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公开(公告)号：CN117836718A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057684.1
申请日：2022-08-17
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有下述式(1)表示的单元结构(A)的聚合物及溶剂。式(1)中，R1表示氢原子或碳原子数为1～10的烷基，L1表示选自碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～40的芳基、及1价杂环基的1价有机基团。上述烷基、上述芳基及上述1价杂环基所具有的至少1个氢原子被卤素原子取代。上述烷基、上述芳基及上述1价杂环基所具有的至少1个氢原子可以被羟基取代。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117083569A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280021213.5
申请日：2022-03-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含有下述式(100)所示的结构的聚合物或化合物、和溶剂。(在式(100)中，Ar表示可以被取代的碳原子数6～40的芳香环基，L0表示单键、酯键、醚键、可以被取代的碳原子数1～10的亚烷基或可以被取代的碳原子数2～10的亚烯基，T0表示单键、酯键、醚键、可以被取代的碳原子数1～10的亚烷基或可以被取代的碳原子数2～10的亚烯基，其中，L0与T0不同，n个R0独立地表示羟基、卤原子、硝基、氰基、氨基、或1价有机基，n表示0～5的整数，＊表示与聚合物或化合物残基的结合部分。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116997860A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280017934.9
申请日：2022-03-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于形成能形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物，和使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案的制造方法、半导体装置的制造方法。抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(100)所示的化合物(A)与包含至少2个与环氧基具有反应性的基团的化合物(B)的反应生成物，以及溶剂(式(100)中，Ar1与Ar2各自独立地表示可具有取代基的碳原子数6～40的芳香环，且Ar1和Ar2的至少1个为萘环，L1表示单键、可具有取代基的碳原子数1～10的亚烷基或可具有取代基的碳原子数2～10的亚烯基，T1和T2各自独立地表示单键、酯键或醚键，E表示环氧基)。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116745700A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280011840.0
申请日：2022-01-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5及A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价的有机基团，R1表示包含碳原子数为6～40的芳香环结构的4价有机基团，L1及L2各自独立地表示氢原子、或可被羟基取代也可被氧原子中断的碳原子数为1～10的烷基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116234852A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180065966.1
申请日：2021-10-06
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14
Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含溶解在溶剂中的、化合物(A)与化合物(B)与化合物(C)的反应生成物，上述化合物(A)为下述式(1)(在式(1)中，A表示包含脂肪族环、芳香族环或杂环的有机基)所示的化合物，上述化合物(B)具有与环氧基具有反应性的2个官能团，上述化合物(C)具有与环氧基具有反应性的1个官能团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115943036A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180050951.8
申请日：2021-08-18
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B32B27/30
Abstract: 本发明提供一种包含在大气压下是难以加热、相对于基板垂直诱发了微相分离结构的嵌段共聚物的层、其制造方法以及使用了垂直相分离的嵌段共聚物层的半导体装置的制造方法。所述嵌段共聚物层是在低于大气压的压力下用能够引起诱导自组装的温度进行加热而形成的垂直相分离的嵌段共聚物层。所述垂直相分离优选包含层状形状部分。所述层状形状部分优选含有PMMA。所述加热温度优选为290℃以上。优选所述嵌段共聚物层之下还具有该嵌段共聚物表面能的中和层。
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公开(公告)号：CN108780279B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201780015881.6
申请日：2017-03-07
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供，能够形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。作为解决方法是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，上述化合物(E)包含部分结构(I)和部分结构(II)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与能够产生质子的化合物之间的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1‑1)～式(1‑5)中的至少一种、或是式(1‑6)与式(1‑7)或式(1‑8)的组合，部分结构(II)为下述式(2‑1)或式(2‑2)的部分结构。此外，关于上述组合物，在化合物(E)中，以0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，以0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比包含部分结构(II)。
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公开(公告)号：CN111108441A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880061324.2
申请日：2018-09-19
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/14 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 含有具有下述式(1)所表示的结构单元的树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物提供了耐溶剂性、光学参数、干蚀刻速度、和埋入性这些特性都优异的抗蚀剂下层膜。式(1)中，R1表示可以夹着羧基的C1～6烷基、可以具有羟基取代基的C1～6烷基或可以具有C1～4烷硫基取代基的噻二唑基，R2表示氢原子或下述式(2)所示基团，式(2)中，R1的含义与上述相同，＊表示键合部分。
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公开(公告)号：CN108780279A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780015881.6
申请日：2017-03-07
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供，能够形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。作为解决方法是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，上述化合物(E)包含部分结构(I)和部分结构(II)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与能够产生质子的化合物之间的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1-1)～式(1-5)中的至少一种、或是式(1-6)与式(1-7)或式(1-8)的组合，部分结构(II)为下述式(2-1)或式(2-2)的部分结构。此外，关于上述组合物，在化合物(E)中，以0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，以0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比包含部分结构(II)。
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公开(公告)号：CN119998732A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380071127.X
申请日：2023-10-03
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其为EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，且包含具有下述式(1)表示的结构的聚合物、和溶剂。(式(1)中，R1和R2各自独立地表示可被卤素原子取代的碳原子数为1～6的烷基、或卤素原子。m1和m2各自独立地表示0～4的整数。R1为2个以上时，2个以上的R1可以相同，也可以不同。R2为2个以上时，2个以上的R2可以相同，也可以不同。*表示键合位置。)#imgabs0#
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