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公开(公告)号：CN101993594A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010267340.2
申请日：2010-08-24
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08L83/06 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C09J7/00 , C09J183/06 , C09J11/06
CPC classification number: C09J183/04 , C08G77/14 , C08K5/19 , C08K5/5419 , C08L2666/44
Abstract: 本发明涉及用于热固性有机硅树脂的组合物，其包含：(1)以式(I)表示的双末端硅烷醇型有机硅树脂，其中R1表示一价烃基，且n是20至10,000的整数，条件是全部R1基团可以相同或不同；(2)三烷氧基硅烷；和(3)缩合催化剂。
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公开(公告)号：CN101857676A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010156803.8
申请日：2010-04-06
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及一种含金属氧化物细粒的硅树脂组合物，其通过将热固性有机硅衍生物与表面上具有反应性官能团的金属氧化物细粒聚合而得到，其中该热固性有机硅衍生物包含由式(I)表示的化合物，其中X各自独立地表示烷氧基或烷基，m表示1以上的整数，n表示0或1以上的整数，条件是3m个X中至少一个是烷氧基。
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公开(公告)号：CN101445605A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810179710.X
申请日：2008-11-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08G77/58 , C08G77/56 , H01L23/293 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种光学半导体元件封装用树脂以及用该树脂获得的光学半导体器件，该树脂通过使硅化合物与硼化合物或铝化合物反应而获得，其中所述硅化合物由式(I)表示，其中R1和R2各自独立地代表烷基、环烷基、烯基、炔基或芳基，其中R1的多个相同或不同，以及R2的多个相同或不同；X表示羟基、烷氧基、烷基、环烷基、烯基、炔基或芳基，以及n为4～250。
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公开(公告)号：CN101343367A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810135771.6
申请日：2008-07-11
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08G77/56 , H01L23/296 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种光学半导体元件封装用树脂，其包含通过硅化合物与硼化合物反应而获得的聚硼硅氧烷；和涉及一种光学半导体装置，其包含所述树脂和用该树脂封装的光学半导体元件。根据本发明的光学半导体元件封装用树脂显示出良好的优点，即具有优良的耐热性、透明性和耐光性。
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公开(公告)号：CN101343363A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810135764.6
申请日：2008-07-11
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08G73/00 , C08G73/10 , C08G73/1003 , C08G73/1007 , H01L33/56
Abstract: 本发明涉及一种光学半导体元件封装用树脂，其包含通过将聚酰亚胺前体酰亚胺化而获得的聚酰亚胺，所述聚酰亚胺前体通过将脂肪酸二酐与脂肪族或芳香族二胺化合物缩聚而获得；和涉及一种光学半导体装置，其包含所述树脂和用所述树脂封装的光学半导体元件。根据本发明的光学半导体元件封装用树脂显示出良好的优点，即，其具有高的光传输特性，优良的耐热性，并且即使对于短波长光也显示出优良的耐光性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115666765A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180035339.3
申请日：2021-04-23
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供二氧化碳捕获处理系统，其包含二氧化碳浓缩混合气体生成装置、二氧化碳转化装置、最终处理装置、以及二氧化碳直接捕获装置，其中，二氧化碳浓缩混合气体生成装置具有分离膜，提高所导入的混合气体中的二氧化碳浓度而生成二氧化碳浓缩混合气体；二氧化碳转化装置将从二氧化碳浓缩混合气体生成装置接取的浓缩混合气体中的二氧化碳转化成化学稳定的化合物；最终处理装置具备吸附材料，通过利用吸附材料吸附二氧化碳而将该二氧化碳与其它气体成分分离；二氧化碳直接捕获装置将周围环境中所含的空气导入，并供给至二氧化碳捕获处理系统的最终处理装置或该最终处理装置的上游侧。在二氧化碳捕获处理系统中，在工厂内生成的二氧化碳会全部在工厂内被处理，而不会被排出至工厂的外部，另外，由于将周围环境中所含的空气导入并进行与工厂中的排出气体同样的处理，因此能够使从工厂向外部的二氧化碳的排出成为负值。
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公开(公告)号：CN103009780B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210360955.9
申请日：2012-09-21
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/12 , C08G77/20 , C09D183/04 , H01L23/296 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , C08K3/36 , C08K5/56 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 一种有机硅树脂片、其制造方法、封装片及发光二级管装置，所述制造方法具备：涂布第一有机硅树脂组合物，形成第一涂布层的工序，所述第一有机硅树脂组合物含有第一有机聚硅氧烷和第二有机聚硅氧烷；使第一有机聚硅氧烷和第二有机聚硅氧烷以转化率达到5~40%的方式反应，由第一涂布层形成前体层的工序；和在前体层的厚度方向的至少一个面上涂布第二有机硅树脂组合物形成第二层的工序，所述第二有机硅树脂组合物含有第三有机聚硅氧烷、第四有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂和含有四烷基氢氧化铵的固化迟延剂。
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公开(公告)号：CN103915554A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310743032.6
申请日：2013-12-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/52 , H01L33/50 , H01L33/501 , H01L33/60 , H01L2224/96 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
Abstract: 本发明涉及封装层被覆光半导体元件、其制造方法和光半导体装置。所述封装层被覆光半导体元件的制造方法具备下述工序：配置工序，将封装层配置于支撑台的厚度方向的一侧；以及被覆工序，在配置工序之后，通过封装层以露出光半导体元件的一侧的表面的方式对其进行被覆，得到封装层被覆光半导体元件。
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公开(公告)号：CN103486542A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310223565.1
申请日：2013-06-06
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: F21V13/14
CPC classification number: F21V29/70 , F21K9/60 , F21K9/64 , F21V5/04 , F21V7/22 , F21V9/30 , F21V13/04 , F21V29/505 , F21V29/507 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , G02B5/04 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/02208 , H01S5/02248 , H01S5/02288 , H01S5/0683
Abstract: 本发明提供一种光源装置及照明装置。激光器照明模块具有：底座部；半导体激光器，为蓝色激光元件；基板，与半导体激光器接触；陶瓷荧光体，对从半导体激光器入射的光进行反射来改变朝向，并且由该光激发而生成黄色的荧光；及透镜，对从陶瓷荧光体射出的光的配光进行调整。基板由很薄并且热传导性优良的材料形成，与半导体激光器及底座部面接触。在激光器照明模块中，基板作为元件散热部起作用，由此能够易于去除由半导体激光产生的热量。
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公开(公告)号：CN103296177A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310066289.2
申请日：2013-03-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/50 , H01L33/62 , H01L33/60 , H01L25/075
CPC classification number: H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种发光装置、照明装置、发光装置集合体及发光装置的制造方法。发光装置包括：基板，其上表面包括镜面区域；半导体发光元件，其配置在镜面区域内；以及封装层，其与基板的上述上表面接合；封装层包括：下层，其与基板的上述上表面相接触并覆盖半导体发光元件，该下层含有荧光体；以及上层，其位于下层上且每单位面积的荧光体的含量多于下层的每单位面积的荧光体的含量。
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