公开(公告)号：CN100580968C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200710141632.X

申请日：2007-08-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北川英二 ,  永濑俊彦 ,  吉川将寿 ,  西山胜哉 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。

公开(公告)号：CN101409326A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810169881.4

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中山昌彦 ,  药师寺启 ,  池川纯夫 ,  汤浅新治 ,  甲斐正 ,  永瀬俊彦 ,  天野实 ,  相川尚德 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/123 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件以及磁随机存取存储器。磁阻效应元件具备基准层、记录层、以及非磁性层。基准层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第1磁化，且磁化的方向不变。记录层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第2磁化，且磁化的方向可变。上述非磁性层被设置在基准层与记录层之间。由记录层的磁各向异性、饱和磁化以及交换结合决定的、单磁区状态成为唯一的稳定状态的临界直径(单轴临界直径Ds*)、或者单磁区状态为唯一的稳定状态、且即使在反转过程中也一边保持单磁区状态一边反转的临界直径(单轴反转临界直径Ds)大于磁阻效应元件的元件直径。

公开(公告)号：CN101399313A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810215232.3

申请日：2008-09-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永瀬俊彦 ,  西山胜哉 ,  甲斐正 ,  中山昌彦 ,  长嶺真 ,  天野实 ,  吉川将寿 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明提供一种磁阻元件(10)包括：具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向被固定的参照层(15)；由磁性层与非磁性层交互地经过层叠的层状结构组成，且具有与膜面垂直方向的磁各向异性，且磁化方向可以变化的记录层(17)；以及被设置在上述参照层(15)与上述记录层(17)之间，且由非磁性材料组成的中间层(16)。其中，构成上述记录层(17)的磁性层之中与上述中间层(16)相接的磁性层(17A－1)，由包含钴(Co)及铁(Fe)的合金组成，且其膜厚大于与上述中间层(16)不相接的磁性层的膜厚。

公开(公告)号：CN101154707A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710152885.7

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  北川英二 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁阻效应元件(1)，包括具有基本上固定磁化方向的磁化固定层(3)。磁化可变层(2)具有可变磁化方向，由具有BCC结构并且由Fe1－x－yCoxNiy(0≤x+y≤1，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的磁性合金组成，并且包含0＜a≤20at％(a是含量)范围内的V，Cr和Mn中至少一种添加元素。中间层(4)置于磁化固定层(3)和磁化可变层(2)之间并且由非磁性材料组成。由经过磁化固定层(3)、中间层(4)和磁化可变层(2)的双向电流翻转磁化可变层(2)的磁化方向。

公开(公告)号：CN101093721A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710085788.0

申请日：2007-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/123 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁阻元件，包括：第一磁性参考层(11)，具有固定的磁化方向；磁性自由层(13)，可以通过提供自旋极化电子改变其磁化方向；第二磁性参考层(15)，具有固定的磁化方向；第一中间层(12)，提供在第一磁性参考层与磁性自由层之间；以及，第二中间层(14)，提供在磁性自由层与第二磁性参考层之间。磁性自由层(13)与第一磁性参考层(11)具有与平面内方向垂直或平行的易磁化方向。第一磁性参考层(11)与第二磁性参考层(15)具有相互垂直的易磁化方向。

公开(公告)号：CN1574072A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410061664.5

申请日：2004-06-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永濑俊彦 ,  与田博明 ,  吉川将寿 ,  甲婓正 ,  岸达也 ,  相川尚德 ,  上田知正

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机存取存储器设备使“0”、“1”的信息与具有非磁性层和2层磁性层的MTJ元件的因2层磁性层的磁化排列状态而变化的电阻值对应。在与MTJ元件接近配置的写入布线中流过电流而产生感应磁通，并使MTJ元件的2层磁性层中的一个的记录层的磁化变化而写入信息的MRAM中，MTJ元件是2层磁性层的磁化方向朝向膜面垂直方向的垂直型的MTJ元件。写入布线被配置在与MTJ元件的厚度方向垂直的方向上，在MTJ元件的磁性层的磁化方向上施加产生的磁场。磁轭从厚度方向夹着MTJ元件，向MTJ元件的磁性层施加基于写入布线而产生的磁场。

公开(公告)号：CN1185630C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN00135319.5

申请日：2000-09-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 猪俣浩一郎 ,  中岛健太郎 ,  齐藤好昭 ,  砂井正之 ,  岸达也

IPC: G11B5/39 ,  G11C11/02

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/115

Abstract: 一种磁存储装置，其特征在于包括：存储单元，其具有：磁化方向锁定的第一磁化锁定层、第一介电层、磁化方向可反转的磁记录层、第二介电层和磁化方向锁定的第二磁化锁定层；沿第一方向延伸的位线；和沿与上述第一方向相交的第二方向延伸的字线；上述磁记录层包含磁性层、非磁性层和磁性层三层膜，构成该三层膜的两个磁性层反铁磁性耦合；在与各介电层相接的区域中上述两个磁化锁定层的磁化方向基本是反平行的；在不施加电流磁场时，在与第一介电层相接的区域中上述第一磁化锁定层和上述磁记录层的磁性层的磁化方向基本是平行或反平行的；在不施加电流磁场时，在与第二介电层相接的区域中上述第二磁化锁定层和上述磁记录层的磁性层的磁化方向基本是平行或反平行的。

公开(公告)号：CN1503269A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310118330.2

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  上田知正 ,  宫本順一 ,  岸达也 ,  天野实 ,  梶山健 ,  相川尚德

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L29/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机访问存储器具有以下特征：写入线被磁轭材料覆盖。MTJ元件的记录层与磁轭材料交换结合。MTJ元件的记录层和与该记录层交换结合的部分的磁轭材料的合计磁量(∑Msi×ti)的值比覆盖写入线的其他部分的磁轭材料的磁量(∑Msi’×ti’)的值小。

公开(公告)号：CN1434455A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN02148057.5

申请日：2002-10-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 细谷启司 ,  浅尾吉昭 ,  齐藤好昭 ,  天野実 ,  高桥茂树 ,  岸达也 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/02

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76895 ,  H01L43/08

Abstract: 半导体集成电路器件包括：单元晶体管、位线、单元内局部布线、和磁阻元件。上述单元内局部布线设置于上述位线的上方，并与上述单元晶体管的源/漏区的一方连接。上述磁阻元件设置于上述位线的上方，并与上述位线和上述单元内局部布线连接。

公开(公告)号：CN101546808B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200910127906.9

申请日：2009-03-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中山昌彦 ,  甲斐正 ,  池川纯夫 ,  与田博明 ,  岸达也

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/226

Abstract: 本发明公开了一种磁阻效应元件和磁性随机存取存储器。所述磁阻效应元件包括：第一铁磁层，具有垂直于膜平面的不可变磁化；第二铁磁层，具有垂直于膜平面的可变磁化；第一非磁性层，插在第一铁磁层和第二铁磁层之间；第三铁磁层，设置在第二铁磁层的与第一非磁性层相反的一侧，并且具有平行于膜平面的可变磁化；以及第二非磁化层，插在第二铁磁层和第三铁磁层之间，通过使电流在垂直于第一铁磁层和第三铁磁层之间的膜平面的方向上流动，将自旋极化电子注入到第二铁磁层，通过将自旋极化电子从第二铁磁层经由第二非磁性层注入到第三铁磁层，在第三铁磁层的磁化中感应出进动运动，以及向第二铁磁层施加频率与进动运动相对应的微波磁场。