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公开(公告)号：CN105190838B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201580000420.2
申请日：2015-01-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L29/16 , C04B35/115 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B37/001 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/52 , C04B2237/588 , C30B29/06 , C30B33/06 , H01L21/2007 , H01L29/0649 , Y10T428/24355
Abstract: 半导体用复合基板的操作基板(1)由多晶氧化铝形成，操作基板(1)的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为20～55μm，操作基板的中央部(20)的晶粒的平均粒径为10～50μm，操作基板的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为中央部(20)的晶粒的平均粒径的1.1倍以上、3.0倍以下。
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公开(公告)号：CN105144851A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201580000543.6
申请日：2015-02-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/111 , H05K3/00
CPC classification number: H05K1/115 , C04B35/111 , C04B35/119 , C04B35/634 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/6023 , C04B2235/606 , C04B2235/612 , C04B2235/6582 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , H01B3/12 , H01B17/56 , H05K1/03 , H05K1/0306 , H05K3/00 , H05K3/0014 , H05K3/0029 , H05K2201/09009 , Y10T428/24273
Abstract: 提供排列有导体用贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～100μm，贯通孔(2)的直径为20μm～100μm。绝缘基板(1)具备有主体部分(5)和露出于所述贯通孔(2)的露出区域(4)。绝缘基板(1)由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度在99.5％以上，氧化铝烧结体的纯度在99.9％以上，构成主体部分(5)的氧化铝烧结体粒子(5a)的平均粒径为3～6μm，构成露出区域(4)中的氧化铝烧结体的氧化铝粒子呈板状，板状的氧化铝粒子(4a)的平均长度为8～25μm。
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公开(公告)号：CN105074870A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480019693.7
申请日：2014-12-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , C01F7/02 , C01P2006/60 , C04B35/10 , C04B35/115 , C04B35/64 , C04B37/001 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C04B2237/343 , C04B2237/70 , C04B2237/704 , H01L21/02002 , H01L21/6835 , H01L23/15 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381
Abstract: 半导体用复合基板的操作基板2A由多晶透光性氧化铝构成，多晶透光性氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的前方全光线透过率的平均值为60％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的直线透过率的平均值为15％以下。
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公开(公告)号：CN104364905A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201480001476.5
申请日：2014-03-26
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L21/76251 , B23K20/00 , C04B35/111 , C04B35/115 , C04B35/565 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B37/001 , C04B37/005 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/963 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/52 , C04B2237/708 , H01L21/02002 , H01L21/0243 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , Y10T428/24355
Abstract: 半导体用复合基板包括操作基板(11)、以及在操作基板(11)的表面直接或介由接合层键合的施主基板。操作基板(11)由绝缘性多晶材料形成，操作基板(11)的表面(15)的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下，操作基板的表面形成有凹部(6)。
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公开(公告)号：CN103703542A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201380002366.6
申请日：2013-07-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L29/06 , H01L21/02002 , H01L21/2007 , H01L21/762 , H01L21/76251 , H01L21/76254
Abstract: 复合晶片（10）是使支承基板（12）和半导体基板（14）通过直接键合来贴合而成的复合晶片。支承基板（12）是氧化铝纯度在99%以上的透光性氧化铝基板。该支承基板（12）的可见光区域的直线透过率在40%以下。又，支承基板（12）在波长200～250nm下的前方全光线透过率在60%以上。支承基板（12）的平均结晶颗粒直径为10μm～35μm。半导体基板（14）为单结晶硅基板。这样的复合晶片(10）具有与SOS晶片同等的绝缘性及热传导性，能够以低成本进行制作，并能够较容易地制得大直径晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108702846B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201780010366.9
申请日：2017-01-12
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 向陶瓷基材的贯通孔供给金属糊，通过加热而生成金属多孔体。在金属多孔体的主面涂布玻璃糊，并且使玻璃糊含浸到金属多孔体的开口气孔中。通过加热使玻璃糊固化，由此在金属多孔体的主面上形成玻璃层，且使含浸在开口气孔中的玻璃糊成为玻璃相。除去玻璃层，由此得到具备陶瓷基板1A、以及设置在贯通孔2A内的贯通导体11的连接基板10。贯通导体11具备金属多孔体和玻璃相。
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公开(公告)号：CN105191511B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201580000703.7
申请日：2015-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/111 , H05K3/00
Abstract: 本发明提供排列有导体用的贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～300μm，贯通孔2的直径W为20μm～100μm，绝缘基板(1)由氧化铝烧结体形成。氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上，平均粒径为2～50μm。
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公开(公告)号：CN108702846A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780010366.9
申请日：2017-01-12
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H05K3/40 , H05K1/0306 , H05K1/115 , H05K3/26
Abstract: 向陶瓷基材的贯通孔供给金属糊，通过加热而生成金属多孔体。在金属多孔体的主面涂布玻璃糊，并且使玻璃糊含浸到金属多孔体的开口气孔中。通过加热使玻璃糊固化，由此在金属多孔体的主面上形成玻璃层，且使含浸在开口气孔中的玻璃糊成为玻璃相。除去玻璃层，由此得到具备陶瓷基板1A、以及设置在贯通孔2A内的贯通导体11的连接基板10。贯通导体11具备金属多孔体和玻璃相。
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公开(公告)号：CN104365019B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201380030905.7
申请日：2013-06-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H01L41/081 , H01L41/053 , H01L41/1873 , H01L41/313 , H03H9/02574 , H03H9/25
Abstract: 复合基板10由支承基板12和压电基板14贴合而成，本实施方式中，支承基板12与压电基板14通过粘合层16贴合。该复合基板10的支承基板12由透光性氧化铝陶瓷制作，因此，较之于支承基板由不透明的陶瓷制作的情况，FCB时容易定位。此外，支承基板12的可见光区域(360～750nm)中的直线透过率及前方全光线透过率分别优选10％以上及70％以上。
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公开(公告)号：CN104798177B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201480002869.8
申请日：2014-07-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02 , C04B35/115
CPC classification number: C04B35/44 , B32B18/00 , B32B2250/02 , B32B2305/026 , B32B2457/14 , C04B35/115 , C04B35/634 , C04B37/005 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/775 , C04B2235/786 , C04B2235/963 , C04B2237/062 , C04B2237/30 , C04B2237/343 , C04B2237/52 , H01L21/2007 , H01L27/1203
Abstract: 操作基板1由透光性陶瓷构成。操作基板1的接合面1a一侧的表面区域2A所含的大小0.5～3.0μm的气孔的平均密度在50个/mm2以下。操作基板1内形成有大小0.5～3.0μm的气孔的平均密度在100个/mm2以上的区域3。透光性陶瓷的平均粒径为5～60μm。
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