公开(公告)号：CN1985361A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580023556.1

申请日：2005-07-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  小山直之 ,  仓田靖 ,  芳贺浩二 ,  阿久津利明 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨剂，该CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，其中，上述水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物以及其盐中的至少一种作为聚合引发剂，而使含有具有不饱和双键的羧酸以及其盐中的至少一种的单体聚合所形成的聚合物。按照本发明，提供一种在对层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜进行平坦化处理的CMP技术中，可无研磨损伤、有效、高速、均匀且易于控制研磨操作地进行研磨的研磨剂以及研磨方法。

公开(公告)号：CN1392215A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02123007.2

申请日：1999-12-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 内田刚 ,  星野铁哉 ,  寺崎裕树 ,  上方康雄 ,  小山直之 ,  本间喜夫 ,  近藤诚一

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/04 ,  C09G1/02 ,  C09K13/00 ,  C23F3/00 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明可以提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂助剂和水的金属研磨液，其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种金属研磨液的制备材料，本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂助剂的金属研磨液材料。

公开(公告)号：CN104178088A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410406599.9

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法。所述研磨剂含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂，所述添加剂含有选自阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一种，所述阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类选自以下的(1)～(3)组成的组：(1)葡糖胺、半乳糖胺等以及它们的衍生物组成的组中的具有氨基糖的多糖类；(2)重均分子量100以上的乙抱亚胺聚合物或其衍生物；(3)含有选自由通式(Ⅰ)～(Ⅳ)组成的组中的至少一种单体成分的聚合物。

公开(公告)号：CN102017091A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114267.0

申请日：2009-04-22

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 星阳介 ,  龙崎大介 ,  小山直之 ,  野部茂

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明涉及含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂的研磨剂，该添加剂含有阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一者。本发明提供一种在使绝缘膜平坦化的CMP技术中可以高速且低研磨损伤地研磨绝缘膜、且氧化硅膜与停止膜的研磨速度比高的研磨剂。而且提供一种保管该研磨剂时的研磨剂组件及使用有该研磨剂的基板研磨方法。

公开(公告)号：CN1803964B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200610000318.5

申请日：1999-12-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 内田刚 ,  星野铁哉 ,  寺崎裕树 ,  上方康雄 ,  小山直之 ,  本间喜夫 ,  近藤诚一

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/04 ,  C09G1/02 ,  C09K13/00 ,  C23F3/00 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明可以提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂助剂和水的金属研磨液，其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种金属研磨液的制备材料，本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂助剂的金属研磨液材料。

公开(公告)号：CN101023512A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031762.7

申请日：2005-09-27

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 仓田靖 ,  榎本和宏 ,  小山直之 ,  深泽正人

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、分散剂、聚羧酸、第一可离解酸基的pKa值为3.2以下的强酸以及水，pH值为4.5～7.5，上述强酸的浓度为100～1000ppm或50～1000ppm，是一价的强酸，浓度为50～500ppm，或者是二价的强酸，浓度为100～1000ppm。较好的是，上述聚羧酸是聚丙烯酸。这样，在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜平坦化的CMP技术中，可降低图案密度依存的影响，可有效、高速进行抛光，且无抛光损伤并容易进行工艺管理。

公开(公告)号：CN1290162C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN02800353.5

申请日：2002-02-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  小山直之 ,  西山雅也 ,  吉田诚人

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1454 ,  C01F17/0043 ,  C01G25/00 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。

公开(公告)号：CN1795543A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014467.6

申请日：2004-05-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小山直之 ,  町井洋一 ,  吉田诚人 ,  深泽正人 ,  芦泽寅之助

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1454

Abstract: 本发明涉及一种研磨剂，其包含在介质中分散有4价金属氢氧化物粒子的研浆和添加剂，所述添加剂为含有从由通式(I)以及通式(II)所表示的单体中选出的至少一种单体成分的聚合物。通式(I)中R1表示氢、甲基、苯基、苯甲基、氯基、二氟甲基、三氟甲基、氰基，R2、R3分别表示独立的氢或C2～C18的烷基链、羟甲基、乙酰基、双丙酮基，但不包括两个均为氢的情况。通式(II)中，R1与通式(I)一样，R4表示吗啉基、硫化吗啉基、吡咯烷基、哌啶基。本发明提供的研磨剂，由粒子与被研磨膜形成化学反应层，由于粒子非常小的机械作用和研磨垫的机械除去而不产生研磨损伤，并通过添加剂来实现高平坦化。

公开(公告)号：CN1158694C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN99815882.8

申请日：1999-12-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 内田刚 ,  星野铁哉 ,  寺崎裕树 ,  上方康雄 ,  小山直之 ,  本间喜夫 ,  近藤诚一

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09G1/04 ,  C09G1/02 ,  C09K13/00 ,  C23F3/00 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及特别适应于半导体器件装配工序的金属研磨液以及使用该金属研磨液的研磨方法。本发明可提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂的溶解助剂和水的金属研磨液，其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种研磨液的制备材料，本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂的溶解助剂的金属研磨液材料。

公开(公告)号：CN1457506A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN02800353.5

申请日：2002-02-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  小山直之 ,  西山雅也 ,  吉田诚人

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1454 ,  C01F17/0043 ,  C01G25/00 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。