提供发光装置，该发光装置包括能够射出射出光的光源、第一荧光体层以及导光路。所述第一荧光体层至少包括第一面和与该第一面相对一侧的第二面，该第一荧光体层在导光方向上延伸，能够吸收所述射出光并射出第一波长转换光，该第一波长转换光具有比所述射出光的波长长的波长。所述导光路具有反射体，该导光路包括：所述射出光的入射面；反射面，与所述第一荧光体层的所述第一面接触，设置在所述反射体的表面上；以及出射面，与所述第一荧光体层分开设置。所述反射面和所述出射面在所述导光方向上延伸。
-
公开(公告)号：CN101101951A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710128603.X
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：半导体衬底，其具有第一表面和朝向第一表面的相反侧的第二表面，该半导体衬底具有形成在第一表面中的凹进部分，并且该凹进部分具有V形横截面；形成在凹进部分的内表面上的反射层；形成在反射层上的第一电极；形成在第二表面上发光层，和形成在发光层上的第二电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.019 seconds)
