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公开(公告)号：CN117604526A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311585961.9
申请日：2023-11-24
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C23F1/16 , G01N33/204 , G01N1/32
Abstract: 本发明属于金相检验分析技术领域，提供了一种腐蚀剂及其应用以及腐蚀剂在焊材焊缝腐蚀中的应用方法。腐蚀剂包含下列组分：硝酸溶液、甘油和盐酸溶液，体积比为1：0.3～1：1～3。本发明腐蚀剂配制简单，操作方便且具有较高的安全性；用于焊材焊缝腐蚀时，腐蚀时间仅需1～1.5min，腐蚀时间短的同时还具有腐蚀效果显著、均一、稳定、工作量小的优点；使用本发明制备的腐蚀剂腐蚀焊材焊缝，晶界明显，组织清晰，无任何过腐蚀或腐蚀不均匀的现象；本发明提供的腐蚀剂应用广泛，不仅可用于多层堆焊焊材焊缝组织的腐蚀，还可用于激光熔覆、电阻点焊、电阻缝焊、MAG焊、TIG焊等多种焊接方法得到的焊材组织的腐蚀。
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公开(公告)号：CN117066529A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310978983.5
申请日：2023-08-04
Applicant: 昆明理工大学
IPC: B22F10/38 , B22F10/25 , B22F3/23 , B22F1/12 , C22C14/00 , C22C32/00 , B33Y70/10 , B33Y80/00 , B33Y10/00
Abstract: 本发明公开一种激光净近成形TiB2/Ti基功能梯度材料及其制备方法，属于复合材料制备技术领域。所述TiB2/Ti基功能梯度材料方法包括：建立TiB2/Ti基功能梯度材料的三维数据模型；不同质量百分比的Ti‑6Al‑4V粉、TiB2陶瓷粉末放入激光近净成形设备混粉器，通过分粉器并经环形激光同轴送粉喷头送出，或将Ti‑6Al‑4V粉、TiB2陶瓷粉末分别置于激光近净成形设备的送粉器中，送粉器按比例同步输送Ti‑6Al‑4V钛粉、TiB2陶瓷粉末至混粉器内，混合粉经环形激光同轴送粉喷头送出,成品材料具有从高强低塑过渡到低塑高强的梯度性能，更加耐重载冲击，使寿命得到提升。
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公开(公告)号：CN117004840A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311212323.2
申请日：2023-09-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明属于合金技术领域，本发明提供了一种Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带及其制备方法，将铜单质、镍单质和锡单质进行熔炼，得到金属混合液；金属混合液进行浇铸，得到合金铸锭；将合金铸锭顺次进行表面预处理、均匀化退火处理、水淬处理，得到固溶体；将固溶体顺次进行预热处理、热轧，得到轧制合金；将轧制合金顺次进行退火处理、酸洗、冷轧，得到Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带。本发明的方法制备得到的Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带更加均匀，拥有良好的成形性；Cu‑15Ni‑8Sn合金薄带保持了现有技术中的Cu‑Ni‑Sn合金的弹性、硬度及抗腐蚀性能，同时提高了成形性以推动现阶段的铜加工业发展需要。
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公开(公告)号：CN116306184A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310155509.2
申请日：2023-02-23
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G06F30/25 , G16C60/00 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种异步轧制中熵合金原子变形方法，涉及材料分析技术领域，可在原子尺度上模拟CrCoNiAl0.014中熵合金室温异步轧制的变形过程。通过对轧制变形过程数据的二次处理，获得不同类型位错的密度变化和位错线的分布特性，揭示了异步轧制变形对中熵合金CrCoNiAl0.014的内部组织在原子尺度上的影响。本发明从原子尺度模拟了不同道次CrCoNiAl0.014中熵合金异步轧制变形，与实验上的数据形成了互补，特别是针对位错与孪晶等缺陷相互作用的动态演变过程提供了新的技术手段；采用LAMMPS中的虚拟衍射和选区电子衍射技术将实验结果与模拟数据相结合，弥补了微观尺度上现有分析检测手段所存在的局限性。
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公开(公告)号：CN116145060A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310186114.9
申请日：2023-03-01
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金及其制备方法，属于金属材料领域。本发明所述方法为：在半连续浇铸法制备的Mg98‑99Zn0.3‑0.6Y0.6‑1.2镁合金铸锭的心部取尺寸为50×30×1.5mm的薄板，将其用有机溶剂清洗后进行机械打磨并抛光水洗、吹干。将切割好的镁合金板材抛光后预热；将预热完成的镁合金板材进行异步轧制，得到薄片状的镁合金。将轧制后的镁合金薄板裁剪到合适大小后放入真空管式炉中，洗气后在氩气中773K烧结24小时，得到高导高电磁屏蔽效能的Mg‑Zn‑Y合金。本发明所述方法可有效解决现有的半连续浇铸镁合金中固溶原子及第二相LPSO相的分布不均的问题，同时可以通过上述方法提高Mg‑Zn‑Y合金的电导率进而提高其电磁屏蔽效能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115418584B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211033176.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及二维纳米金属复合材料技术领域，尤其涉及一种提高二维纳米镁合金材料热稳定性的方法。该方法包括以下步骤：镁合金材料表面预处理、表面机械打磨、预热处理、变形加工。本发明选用a‑Mg/LPSO纳米片层结构Mg‑Zn‑Y镁合金作为原材料，对镁合金进行380～420℃热处理后，使得镁合金材料内部产生大量层错，阻碍基体再结晶的生成，同时为具有良好稳定性的LPSO相提供有利形核位置，在镁合金基体内形成二维层状纳米结构。
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公开(公告)号：CN115418584A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211033176.8
申请日：2022-08-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及二维纳米金属复合材料技术领域，尤其涉及一种提高二维纳米镁合金材料热稳定性的方法。该方法包括以下步骤：镁合金材料表面预处理、表面机械打磨、预热处理、变形加工。本发明选用a‑Mg/LPSO纳米片层结构Mg‑Zn‑Y镁合金作为原材料，对镁合金进行380～420℃热处理后，使得镁合金材料内部产生大量层错，阻碍基体再结晶的生成，同时为具有良好稳定性的LPSO相提供有利形核位置，在镁合金基体内形成二维层状纳米结构。
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公开(公告)号：CN105219998A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510678172.9
申请日：2015-10-20
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种镁铜多孔合金的制备方法，属于冶金技术领域。本发明所述方法称取纯镁、纯铜，将普通电炉加热，将纯镁放入炉中进行预热，电炉升至设定温度进行保温，随后将称量好的纯铜放入到镁熔液中，并保温；将镁铜合金熔液浇注到模具中空冷，即可得到所需的镁铜合金多孔材料；本发明所述方法具有工艺简单，能源损耗低等优点。
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公开(公告)号：CN119517252A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411581473.5
申请日：2024-11-07
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种确定混晶组织材料动态再结晶临界点的方法，属于材料科学与金属加工技术领域。本发明提出了一种基于峰值应力代表动态回复饱和应力值假设的方法；该方法通过精确拟合真应力‑真应变曲线以降噪，绘制加工硬化率与真应力的关系曲线，并利用Origin软件的Tangent插件精确定位动态再结晶临界点，并记录了与临界点相对应的临界应力值和临界应变值，为材料加工提供了关键的工艺参数，从而显著提升了整个过程的系统性和实用性。
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公开(公告)号：CN115896722B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211470804.9
申请日：2022-11-23
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种提高Cu‑Ni‑Sn合金耐磨性和导电性的方法，涉及微电子集成电路互连技术领域；通过磁控溅射将Cu‑Ni‑Sn合金制备为薄膜，通过调控磁控溅射功率、沉积时间和氩气流量等参数可制备出不同应用需求多种不同成分的Cu‑Ni‑Sn均匀组合薄膜，本发明所得薄膜中各元素的重量百分比Cu 75~80%，Ni 10~20%，Sn 0.9~10%。本发明采用高通量6靶磁控溅射薄膜共沉积制备技术，使得合金薄膜具有低的电阻率和较高的抗电迁移能力，且相较于铝基合金薄膜作为互连线材料具有宽的钝化区间和低的钝化电流密度，这进一步实现了组合薄膜综合性能的极大优化；本发明的Cu‑Ni‑Sn合金薄膜完全满足极大规模集成电路互连领域对铜合金薄膜的使用要求。
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