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公开(公告)号:CN102334181A
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN200980157498.X
申请日:2009-10-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/52 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L23/053 , H01L23/562 , H01L29/2003 , H01L29/225 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L2224/72 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
Abstract: 晶体管安装体的制造方法具备:形成晶体管(100)的步骤(a);对形成基板(101)进行研磨的步骤(b);和将对形成基板(101)进行了研磨后的晶体管(100)固定于保持基板(200)的步骤(c)。步骤(a)在形成基板(101)的主面上依次形成第1半导体层以及比该第1半导体层带隙大的第2半导体层。步骤(b)对形成基板(101)的与主面相反侧的面进行研磨。步骤(c)在将形成基板(101)的翘曲变小的方向的应力施加于形成基板(101)的状态下将晶体管(100)固定于保持基板(200)上。
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公开(公告)号:CN102224581A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN200980146363.3
申请日:2009-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/1075 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/475
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制电流崩塌的场效应晶体管,作为场效应晶体管的HEMT(100),包括:由第一氮化物半导体构成的第一半导体层(103);以及由第二氮化物半导体构成的第二半导体层(104),该第二半导体层被形成在第一半导体层(103)上,并且第二氮化物半导体的禁带宽度比第一氮化物半导体大,第一半导体层(103)具有,穿透位错密度在层叠方向增大的区域。
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公开(公告)号:CN102893418B
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201180020874.8
申请日:2011-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/0203 , F21K9/20 , F21K9/27 , F21K9/90 , F21V19/004 , F21V29/767 , F21Y2103/10 , F21Y2105/10 , F21Y2107/90 , F21Y2115/10 , H01L24/45 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H05K1/0271 , H05K1/056 , H05K1/181 , H05K3/202 , H05K2201/10106 , Y02P70/611 , Y10S362/80 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049
Abstract: 引线框在1节距的外框部的内侧经由支持片支持布线图案,该布线图案具备多个单位单元,该单位单元具备:下垫板,搭载固体发光元件;散热器,从下垫板以围着下垫板的方式延伸设置;以及引线,与固体发光元件的另一方的电极电连接,该固体发光元件的一方的电极与散热器电连接;相邻的单位单元中的一方的单位单元的引线与另一方的单位单元的散热器连结而电串联连接。提供一种引线框、布线板、发光单元、照明装置,能够抑制固体发光元件的温度上升,实现光输出的高输出化,并且能够实现将多个固体发光元件串联连接而使用的发光单元的低成本化。
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公开(公告)号:CN102095155B
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201010569197.2
申请日:2010-11-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种照明装置,具备发光色不同的多个发光装置以及对多个上述发光装置的光输出比进行控制的控制装置,并且使从发光色不同的多个上述发光装置放射的光的混色光的色调可变,多个上述发光装置分别具备发光元件以及第一波长变换部,该第一波长变换部吸收从该发光元件放射的光的至少一部分并发出波长变换后的荧光;多个上述发光装置中的一部分上述发光装置具有第二波长变换部,该第二波长变换部将从上述发光元件或上述第一波长变换部中的至少一个放射的光的至少一部分,波长变换为与从上述发光元件及上述第一波长变换部放射的光的发光色不同的发光色。
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公开(公告)号:CN101749578B
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN200910260863.1
申请日:2009-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V9/10 , H01L33/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H05B33/0857 , F21K9/68 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10
Abstract: 一种光源设备,包括第一光发射器、第二光发射器和第三光发射器。所述第一光发射器的峰值波长在600nm-660nm的范围内并且半峰值强度的波长范围比600nm-660nm的范围宽,所述第二光发射器的峰值波长在530nm-570nm的范围内并且半峰值强度的波长范围比530nm-570nm的范围宽,并且在其光谱功率分布中所述第三光发射器的峰值波长为420nm-470nm。
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公开(公告)号:CN102047449B
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN200980119518.4
申请日:2009-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
Abstract: 一种照明装置,包括:LED芯片,具有发光表面,并且配置为从该发光表面发光;安装基板,配置为安装LED芯片;第一颜色转换构件,包括第一透光材料和第一荧光粉,第一荧光粉被LED芯片发射的光激发,从而发出波长比LED芯片发射的光的波长长的第一种光,第一颜色转换构件直接布置在LED芯片的发光表面上;第二颜色转换构件,包括第二透光材料和第二荧光粉,第二荧光粉被LED芯片发射的光激发,从而发出波长比LED芯片发射的光的波长长的第二种光,第二颜色转换构件成形为穹顶状,其中,LED芯片和第一颜色转换构件布置在安装基板与第二颜色转换构件之间。
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公开(公告)号:CN101390451B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200780006582.2
申请日:2007-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: F21S8/04 , F21Y101/02
CPC classification number: H05B33/0869 , F21V5/04 , F21V23/0457 , F21Y2115/10 , H05B33/0827 , Y10S362/80 , Y10S362/803
Abstract: 一种LED照明设备,包括有:发光模块,由发出不同颜色光的多种LED组成;透镜单元,具有透镜,用于使来自发光模块的混色光扩散;光输出控制器,用于对反馈到各LED中的电流进行控制;以及光传感器,用于检测来自发光模块的光。该光输出控制器根据感测到的光的光级来对反馈给各LED的电流进行控制,使得从发光模块发出的光具有所需色度。透镜单元包括用于将光从透镜引导到光传感器的导光管,其能够将光从发光模块高效地引导到光传感器。
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公开(公告)号:CN102326238A
公开(公告)日:2012-01-18
申请号:CN200980156954.9
申请日:2009-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L23/58 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L23/142 , H01L23/562 , H01L29/2003 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 晶体管具备晶体管主体(100)、和对晶体管主体施加应力的应力施加部(200)。晶体管主体(100)具有形成基板(101)、在形成基板(101)之上依次层叠的第一半导体层(105)以及与第一半导体层(105)相比带隙大的第二半导体层(107)。应力施加部(200)按照施加于第二半导体层(107)的拉伸应力随温度的上升而变大的方式对晶体管主体(100)施加应力。
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