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公开(公告)号：CN103081068A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042794.2
申请日：2011-08-29
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B7/06 , H01L21/52 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/67132
Abstract: 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜，将在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到半导体装置用薄膜，将该半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹。本发明的半导体装置用薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其特征在于，设覆盖薄膜的厚度为Ta、设切割薄膜的厚度为Tb时，Ta/Tb在0.07～2.5的范围内。
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公开(公告)号：CN102391809A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110261480.3
申请日：2008-03-03
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J133/00 , C09J11/04 , C09J7/00 , C09J7/02 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/05599 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83885 , H01L2224/85001 , H01L2224/85099 , H01L2224/85205 , H01L2224/85399 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/0635 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的热固化型模片键合膜，其在制造半导体装置时使用，其特征在于，含有5～15重量％热塑性树脂成分及45～55重量％热固性树脂成分为主成分，并且热固化前的100℃下的熔融粘度为400Pa·s以上、2500Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN102002323A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010270782.2
申请日：2010-08-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J161/06 , H01L21/68
CPC classification number: H01L24/29 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/85001 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/0106 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/3025 , Y10T156/10 , Y10T428/1476 , Y10T428/2848 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法，所述带有切割片的胶粘薄膜在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有以可剥离的方式设置的胶粘薄膜，即使在半导体晶片为薄型的情况下也无损将其进行切割时的保持力，并且将通过切割得到的半导体芯片与该胶粘薄膜一体剥离时的剥离性优良。本发明的带有切割片的胶粘薄膜，在基材上依次层压有粘合剂层和胶粘剂层，其中，所述粘合剂层中，与所述胶粘剂层的粘贴面的至少一部分区域的Si-Kα射线强度为0.01～100kcps。
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公开(公告)号：CN101765909A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880101005.6
申请日：2008-08-26
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J7/02 , C09J133/08 , C09J163/00
CPC classification number: C09J133/08 , C09J7/35 , C09J7/385 , C09J11/04 , H01L23/24 , H01L23/3121 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T156/10 , Y10T428/249921 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供一种即使在胶粘片已薄层化的情况下也可容易地识别该胶粘片的有无、并由此可以缩短制造装置的停机时间、使成品率提高的半导体装置制造用的胶粘片及使用其的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置制造用的胶粘片是使半导体元件粘接于被粘接物上的半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，含有吸收或反射波长域处于290～450nm的范围内的光的颜料。
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公开(公告)号：CN101297395A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680039996.0
申请日：2006-10-12
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/304 , A47L25/00 , B08B1/00
CPC classification number: B08B1/00 , B08B7/0028 , H01L21/02096 , Y10T428/24355 , Y10T428/2457 , Y10T428/24612 , Y10T428/31
Abstract: 本发明提供一种附有清洁功能的输送构件，其异物除去性能及输送性能优异，且可特别有效地除去具有特定粒径的异物。本发明的附有清洁功能的输送构件具有输送构件(50)、及在该输送构件的至少一面所设置的清洁层(20)。清洁层的算术平均粗糙度Ra为0.05μm以下，且具有最大高度Rz为1.0μm以下的凹凸形状。优选对应每1mm2清洁层的平面的实质表面积为对应每1mm2硅片镜面的平面的实质表面积的150％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101186792A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710194011.8
申请日：2007-11-26
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/02 , H01L21/58 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/568 , C08K3/34 , C09J7/385 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/78251 , H01L2224/83001 , H01L2224/83101 , H01L2224/83855 , H01L2224/85001 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20305 , H01L2924/20752 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/066 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供一种可以制造半导体装置的耐热性胶粘带，其通过耐热性胶粘带很好地防止密封工序中的树脂泄漏，并且粘贴的胶带不易在一系列的工序或胶带的剥离工序中带来障碍。该半导体装置制造用耐热性胶粘带是在半导体装置的制造方法中使用的耐热性胶粘带，所述半导体装置的制造方法至少具有如下工序：在金属制引线框的管芯焊盘上键合半导体芯片的载置工序，所述金属制引线框在外焊盘一侧贴合了耐热性胶粘带、用密封树脂将半导体芯片侧单面密封的密封工序、和将密封的结构物切断成单个的半导体装置的切断工序，其中上述耐热性胶粘带具有基材层、和包含亲水性层状硅酸盐和胶粘剂的胶粘层。
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公开(公告)号：CN1778830A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510124931.3
申请日：2005-10-19
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G73/10 , C09D179/08 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供了一种基片处理设备的清洁基片，其包含清洁层，所述清洁层包括位于基片的至少一个表面上的且在20℃～150℃下存储模量(1Hz)为5×107Pa至1×109Pa的耐热性树脂；并且提供了一种适合用于清洁层的并可以用于涉及由于硅氧烷杂质而可能产生严重缺陷的应用，例如HDD应用和一些半导体应用中的耐热性树脂的聚酰亚胺树脂。
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